本发明提供了一种自锁模

本公开提供了一种全电控自旋轨道矩概率比特及控制方法，该自旋轨道矩概率比特包括自旋轨道耦合层；磁性自由层，设置在自旋轨道耦合层的上表面；间隔层，设置在磁性自由层的上表面；磁性参考层，设置在间隔层的上表面；顶电极层，设置在磁性参考层的上表面...

本发明提供一种化学气相薄膜沉积设备的反应室及化学气相薄膜沉积设备，涉及薄膜沉积技术领域，包括壳体组件

本发明提供一种

本申请公开了一种交错光栅的混合等离激元波导布拉格光栅偏振器，包括硅基混合等离激元波导结构

本发明涉及半导体技术领域，提供一种体声波器件和制备方法，该方法包括：在衬底上采用目标外延方式外延生长得到缓冲层；在缓冲层上采用目标外延方式外延生长得到第一电极层；在第一电极层上采用目标外延方式外延生长得到压电层；在压电层上采用目标外延方...

本发明提供一种薄膜化学气相沉积反应室装置及沉积设备，涉及薄膜沉积技术领域

本发明关于一种激光雷达及其控制方法

本公开提供一种氮化镓基激光器及其制备方法，氮化镓基激光器包括：依次叠加的

本公开提供一种硅基

本发明提供一种编码器码盘基线检测系统，包括：高速图像传感器模块，用于获取编码器码盘基线的原始图像；形态学滤波模块，用于预处理原始图像；基线分割模块用于对预处理图像进行基线特征筛选，基线特征提取模块用于提取图像的基线特征；缓存模块，用于实...

本发明涉及半导体技术领域，提供一种体声波器件结构及制作方法，该方法包括：在衬底上采用目标外延方式外延生长得到缓冲层；在缓冲层上采用目标外延方式外延生长得到布拉格反射层；布拉格反射层用于声波反射；在布拉格反射层上采用目标外延方式外延生长得...

本发明提供一种砷化铟晶体合成生长装置及方法，装置包括：旋转升级系统；石英合成生长管，设置于旋转升级系统上，用于提供真空环境，旋转升级系统用于控制石英合成生长管的旋转及升降；第一坩埚，设于石英合成生长管内部靠近旋转升级系统的一端，用于放置...

本发明的实施例涉及了一种超晶格量子点及其制备方法，属于量子点和低维异质结构技术领域

本发明公开了一种微型发光二极管及其制作方法，该微型发光二极管包括：衬底；缓冲层，形成在衬底上；n型层，形成在缓冲层上；有源层，有源层在n型层上形成第二台面；p型层，p型层在有源层上形成第一台面；n型电极和p型电极，n型电极形成在n型层上...

本公开提供一种基于片上光波导的超声波成像芯片，包括基底层，底部包层，波导光栅层，以及上包层。基底层用于芯片的物理支撑；底部包层设于基底层上，用于限制光场以及降低传输损耗；波导光栅层设于底部包层上，包括多条波导光栅；上包层设于波导光栅层上...

本发明提供一种混合陷光结构及其制备方法，用于增强量子点中间能带太阳能电池的吸收效率，包括：介质膜，设置于量子点中间能带太阳能电池的上表面；第一介质纳米金字塔阵列层，设置于介质膜的上表面；第二介质纳米金字塔阵列层，设置于量子点中间能带太阳...

本发明的实施例涉及了一种偏振光探测器及其制备方法，属于光电技术领域。该偏振光探测器包括：作为栅电极的N型衬底；生长在N型衬底上的绝缘层；具有各向异性的锗锑硒三元晶体形成的有源层，有源层将入射至偏振光探测器的偏振光转换为光电流；形成在有源...

本公开提供了一种薄膜铌酸锂电光调制器芯片及其调制方法，该芯片包括：衬底层、掩埋氧化层、铌酸锂波导层和电极层，从下至上依次叠加；铌酸锂波导层上表面包括相互平行的第一光波导和第二光波导；电极层包括复合行波电极和直流电极；复合行波电极为T型分...

本发明涉及射频通讯技术领域，提供一种射频器件和制备方法，该方法包括：在衬底上采用目标外延方式外延生长得到缓冲层；在缓冲层上采用目标外延方式外延生长得到第一功能结构；第一功能结构用于制作射频器件的体声波