原子能和替代能源委员会专利技术

原子能和替代能源委员会共有346项专利

  • 本发明涉及一种平面光电二极管1,包括由锗基材料M0制成的检测部分10和外围侧面部分3,外围侧面部分3包括彼此堆叠的几种材料,该几种材料包括热膨胀系数低于材料M0的热膨胀系数的材料M1和热膨胀系数高于或等于材料M0的热膨胀系数的材料M2。...
  • 本发明涉及一种用于制造热电结构的方法,该方法包括以下步骤:a)提供由第一材料制成的衬底(100),b)通过增材制造,优选地通过SLS或PBF来在衬底(100)上沉积由第二材料制成的热电元件(200),c)使衬底(100)变薄并对衬底进行...
  • 本发明涉及一种用于制造热电结构的方法和用于对热电结构进行金属化的方法。用于制造热电结构的方法包括以下步骤:a)提供覆盖有金属层(300)的衬底(100),b)通过增材制造,优选地通过SLS或PBF来在金属层(300)上形成热电元件(20...
  • 本发明涉及一种固态微电池,其包括:‑基底(S);‑锂钴氧化物层(2),其形成具有相对的第一表面(20)和第二表面(21)的阴极;‑在阴极(2)的第一表面(20)上形成的锂基固态电解质(4);阴极(2)的第二表面(21)朝向基底(S);‑...
  • 用于制造原生发射矩阵的方法,该方法包括以下步骤:a)提供基部结构(10),基部结构依次包括:衬底(11);GaN层(12);掺杂In(x)GaN层(13),其中,x介于0%至8%之间;以及非有意掺杂In(x)GaN外延再生长层(14),...
  • 本发明涉及在PWR反应堆的运行周期期间,处理初级回路的由镍基或钴基合金制成的金属部件的内表面的方法。该方法包括:估算金属部件将会排出至初级回路中的镍量;计算固定所估算的镍总量所需的磁铁矿的量;通过在水具有80℃至180℃的温度时,将计算...
  • 本发明涉及一种串联光伏器件,该串联光伏器件以如下层叠顺序包括:A/硅基子电池A,特别是硅异质结子电池或隧穿氧化物钝化接触TOPCon架构子电池;以及B/钙钛矿基子电池B,该钙钛矿基子电池至少包括:‑导电层或半导体层,该导电层或半导体层在...
  • 本发明涉及一种具有相控阵天线的光电发射器
  • 本发明涉及一种用于制造检测装置(1)的方法,该方法包括以下步骤:
  • 本发明涉及一种光电二极管,包括:由第一锗基晶体半导体材料制成的检测部分10,检测部分10包括第一掺杂区域11、第二掺杂区域12和中间区域13;与第一掺杂区域11接触的间隙部分27,间隙部分27由晶体半导体材料制成,该晶体半导体材料具有等...
  • 本发明涉及一种用于基于由受监控系统生成并表征由受监控系统中的操作者执行或生成的事件的数据流来自动检测受监控系统中的欺诈风险的方法和系统。该方法包括:预处理(30
  • 一种光电器件,包括衬底(150)和有机层的叠层(370),有机层的叠层包括至少一个有源层,至少一个有源层布置在反射表面与半反射表面之间,反射表面与半反射表面以给定距离彼此相对设置并且形成光学腔。该器件包括至少三组像素(367a、367b...
  • 本发明涉及一种能够适用于电化学电池(1)的安全设备,所述电池具有容器(10),线圈放置在该容器(10)中,所述容器包括配备有至少一个破裂触发件的至少一个第一壁和被布置成确保将线圈保持在所述容器中的第二壁,所述至少一个破裂触发件被设计成在...
  • 本发明涉及一种能量存储系统(10),该能量存储系统包括串联连接的多个电模块组(12),每个电模块组(12)具有正极端子和负极端子,每个电模块组(12)的端子处的电压等于该组(12)的正极端子和负极端子之间的电位差,系统(10)的端子处的...
  • 电感器的电磁屏蔽包括主场集中屏蔽(12),该主场集中屏蔽包括竖直柱(13),并且柱包括由非磁性间隙(15)分隔开的铁磁块(14),非磁性间隙有助于增加磁阻,从而大大减小热损失。主屏蔽由外部导电壳体(1)增补,该外部导电壳体限制从主屏蔽逸...
  • 本发明涉及一种多孔颗粒形式的无机材料,该无机材料具有当与气态碘接触时高的捕获该气态碘的能力,并且一旦负载了碘,其便可通过热处理转化为碘被限制于其中的磷灰石系列的陶瓷。这种材料的每个颗粒包括:1)下式(1)的铅钒酸盐或磷钒酸盐:Pb3‑
  • 本发明涉及一种取景器,用于装备观察或图像记录装置,例如观察镜或图像记录装置,所述观察装置被配置为产生观察场景的图像。取景器允许显示代表观察场景的第一图像和不同于第一图像的第二图像,第一图像和第二图像彼此并列。所述观察装置包括第一光学系统...
  • 包括至少一个光伏模块的光伏串的操作诊断的方法和设备本发明涉及一种用于诊断光伏模块串的操作的方法和设备。该方法包括获取一系列电流和电压测量值,该电流和电压测量值形成电流对电压曲线,被称为I(V)曲线,还包括下述操作:
  • 本发明涉及一种平面型光电二极管,其包括主层(22)和p掺杂的外围侧向部分(25),该主层包括n掺杂的第一区域(11)、p掺杂的第二区域(12)和中间区域(13)。所述平面型光电二极管还包括外围中间部分(27),该外围中间部分(27)由硅
  • 本发明涉及一种电缆,包括:至少一个细长电导体(1);围绕所述细长电导体(1)的至少一个电绝缘层(2);围绕所述电绝缘层(2)的至少一个金属层(3),其特征在于,金属层(3)包括金属纳米线。米线。米线。
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