本公开涉及一种电子电路，包括：可控增益元件，具有差分输入端和输出端，并且可操作用于响应于增益偏移值和电压偏移值来实现增益偏移和电压偏移补偿；差分并联电路，耦合至所述可控增益元件的差分输入端；感测电路，配置用于感测所述电路的当前操作状况；...

本实用新型的实施例公开了一种精密多晶硅电阻器结构及集成电路。使用替换金属栅极(RMG)工艺提供用于与金属栅极晶体管并排创建精密多晶硅电阻器的机会。在形成牺牲多晶硅栅极期间，多晶硅电阻器也可以从相同多晶硅膜形成。可以略微凹陷多晶硅电阻器，...

本发明涉及通过使用凝聚形成局域化的弛豫衬底的方法。描述了用于形成衬底的局域化的应变区域的方法和结构。沟槽可以在衬底的局域化区域的边界处形成。在局域化区域处的侧壁的上部部分可以由覆盖层覆盖，并且在局域化区域处的侧壁的下部部分可以不被覆盖。...

本发明涉及具有部分凹陷的栅极的绝缘体上硅器件。在提供有掩埋氧化层(BOX)的绝缘体上硅(SOI)半导体晶片上，例如FD-SOI和UTBB器件，构造具有部分凹陷栅极的晶体管。外延生长的沟道区域放松了对掺杂源极和漏极分布的设计的约束。部分凹...

本发明涉及用于电力线通信设备的零待机电力。一个实施例是集成片上系统(SoC)，该集成SoC包括通信接口和接收器标识(ID)探测功能，通信接口被配置用于实现通信协议，该通信接口包括功能模块，该功能模块被单独地激励或者去激励，使得使用最小的...

实施例是一种电力线通信(PLC)设备，包括实施了第一通信协议、由在交通工具的电力分布布线之上通信的收发器构成的通信接口。第一通信协议包括电力线通信汽车网络(PLCAN)定界符类型(DT)(PLCAN-DT)，以及在帧控制中的PLCA变量...

本发明的各个实施例涉及一种在例如FinFET器件中使用的用于形成电介质隔离鳍结构的方法。该方法包括：在由第一半导体材料形成的衬底上，沉积由第二半导体材料形成的第一覆盖层；在第一覆盖层之上，沉积由第三半导体材料形成的第二覆盖层。图案化第一...

根据本公开的一个方面，提供一种半导体器件，包括：应变的、绝缘体上半导体(SOI)衬底，其包括应变半导体层；浅沟槽隔离(STI)，约束在所述SOI衬底中的所述应变半导体层，其中所述STI延伸越过所述SOI衬底的氧化物层进入所述SOI衬底中...

本实用新型的实施例公开了一种用于集成电路中的器件，所述器件包括：嵌入的氧化物区域，具有在其之上的保形氮化物层；以及硅化合物的无分面的外延生长的区域，与所述嵌入的氧化物区域相邻。本文呈现的一种这样的技术是用SiN对隔离沟槽加衬以使得SiN...

本发明提供了一种使用牺牲性鳍来制作半导体器件的方法，包括在半导体层上方形成牺牲性层。选择性地去除牺牲性层的部分以限定在半导体层的第一区域之上的第一组间隔开的牺牲性鳍和在半导体层的第二区域之上的第二组间隔开的牺牲性鳍。在第一与第二区域之间...

由硅半导体材料形成的SOI衬底层包括相邻的第一区域和第二区域。去除第二区域中的硅衬底层的一部分，使得第二区域保留由硅半导体材料制成的底部部分。进行锗硅半导体材料的外延生长以覆盖底部部分。然后将锗从外延生长的锗硅材料驱动到底部部分中以将底...

本实用新型涉及一种用于执行晶片的度量的装置，所述装置包括：衬底；在所述衬底上的多个微探测器；至少一个光源，其中所述至少一个光源将光引向所述多个微探测器之一上；多个光电检测器，用于检测从所述多个微探测器中的每个微探测器反射的所述光，其中检...

本实用新型公开了一种finFET结构，所述finFET结构包括为多个finFET形成的多个鳍部，所述多个鳍部的第一部分由与所述第一部分相邻的支撑结构支撑，所述第一部分在所述多个鳍部与衬底之间的空隙之上。

本发明用于增强电荷载流子的迁移率的方法和设备。一种集成电路可以包括两个类型的半导体器件。第一类型的器件可以包括金属栅极和以第一方式应变的沟道。第二类型的器件可以包括金属栅极和以第二方式应变的沟道。栅极可以共同地包括三种或者更少金属材料。...

集成电路器件和制作技术。一种半导体器件制作方法可以包括在相同处理步骤中掺杂集成电路的衬底的第一和第二部分。第一部分对应于半导体器件的掺杂的区域。第二部分对应于过孔接触。该方法还可以包括在掺杂之后形成半导体器件的栅极。

本发明公开了一种双主控控制器，包括多个JTAG数据寄存器，多个JTAG数据寄存器包括存储指示标准JTAG或者处理器控制操作模式的信息的控制器模式寄存器。JTAG TAP控制器通过标准测试访问端口接收控制信号，并且处理器控制器通过外部处理...

本发明公开了一种半导体器件，可以包括衬底和在衬底上方的PCM存储器单元阵列。每个PCM存储器单元可以包括竖直对准的第一电极和第二电极、在第一电极与第二电极之间的第一电介质层、从第二电极并且朝着第一电极经过第一电介质层竖直延伸的碳纳米管以...

本发明公开了一种存储器器件，可以包括半导体衬底和在半导体衬底中的存储器晶体管。存储器晶体管可以包括在半导体衬底中的源极区域和漏极区域、以及在源极区域和漏极区域之间的沟道区域、以及栅极堆叠。栅极堆叠可以包括在沟道区域之上的第一电介质层、在...

使用替换金属栅极(RMG)工艺提供用于与金属栅极晶体管并排创建精密多晶硅电阻器的机会。在形成牺牲多晶硅栅极期间，多晶硅电阻器也可以从相同多晶硅膜形成。可以略微凹陷多晶硅电阻器，使得保护绝缘层可以在用金属栅极随后替换牺牲栅极期间覆盖电阻器...

本实用新型公开了一种半导体器件，可以包括衬底和在衬底上方的PCM存储器单元阵列。每个PCM存储器单元可以包括竖直对准的第一电极和第二电极、在第一电极与第二电极之间的第一电介质层、从第二电极并且朝着第一电极经过第一电介质层竖直延伸的碳纳米...