在一个实施例中，太阳能电池（５００）具有在背面上形成的基极和发射极扩散区域。发射极扩散区域（５０２）被配置为收集太阳能电池中的少数电荷载流子，而基极扩散区域（５０３）被配置为收集多数电荷载流子。发射极扩散区域（５０２）可以是分开基极扩散...

本发明提供一种跟踪式太阳能组件，其包括基体、第一支撑件和第二支撑件。太阳能板可以安装在基体上。第一支撑件包括相对于基体固定的第一弯曲滚动表面。第一支撑件和第二支撑件可以与支撑表面接合。第一弯曲滚动表面可以沿支撑表面滚动，以使基体在第一取...

一种太阳能电池包括在诸如硅晶片之类的衬底（１０３）背面（１０６）上的多晶硅Ｐ型和Ｎ型掺杂区域。沟槽结构（１０４）将Ｐ型掺杂区域（１０１）和Ｎ型掺杂区域（１０２）分开。Ｐ型和Ｎ型掺杂区域中的每个均可以形成在薄电介质层（１１３）上。沟槽结构...

一种太阳能电池，其具有在正常操作期间面对太阳以收集太阳辐射的正面和与该正面相反的背面。该太阳能电池（１００）包括：Ｎ型硅衬底（１０１）；所述太阳能电池（１００）正面上的所述Ｎ型硅衬底上的粗糙表面（１１３）；Ｎ型硅衬底的粗糙表面（１１３）...

对组合了群集腔室与线性源的系统和方法进行了说明。在托板上固定多个晶片。群集腔室中的中央自动控制装置在连接至群集腔室的多个腔室之间移动托板。连接至群集腔室的至少一个腔室包括线性沉积源，其中托板能够相对于该线性沉积源移动。

本发明采用印刷的接触掩模（４００）来制造太阳能电池。该接触掩模（４００）可以包括通过喷墨印刷形成的点（３０６）。该点（３０６）可以形成在电介质层（例如聚酰亚胺）之间的开口中。重叠点（３０６）的交叉可以形成限定接触区域的空隙（３２１）。空...

本文描述了用来制备太阳能电池的方法。该方法包括首先将具有光接收表面的基材置于处理室内。随后在所述处理室内形成位于所述基材的光接收表面上的抗反射涂料（ＡＲＣ）层。最后，不将所述基材从所述处理室中取出，在所述ＡＲＣ层上形成保护层。

一个实施例涉及用于太阳能电池的结构。该结构包括其中具有Ｐ型和Ｎ型活性扩散区域的硅衬底。至少在该Ｐ型（３０４）和Ｎ型（３０２）活性扩散区域上包括了氮氧化物钝化层（４０２）。该结构进一步包括穿过该氮氧化物钝化层（４０２）至该Ｐ型（３０４）和...

一种基片沉积系统。该沉积系统包括基片托板和阳极。所述基片托板具有底部和顶部。所述基片托板的顶部成形为用于保持基片。所述阳极具有相对于所述基片托板基本固定的位置，并配置为与所述基片托板一起移动通过沉积室。所述阳极与所述基片电绝缘。

一种太阳能电池包括被电耦合至该太阳能电池的Ｎ型扩散区域的负极性金属接触指（４１３）和被电耦合至该太阳能电池的Ｐ型扩散区域的正极性金属接触指（４１４）。该Ｎ型和Ｐ型扩散区域均在太阳能电池的背面上。该太阳能电池包括在正常工作期间面向太阳的前...

本申请描述了一种用于高功率重量比应用的背接触式太阳能电池。该太阳能电池制造在衬底上，该衬底具有正面和背面。该衬底在正面包括具有第一全局厚度的第一区和具有第二全局厚度的第二区。所述第二全局厚度大于所述第一全局厚度。在衬底背面布置有多个交替...

一种具有引线框架件的太阳能电池，该引线框架件具有位于其上的至少一个光电带。此外，该装置具有光弹性材料和第二衬底元件，该光弹性材料位于光电表面的表面区域之上并具有第一厚度，该第二衬底元件包括位于其上的至少一个光集中元件，其中，该光集中元件...

硅太阳能电池具有掺杂的非晶硅触点，所述触点形成在硅基底的表面上的隧道氧化硅层上。在制作该太阳能电池时，不需要高温处理。

在一个实施例中，通过选择性沉积在晶片（１００）背面的掺杂剂源（２０１，２０２，２０３，２０４）中的掺杂剂扩散来形成太阳能电池的有效扩散结（２１１，２１２，２１３，２１４）。例如，所述掺杂剂源（２０１，２０２，２０３，２０４）可使用印刷方...

在一个实施例中，通过提供从太阳能电池（２００Ｂ）的正面向晶片（２０３）的本体泄放电荷的导电通路来防止有害的太阳能电池极化或者使之最小。例如，导电通路可以包括介质钝化层（２０２Ｂ）中图案化的孔、导电抗反射涂层或在抗反射涂层的顶部或底部表面...

本发明提供了一种太阳能电池装置结构和制造方法。该装置具有后盖元件，该元件包括表面区和背面区。该装置还具有安置于所述覆盖后盖元件的表面区的多个光电区域。在优选实施例中，所述多个光电区域占据全部光电空间区域。该装置具有覆盖一部分后盖元件的密...