【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
0001本专利技术主要涉及光伏太阳能电池，更具体的涉及有效实施且制作经济的太阳能电池结构。
技术介绍
0002将太阳能辐射直接转换成电能的光伏电池的使用是公知的，例 如参见Swanson的美国专利No. 4, 234,352。简要来讲，光伏电池包括半导体 材料的基底，所述半导体材料具有在其中所限定的P_n结。平面型硅电池中， p-n结形成在接收入射辐射的基底表面附近。辐射的光子产生可移动的载流 子(空穴和电子)并且基底可以将其引导至电池的外部电路。只有具有至少 最低能量水平(例如，对于硅l.l电子伏)的光子可以在半导体对中产生电 子-空穴对。具有较低能量的光子或者没被吸收或者作为热量吸收，而具有 高于l. 1电子伏的光子(例如，波长为1. lnm或更短的光子)的多余能量 产生热量。这些以及其他损失使硅光伏电池将太阳能直接转化成电能的效率 被限制在低于30%。0003在电池背表面上具有相反极性的指叉型触点的太阳能电池是已 知的，并且与具有前面金属栅格和包层或栅格被金属化的背面触点的传统太 阳能电池相比具有多种优势，包括由于前栅格屏蔽的消除而提高的光产生， 大幅减少...
【技术保护点】
一种太阳能电池，包括： ａ）半导体本体，具有第一主表面和第二相对的主表面， ｂ）在所述第一表面上的第一电介质层和在所述第二表面上的第二电介质层，所述第二电介质层包括隧道氧化物， ｃ）在所述第二表面上的隧道氧化物上具有受主掺 杂的半导体材料的第一图案，在所述第二表面上的隧道氧化物上具有施主掺杂的半导体材料的第二图案，并且所述第二图案与所述第一图案相交错，以及 ｄ）与所述受主掺杂的半导体材料互连的第一导电性图案和与所述施主掺杂的半导体材料互连的第二导电性图案 。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2006-5-4 11/381,6811. 一种太阳能电池，包括a)半导体本体，具有第一主表面和第二相对的主表面，b)在所述第一表面上的第一电介质层和在所述第二表面上的第二电介质层，所述第二电介质层包括隧道氧化物，c)在所述第二表面上的隧道氧化物上具有受主掺杂的半导体材料的第一图案，在所述第二表面上的隧道氧化物上具有施主掺杂的半导体材料的第二图案，并且所述第二图案与所述第一图案相交错，以及d)与所述受主掺杂的半导体材料互连的第一导电性图案和与所述施主掺杂的半导体材料互连的第二导电性图案。2. 权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述半导体材料是从包括非 晶硅、Si-Ge和III - V化合物半导体的组中选取的。3. 权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述半导体材料包括非晶硅。4. 权利要求3所述的太阳能电池，其中，所述受主掺杂的非晶硅是硼 掺杂的。5. 权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述施主掺杂的非晶硅是磷 掺杂的。6. 权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述第一主表面为织构化的。7. 权利要求6所述的太阳能电池，其中，所述半导体本体包括硅并且 所述隧道氧化物包括氧化硅。8. 权利要求7所述的太阳能电池，其中，所述第一和第二导电性图案 是从包括铝和铜的组中选取的。9. 权利要求3所述的太阳能电池，其中，所述半导体本体包括硅并且 所述隧道氧化物包括氧化硅。10. 权利要求9所述的太阳能电池，其中，所述第一和第二导电性图 案是从包括铝和铜的组中选取的。11. 在硅太阳能电池中用于接收移动载流子的触...
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