本发明提供一种功率半导体器件，包括：具有单极传导结构和双极传导结构的半导体衬底、第一端子和第二端子。单极传导结构包括第一传导类型的第一区、第二区和第三区，其中，第二区的掺杂浓度低于第一区和第三区的掺杂浓度。双极传导结构包括形成在与第一传...

本发明提供一种功率半导体器件，包括：具有单极传导结构和双极传导结构的半导体衬底，第一端子和第二端子。单极传导结构包括第一传导类型的第一区、第二区和第三区，其中，第二区的掺杂浓度低于第一区和第三区的掺杂浓度。双极传导结构包括与第一传导类型...

本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法。本发明实施例提供的半导体器件包括第一电极层；衬底层，位于第一电极层上；外延层，位于衬底层上并具有远离衬底层的第一表面；阱区，阱区由第一表面向外延层内延伸设置，阱区包括在第一方向上交替分布的第一...

本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法。本发明实施例提供的半导体器件包括第一电极层；衬底层，位于第一电极层上；外延层，位于衬底层上并具有远离衬底层的第一表面；阱区，阱区由第一表面向外延层内延伸设置，多个阱区在第一表面上的正投影相互间...

本实用新型公开了一种双极性三极管器件，该双极性三极管器件包括衬底、外延层和双极性三极管；双极性三极管包括：由轻掺杂的N‑型单晶硅外延层组成的集电区；由掺杂碳原子的P型单晶硅锗合金组成的基区，P型单晶硅锗合金中锗的含量沿第一方向由零递增至...

本实用新型提供一种半导体器件，包括依次层叠设置的第一电极层、衬底层、N‑型漂移区、源极结构及第二电极层；源极结构包括相互独立的N+掺杂区，以及环绕每个N+掺杂区设置的P基区，相邻的P基区彼此间隔；第二电极层包括源电极及栅电极，源电极对应...

本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法，包括外延层，具有相对的第一表面和第二表面；基区，由第一表面向外延层内部延伸成型；发射区，由第一表面向基区内部延伸成型；盲孔，形成在外延层内且由第二表面向外延层内部凹陷成型；集电区，围绕盲孔设置...

本实用新型公开了一种半导体器件，包括电极层；半导体层，与电极层层叠设置，半导体层包括相接触设置的N型区和P型区，P型区包括氟化铝分解的受主杂质铝离子，半导体层在第一方向上具有相对的第一表面和第二表面，P型区由第一表面向第二表面方向延伸预...