美新半导体无锡有限公司专利技术

美新半导体无锡有限公司共有194项专利

  • 本发明提供一种三轴加速度计,其包括:Z轴加速度计,其包括Z质量块、Z质量块锚点、扭转梁,Z质量块内定义有第一空间、第二空间和第三空间,Z质量块锚点位于第三空间内;扭转梁位于第三空间内且平行于Y轴放置,扭转梁连接所述Z质量块锚点和Z质量块...
  • 本发明提供一种三轴加速度计,其包括:Z轴加速度计,其包括Z质量块、Z质量块锚点、扭转梁,Z质量块内定义有第一空间、第二空间和第三空间,Z质量块锚点位于第三空间内;扭转梁位于第三空间内且平行于Y轴放置,扭转梁连接所述Z质量块锚点和Z质量块...
  • 本发明提供一种红外热电堆传感装置,其包括基于衬底形成的热电堆传感器,所述热电堆传感器包括:悬空薄膜,其悬置于所述衬底的空腔之上;多个热电偶,其设置于所述悬空薄膜中,所述热电偶的热端悬置于所述衬底的空腔之上,且所述热电偶的热端位于所述悬空...
  • 本发明公开了一种三轴加速度计,其包括:基板;固定设置于所述基板上的锚块;固定设置于基板上的第一X轴电极、第二X轴电极、第一Y轴电极、第二Y轴电极、第一Z轴电极和第二Z轴电极;悬置于所述基板上方的框架,其包括相对设置的第一梁柱和第二梁柱,...
  • 本发明公开了一种热交换式加速度计及其加热控制方法。所述加热控制方法包括:感应封闭空腔内的温度并产生温度电压信号;放大温度电压信号得到放大的温度电压信号;求取放大的温度电压信号和参考电压信号的差值得到电压差值信号;将所述电压差信号转成数字...
  • 本实用新型提供一种集成热电堆红外探测器的封装结构,集成热电堆红外探测器的封装结构包括:第一晶圆,其包括第一衬底、热电堆薄膜、金属焊盘和第一腔体,其中,所述热电堆薄膜和金属焊盘设置于所述第一衬底的正面,所述第一腔体与所述热电堆薄膜相对且自...
  • 本实用新型提供一种红外热电堆传感装置,其包括基于基底层形成的热电堆传感器,所述热电堆传感器包括吸收区,所述基底层上形成有空腔,所述吸收区悬置于所述基底层的空腔之上,所述吸收区包括层叠的第一金属层、介质层和第二金属层,所述第一金属层相较于...
  • 本实用新型提供一种集成加速度传感器和磁传感器的封装结构,所述集成加速度传感器和磁传感器的封装结构包括:第一晶圆,其正面侧设置有加速度传感器,磁传感器,金属焊盘,以及处理加速度传感器和磁传感器的传感信号的信号处理电路,第一晶圆上与所述加速...
  • 本发明提供一种磁角度传感器测试装置,其包括:第一基板;电机,其设置于第一基板上,电机包括电机主体和电机转轴;磁场源,其用于产生外磁场,磁场源设置于所述第一基板上,在测试时所述磁场源保持不动;其中,待测磁角度传感器固定于所述电机的电机转轴...
  • 本发明提供一种360度磁角度传感器,其包括:各向异性磁电阻传感器,其基于感测平面内的磁场产生表示磁角度的第一信号,所述第一信号具有180度的角范围;霍尔传感器,其基于所述感测平面内的磁场产生表示磁角度的第二信号,所述第二信号具有360度...
  • 本发明提供一种红外热电堆传感装置,其包括基于基底层形成的热电堆传感器,所述热电堆传感器包括吸收区,所述基底层上形成有空腔,所述吸收区悬置于所述基底层的空腔之上,所述吸收区包括层叠的第一金属层、介质层和第二金属层,所述第一金属层相较于第二...
  • 本发明提供一种集成热电堆红外探测器的封装结构及其封装方法,集成热电堆红外探测器的封装结构包括:第一晶圆,其包括第一衬底、热电堆薄膜、金属焊盘和第一腔体,其中,所述热电堆薄膜和金属焊盘设置于所述第一衬底的正面,所述第一腔体与所述热电堆薄膜...
  • 本发明提供一种集成加速度传感器和磁传感器的封装结构及其封装方法,所述集成加速度传感器和磁传感器的封装结构包括:第一晶圆,其正面侧设置有加速度传感器,磁传感器,金属焊盘,以及处理加速度传感器和磁传感器的传感信号的信号处理电路,第一晶圆上与...
  • 本实用新型公开了一种三轴加速度计,其包括:基板;固定设置于所述基板上的锚块;固定设置于基板上的第一X轴电极、第二X轴电极、第一Y轴电极、第二Y轴电极、第一Z轴电极和第二Z轴电极;悬置于所述基板上方的框架,其包括相对设置的第一梁柱和第二梁...
  • 本实用新型公开了一种热交换式加速度计,其包括对封闭空腔进行可控加热的加热控制电路,所述加热控制电路包括:加热电阻;加热控制开关;温控热电偶,产生温度电压信号;放大器,被配置的将所述温度电压信号进行放大得到放大的温度电压信号;调制器,被配...
  • 本实用新型提供一种磁电阻传感器,其包括磁场传感单元,所述磁场传感单元具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏感轴,所述磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条,以及形成于所述磁电阻条上的并与所述磁电阻条成预定角度的相互平行的若干个短路条,...
  • 本实用新型提供一种基于斜坡的磁电阻传感器的短路条在掩模板上的取向装置,其包括磁电阻传感器和掩模板,磁电阻传感器包括:设置于基板上的斜坡,斜坡包括底面和倾斜表面,且倾斜表面和底面的夹角为斜坡倾斜角α;磁场传感单元,其具有磁易轴和与所述磁易...
  • 本实用新型提供一种磁场传感器,其包括:至少一个磁场传感单元,其具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏感轴,所述磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条;至少一个设置‑重置导线组,所述设置‑重置导线组位于对应的磁电阻条的上方或下方,所述设...
  • 本发明提供一种磁传感器及其中的设置/重置电路,其包括运算放大器、第一开关至第四开关、第一MOS管至第四MOS管和设置/重置线圈。第一MOS管一端与电源端相连,另一端与第三MOS管一端相连,第三MOS管另一端接地,第一和第三MOS管之间的...
  • 本发明提供一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器及其制造方法,磁阻传感器包括:形成有集成电路的晶圆;位于晶圆上的钝化层,钝化层上形成有与磁阻传感器连接的第一通孔;位于钝化层上的介质层,介质层上形成斜坡;贯穿第一通孔处的介质层的第二通孔,第二通孔...