使用内嵌缺陷部分平均测试进行半导体自适应测试的系统及方法经配置以：接收来自内嵌缺陷部分平均测试(I

一种用于计量的方法包含引导至少一个照明射束照明半导体晶片，在所述半导体晶片上已相继沉积了至少第一经图案化层及第二经图案化层，包含所述第一经图案化层中的第一目标特征及所述第二经图案化层中的重叠在所述第一目标特征上的第二目标特征。在使一或多...

公开一种工艺条件感测设备。所述设备包含衬底及包含一或多个电子组件的电子壳体。所述设备包含经配置以将所述电子壳体机械耦合到所述衬底的浮动连接组合件，所述浮动连接组合件包含腿部及脚部。所述腿部或脚部经布置以减轻一或多个界面之间的热应力。所述...

本公开涉及光学计量的准确度提升。本发明提供提升计量测量的准确度的方法、计量模块及目标设计。方法提供对多个测量处方及设置的灵活处置且使得能够使所述多个测量处方及设置与指示其与谐振区域及平坦区域的关系的图谱特征相关。单独地或以组合方式采用对...

一种计量工具可包含照明子系统以用两个或更多个照明光束照射两个或更多个获取场内的样本，其中所述两个或更多个获取场以非重叠配置沿扫描方向分布，且其中平移台沿所述扫描方向平移所述样本上的计量目标循序通过所述两个或更多个获取场。所述计量工具可进...

提供一种用于多光束阵列系统的光圈阵列及一种选择来自多光束阵列系统的光束的子集的方法。所述光圈阵列包括布置成接近光束源的阵列本体。所述阵列本体包括多个光圈，所述光圈中的至少两者具有不同几何形体。所述阵列本体可经由致动器相对于所述光束源的光...

提供用于确定样品的信息的方法及系统。一种系统包含计算机子系统及由所述计算机子系统执行的一或多个组件。所述一或多个组件包含经配置用于对由成像子系统产生的样品的图像去除噪声的深度学习模型。所述计算机子系统经配置用于从所述去除噪声的图像确定所...

用于半导体缺陷引导预烧及系统级测试(SLT)的系统及方法经配置以：从线内缺陷部分平均测试(I

一种系统包含通信地耦合到光学晶片特征化系统的检测器阵列的处理单元。所述处理单元经配置以执行包含以下步骤的方法或过程的一或多个步骤：从所述检测器阵列获取晶片上的目标位置的一或多个目标图像；将去噪滤波器应用到至少所述一或多个目标图像；从一或...

一种光学计量工具可包含：一或多个照射源，其用以产生既具有短波红外线(SWIR)光谱范围内又具有所述SWIR光谱范围外的波长的照射；照射光学器件，其经配置以将所述照射引导到样本；第一成像通道，其包含经配置以基于包含所述SWIR光谱范围中的...

为了使用微观多点探针测量高电阻率层的电阻面积乘积，所述高电阻率层夹在两个导电层之间。多个电极配置/位置用于执行三个电压或电阻测量。等效电路模型/三层模型用于将所述电阻面积乘积确定为所述三个测量的函数。电阻面积乘积确定为所述三个测量的函数...

本发明涉及一种用于在半导体装置晶片(SDW)的制造期间产生其质量参数值的系统及方法，所述方法包含：指定所述SDW上的多个测量位点集(MSS)，所述MSS中的每一者包含第一测量定向位点(FMS)及第二测量定向位点(SMS)，所述FMS及所...

本发明公开一种用于增强图像质量的系统及方法。所述系统及方法获取经训练用于使一或多个训练图像及一或多个训练设计图像相关的机器学习模型。所述系统及方法接收对应于样本样品的一或多个特征的一或多个样本样品图像。所述系统及方法通过使用所述机器学习...

根据本公开的一或多个实施例，公开一种壳体组合件。所述壳体组合件包含顶部部分。所述壳体组合件进一步包含底部部分。所述顶部部分能经由一或多个耦合装置可拆卸地连接到所述底部部分。所述顶部部分进一步能经由一或多个电子接触件可逆地电耦合到所述底部...

一种叠盖度量系统可包含照明子系统，所述照明子系统用以利用第一照明瓣及与所述第一照明瓣对置的第二照明瓣依序对叠盖目标进行照明，其中所述叠盖目标包含从第一样本层及第二样本层上的周期性结构形成的光栅上覆光栅特征。所述系统可进一步包含用以产生所...

一种检验系统可包含：照明源，其用于产生照明光束；照明光学器件，其用于沿着照明方向以偏轴角将所述照明光束引导到样本；及集光光学器件，其用于在暗场模式中收集来自所述样本的散射光，其中来自所述样本的所述散射光包含与从所述样本的表面散射的光相关...

一种真空系统包含真空室的壁、所述真空室的凸缘、安置于所述壁与所述凸缘之间的外密封件及安置于所述壁与所述凸缘之间的内密封件。所述外密封件包含第一材料；所述内密封件包含不同于所述第一材料的第二材料。所述内密封件比所述外密封件更靠近所述真空室...

一种计量测量设备可包含：一或多个照明源；光束分离器，其经配置以从照明路径接收来自所述一或多个照明源的照明且沿着测量路径引导所述照明；及物镜。所述物镜可将来自所述测量路径的所述照明引导到样本，从所述样本收集光，且沿着所述测量路径将所述经收...

本申请的实施例涉及晶片检验临界区域的产生的方法及系统。本发明揭示一种方法，其包含：接收一或多组晶片数据；从所述一或多组晶片数据中的一或多个层中的一或多个形状识别一或多个基元；将所述一或多个基元中的每一者分类为特定基元类型；识别所述一或多...

本发明涉及在半导体装置中改善重迭效能的结构及方法。在一种例示性方法中，衬底上形成第一层。所述第一层的第一区带中形成第一套迭标记。所述第一层的顶部上形成非透明层。将所述非透明层的至少一部分从所述第一层的所述第一区带上面的区域移除。这提供对...