本发明专利技术涉及一种用于在半导体装置晶片(SDW)的制造期间产生其质量参数值的系统及方法，所述方法包含：指定所述SDW上的多个测量位点集(MSS)，所述MSS中的每一者包含第一测量定向位点(FMS)及第二测量定向位点(SMS)，所述FMS及所述SMS为所述SDW上的不同测量位点；通过在第一测量定向上测量形成于所述MSS中的至少一者的每一所述FMS内的特征来产生第一测量定向质量参数数据集(FMQPD)；通过在第二测量定向上测量形成于所述MSS中的所述至少一者的每一所述SMS内的特征来产生第二测量定向质量参数数据集(SMQPD)；及至少部分基于所述FMQPD及所述SMQPD来产生至少一个工具诱发偏移(TIS)改进的质量参数值(TAQPV)。(TIS)改进的质量参数值(TAQPV)。(TIS)改进的质量参数值(TAQPV)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于半导体装置晶片的改进计量的系统及方法
[0001]相关申请案的交叉引用
[0002]特此参考2021年4月22日申请且标题为通过交替晶片定向及数据建模的工具诱发偏移(TIS)映射及移除(TOOL INDUCED SHIFT(TIS)MAPPING AND REMOVAL BY ALTERNATE WAFER ORIENTATION AND DATA MODELING)的第63/177,966号美国临时专利申请案，所述申请案的公开内容在此以引用的方式并入且特此主张所述申请案的优先权。
[0003]还参考本申请人的以下专利及专利申请案，其与本申请案的目标物有关，其公开内容在此以引用的方式并入：
[0004]标题为用于确定叠加及其使用的设备及方法(APPARATUS AND METHODS FOR DETERMINING OVERLAY AND USES OF SAME)的第7,608,468号美国专利；
[0005]标题为叠加计量及控制方法(OVERLAY METROLOGY AND CONTROL METHOD)的第7,804,994号美国专利；
[0006]标题为用于确定叠加及其使用的设备及方法(APPARATUS AND METHODS FOR DETERMINING OVERLAY AND USES OF SAME)的第7,876,438号美国专利；
[0007]标题为具有组合的XRF及SAXS能力的计量工具(METROLOGY TOOL WITH COMBINED XRF AND SAXS CAPABILITIES)的第9,778,213号美国专利；
[0008]标题为多层叠加计量目标及互补叠加计量测量系统(MULTI
‑
LAYER OVERLAY METROLOGY TARGET AND COMPLIMENTARY OVERLAY METROLOGY MEASUREMENT SYSTEMS)的第9,927,718号美国专利；
[0009]标题为复合成像计量目标(COMPOUND IMAGING METROLOGY TARGETS)的第10,527,951号美国专利；
[0010]标题为使用散射测量检测叠加误差的设备及方法(APPARATUS AND METHODS FOR DETECTING OVERLAY ERRORS USING SCATTEROMETRY)的第1,570,232号欧洲专利；
[0011]2019年3月25日申请且标题为用于压平弯曲半导体晶片的真空压紧设备(VACUUM HOLD
‑
DOWN APPARATUS FOR FLATTENING BOWED SEMICONDUCTOR WAFERS)的第PCT/US2019/023918号PCT申请案；
[0012]2019年6月4日申请且标题为使用组合的光学及电子束技术的误配准测量(MISREGISTRATION MEASUREMENTS USING COMBINED OPTICAL AND ELECTRON BEAM TECHNOLOGY)的第PCT/US2019/035282号PCT申请案；及
[0013]2019年9月16日申请且标题为周期性半导体装置误配准计量系统及方法(PERIODIC SEMICONDUCTOR DEVICE MISREGISTRATION METROLOGY SYSTEM AND METHOD)的第PCT/US2019/051209号PCT申请案。
[0014]本公开大体上涉及在半导体装置的制造中的质量度量的测量。
技术介绍
[0015]已知用于半导体装置的制造中的质量度量的测量的各种方法及系统。
技术实现思路
[0016]本公开寻求提供用于半导体装置的制造中的质量度量的测量的改进方法及系统。
[0017]因此，根据本公开的实施例，提供一种用于在半导体装置晶片(SDW)的制造期间产生其质量参数值的方法，所述方法包含：指定所述SDW上的多个测量位点集(MSS)，所述MSS中的每一者包含第一测量定向位点(FMS)及第二测量定向位点(SMS)，所述FMS及所述SMS为所述SDW上的不同测量位点；通过在第一测量定向上测量形成于所述MSS中的至少一者的每一所述FMS内的特征来产生第一测量定向质量参数数据集(FMQPD)；通过在第二测量定向上测量形成于所述MSS中的所述至少一者的每一所述SMS内的特征来产生第二测量定向质量参数数据集(SMQPD)；及至少部分基于所述FMQPD及所述SMQPD来产生至少一个工具诱发偏移(TIS)改进的质量参数值(TAQPV)。
[0018]根据本公开的实施例，所述第一测量定向及所述第二测量定向各自包含在大体上平行于所述SDW的上表面的平面内的旋转定向。所述第一测量定向可体现为大体上平行于所述SDW的上表面的平面内的0
°
的旋转定向，且所述第二测量定向是体现为大体上平行于所述SDW的所述上表面的所述平面内的180
°
的旋转定向。
[0019]在本公开的实施例中，所述质量参数是在形成于所述SDW上的至少第一层与形成于所述SDW上的第二层之间的误配准。此外或替代性地，所述质量参数是所述特征中的至少一者的尺寸。此外或替代性地，所述质量参数是所述特征之间的至少一个空间的尺寸。
[0020]根据本公开的实施例，所述至少一个TAQPV中的每一者是与所述FMS或SMS中的一者相关联。替代性地，根据本公开的实施例，所述至少一个TAQPV中的每一者与所述MSS中的一者相关联。替代性地，根据本公开的实施例，所述至少一个TAQPV中的每一者与一群组的所述MSS相关联。
[0021]在本公开的实施例中，所述TAQPV是用于调整所述SDW的所述制造的至少一个参数。
[0022]可形成于所述MSS中的所述至少一者的每一所述FMS内的所述特征旨在与形成于所述MSS中的所述至少一者的每一所述SMS内的所述特征相同。
[0023]根据本公开的实施例，形成于所述FMS内的所述特征包含误配准目标且形成于所述SMS内的所述特征包含误配准目标。此外或替代性地，根据本公开的实施例，形成于所述FMS内的所述特征包含功能性半导体装置且形成于所述SMS内的所述特征包含功能性半导体装置。
[0024]所述至少一个TAQPV的所述产生可包含将所述FMQPD及所述SMQPD拟合到模型。
[0025]根据本公开的另一实施例，还提供一种用于产生半导体装置晶片(SDW)的质量参数值的系统，所述系统包含：测量位点集指定器(MSSD)，其可操作以指定所述SDW上的多个测量位点集(MSS)，所述MSS中的每一者包含第一测量定向位点(FMS)及第二定向测量位点(SMS)，所述FMS及所述SMS为所述SDW上的不同测量位点；计量工具，其可操作以在第一测量定向上测量形成于所述MSS中的每一者的每一所述FMS内的特征，从而产生第一测量定向本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在半导体装置晶片(SDW)的制造期间产生其质量参数值的方法，所述方法包括：指定所述SDW上的多个测量位点集(MSS)，所述MSS中的每一者包括第一测量定向位点(FMS)及第二测量定向位点(SMS)，所述FMS及所述SMS为所述SDW上的不同测量位点；通过在第一测量定向上测量形成于所述MSS中的至少一者的每一所述FMS内的特征来产生第一测量定向质量参数数据集(FMQPD)；通过在第二测量定向上测量形成于所述MSS中的所述至少一者的每一所述SMS内的特征来产生第二测量定向质量参数数据集(SMQPD)；及至少部分基于所述FMQPD及所述SMQPD来产生至少一个工具诱发偏移(TIS)改进的质量参数值(TAQPV)。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一测量定向及所述第二测量定向各自包括在大体上平行于所述SDW的上表面的平面内的旋转定向。3.根据权利要求1所述的方法，其中：所述第一测量定向包括在大体上平行于所述SDW的上表面的平面内的0
°
的旋转定向；且所述第二测量定向包括在大体上平行于所述SDW的所述上表面的所述平面内的180
°
的旋转定向。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述质量参数是在形成于所述SDW上的至少第一层与形成于所述SDW上的第二层之间的误配准。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述质量参数是所述特征中的至少一者的尺寸。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述质量参数是所述特征之间的至少一个空间的尺寸。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个TAQPV中的每一者与所述FMS或所述SMS中的一者相关联。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个TAQPV中的每一者与所述MSS中的一者相关联。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个TAQPV中的每一者与一群组的所述MSS相关联。10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括使用所述TAQPV来调整所述SDW的所述制造的至少一个参数。11.根据权利要求1所述的方法，其中形成于所述MSS中的所述至少一者的每一所述FMS内的所述特征旨在与形成于所述MSS中的所述至少一者的每一所述SMS内的所述特征相同。12.根据权利要求1所述的方法，其中形成于所述FMS内的所述特征包括误配准目标且形成于所述SMS内的所述特征包括误配准目标。13.根据权利要求1所述的方法，其中形成于所述FMS内的所述特征包括功能性半导体装置且形成于所述SMS内的所述特征包括功能性半导体装置。14.根据权利要求1所述的方法，其中所述产生...
【专利技术属性】
技术研发人员：L，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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