本实用新型公开了一种基于IGBT的直流充电机装置，该装置包括主回路、控制回路、驱动电路和故障检测电路，所述主回路包括交流输入系统，所述交流输入系统连接有EMI滤波电路，所述EMI滤波电路连接有整流桥电路，所述整流桥电路连接有前级三相无源...

本实用新型公开了一种大功率半导体激光治疗装置，包括半导体激光器与主控CPU，所述半导体激光器一侧连接有光学透镜组，所述光学透镜组一侧设置有发射光纤，所述半导体激光器另一侧连接有蓄电池，所述主控CPU连接有D/A转换模块，所述D/A转换模...

本实用新型公开了一种板上芯片集成封装的发光二极管结构，包括基板和LED芯片，所述基板正中央设有芯片槽，所述LED芯片安装于芯片槽上，所述芯片槽为圆形，且其边缘连接有反光杯，所述反光杯为倒圆台形状，所述反光杯连接有环氧树脂外罩，所述环氧树...

本实用新型公开了一种基于大功率半导体器件的LED显示屏，包括侧光板，所述侧光板包括反射板和扩散板，所述侧光板上方设有双层偏光板，所述双层偏光板上方设有像素电极，所述像素电极一侧连接有薄膜晶体管，所述像素电极顶部连接有若干个液晶，所述液晶...

本实用新型公开了一种带散热大功率半导体器件，包括引线框架与散热片主体，所述散热片主体连接着引线框架，所述引线框架内设置有基板，所述基板顶部设置有高密度陶瓷板，所述高密度陶瓷板顶部设置有装载板，所述装载板顶部设置有半导体芯板，所述半导体芯...

本实用新型公开了一种基于IGBT的无功补偿装置相移控制系统，包括交流输入系统和交流侧输入电压源，交流输入系统连接有压控振荡器，所述压控振荡器连接有计时器，计时器连接有EPROM三相PWM控制器，所述EPROM三相PWM控制器连接有IGB...

本实用新型公开了一种发光二极管装置，包括聚光板、发光二极管芯片与基板，所述基板上设置有凸块，所述凸块上端设置有绝缘层，所述绝缘层上端设置有导电层，所述发光二极管芯片设置在导电层顶部，所述基板两端设置着聚光板，所述聚光板横截面为三角形结构...

本实用新型公开了一种新型半导体激光器，包括底板，所述底板顶部连接有管壳，所述管壳内设有减震片，所述减震片顶部连接有激光电焊层，所述激光电焊层顶部连接有TEC制冷器，所述TEC制冷器顶部直接连接有导热垫层，所述导热垫层顶部连接有热沉，所述...

本实用新型公开了一种激光二极管温度控制系统，包括激光二极管和单片机控制系统，所述单片机控制系统由A/D转换模块、数字PID控制器和脉宽调制模块组成，所述数字PID控制器与脉宽调制模块相连，所述A/D转换模块与数字PID控制器相连，激光二...

本实用新型公开了一种基于IGBT的直流电力系统限流装置的桥式电路结构，包括直流电源、二极管桥式电路和IGBT电路，所述直流电源的正极连接有电感，所述电感通过开关连接有检测电路，所述检测电路连接有驱动电路，所述检测电路和二极管桥式电路相连...