本发明公开了一种精度定位贴片装置，包括手动贴片机和安装在所述手动贴片机上方的管壳，所述管壳上设置有用于安装芯片的腔体，所述腔体内设置有与其尺寸相对应的直角形的主定位夹具。本发明解决了现有技术中晶体管器件的设计中芯片定位不准确的问题，通过...

本发明公开了一种提高双极型晶体管BVcbo的生产工艺。本发明通过将沟槽场氧化隔离工艺技术与结终端工艺技术结合起来，首先在通过干法刻蚀工艺技术形成沟槽之后、在沟槽的场氧化进行之前，加一步离子注入工艺将P-型元素硼（B）离子预反掺杂到沟槽场...

本发明公开了一种用于GaN?HEMT微波功率器件的脉冲直流测试系统和测试方法，通过矢量网络分析仪测试GaN?HEMT微波功率器件的S参量或通过半导体分析仪测试GaN?HEMT微波功率器件脉冲直流特性，分析仪的两个输出端分别通过一偏置器B...

本发明公开了一种键合线弧高测试夹具，包括夹具主体，所述夹具主体的上表面设置有倒L型凹槽，所述倒L型凹槽的长斜面与短斜面之间相互垂直。本发明还公开了利用该夹具的测试方法。通过将待测试的管壳放置在一定倾斜角度的夹具上，可借助显微镜测量键合线...

本发明公开了一种射频微波功率器件用散热系统，其包括主散热系统和副散热系统，其特征在于：所述主散热系统两侧均可拆卸地设置有副散热系统。本发明的散热系统具有可拆卸的结构和良好的散热性能，可以很好地解决晶体管器件在测试过程中的发热问题，且结构...

本发明公开了一种提高了BVcbo（集电极-基极击穿电压）的双极型晶体管及其生产工艺，通过将沟槽场氧化隔离工艺技术与结终端工艺技术结合起来，并且将沟槽的场氧化过程分成两步，结终端硼离子注入安排在两步场氧化之间进行，不但可以得到合理的结终端...