本发明公开了一种控制锅盖的厨房监控系统，其包括图像采集模块、无线通信模块、锅盖连接装置和智能终端，无线通信模块分别与图像采集模块、锅盖连接装置及智能终端连接。本发明通过实时采集锅炉的状态图像数据，通过无线通信模块发送至智能终端，实现对厨...

本发明公开一种不规则区域中的网络拓扑结构可视化方法，针对目前的不规则区域内的拓扑结构布局，缺少有效解决方案的问题，本发明首先根据不规则区域的几何特征将区域分为若干部分，然后在每个部分中根据力导引的思想建立受力模型，在限制条件下进行多次迭...

一种锁相环的暂停和恢复方法，属于电子电路技术领域。锁相环启动完成并锁定后，通过断开环路滤波器与鉴相器和压控振荡器的连接，将环路滤波器的输出电压保持在环路滤波器内的电容上；随后将压控振荡器的输入端信号拉低至地电平，关闭压控振荡器，使得锁相...

本发明公开一种8路并行2Gsps数字混频器，应用于数字通信领域，本发明通过将DDFS产生的250MHz以内本振信号和系统时钟整250MHz整数倍本振信号经过两级变频，使得混频范围扩展到‑1GHz～1GHz；同时本发明的DDFS模块的SF...

本发明公开了一种双耦合双混频中频信号功率反馈电路，属于射频微波电路技术领域。本发明所述电路包括第一耦合器、第二耦合器、第一混频器、第二混频器、第一幅度控制单元、第二幅度控制单元、压控温补晶振、数字步进衰减器、低通滤波器。射频信号通过第一...

本发明提供了一种可产生直流电的超材料/热电材料复合结构，属于人工电磁超材料领域。所述复合结构包括至少一个呈矩阵排列的超材料结构单元，每个超材料结构单元包括基板、位于基板之上的人工超材料微结构、以及完全覆盖人工超材料微结构的电场增强区域的...

一种基于双信号路径的数字比例‑积分‑微分补偿电路，属于集成电路技术领域。包括微分模块、第一积分模块、第二积分模块和第一加法器，第一积分模块的输入端连接微分模块的输入端并作为数字比例‑积分‑微分补偿电路的输入端，其输出端连接第一加法器的第...

本发明提供的一种功率可调的无线充电装置，属于无线充电领域。该无线充电装置包括信号源端、单片机主控模块、电感控制开关、电容控制开关、类型选择开关、电感网络、电容网络、A选择端、B选择端、信号发射端、状态采样单元、AD转换单元和接收端。本发...

本发明提出了一种高带宽与时延标签隐藏的混沌激光产生方法和系统。在传统的外腔半导体激光器的反馈腔中，依次加入相位调制模块和延时光纤干涉仪。将输出的混沌激光经过光电转换和放大后作为相位调制器的射频输入，形成自混沌相位调制结构。本发明的有益效...

本发明一种基于染料掺杂聚合物薄膜的光纤微激光器及其制作方法，属于激光器技术领域。其重要组成部分内壁涂覆染料掺杂聚合物的空心光纤制作流程如下：剥除空心光纤的涂覆层、配制混合溶液、将混合溶液吸入空心光纤和蒸发沉积。其使用方法如下：将镀膜光纤...

本发明公开了一种基于未建模动态补偿的固体氧化物燃料电池控制方法，先搭建基于未建模动态估计的固体氧化物燃料电池模型，再构建基于未建模动态补偿的非线性控制器，以迫使SOFC系统跟踪所需的电堆温度和电压，从而控制固体氧化物燃料电池；这样解决了...

本发明提供了一种锂合金带材及其制备方法。该锂合金带材包括混合均匀的金属锂单质和微纳米结构的过渡金属单质；其制备方法为：(1)在露点不高于‑50℃、氧含量不高于10ppm的环境中，将金属锂加热至熔融状态；(2)将过渡金属加入熔融状态的金属...

有机发光二极管及其制备方法，属于电子材料领域，本发明的发光二极管发光层材料含有下述材料：

本发明提供的基于平面工艺的GaAs基三维霍尔传感器，包括从下至上依次设置的衬底、缓冲过渡层和第一有源层，所述第一有源层用于平行于衬底方向磁场的传感，所述衬底的材料采用半绝缘GaAs，所述缓冲过渡层的材料采用P型重掺杂GaAs,所述第一有...

本发明公开一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池结构及其制备方法。本发明提出的钙钛矿太阳能电池的结构从上至下包括导电玻璃、光阳极层、电子传输层、钙钛矿吸光层、光活化层、电极层，其中，光活化层材料为过渡金属硫化物MoS2、黑磷、CsCu5Se3等...

本发明提供一种具有良好第三象限性能的SiC MOSFET器件，包括：N型衬底、N型外延层、P‑body区、N型积累层、N+接触区、氧化层、侧栅、金属电极、漏极，本发明提出的SiC MOSFET器件可以提升SiC MOSFET第三象限性能...

本发明提供一种槽底肖特基接触SiC MOSFET器件，包括：N型衬底、N型外延层、P‑body区、P+接触区、N+接触区、氧化层、栅极、肖特基接触电极、P‑shield区、源极、漏极，本发明可以提升SiC MOSFET第三象限性能，实现...

本发明提供一种基于Trench工艺的超结型双向阻断MOS器件及制备方法，包括从下至上依次层叠设置的P型衬底、P型外延层和N型漂移区；N型漂移区上层左边具有漏端第一凹槽、中间具有栅极凹槽和右边具有漏端第二凹槽；该结构对漏端第一凹槽，漏端第...

本发明涉及半导体器件技术，本发明的目的是克服目前TFET器件在提升开态电流时会造成如关态泄漏电流随之增加的缺陷或导致器件频率特性衰退的问题，提供了一种带栅场板结构的纵向隧穿场效应晶体管，其技术方案可概括为：在现有纵向隧穿场效应晶体管基础...

一种印制电路薄膜电感元件及其制备方法，属于集成电感技术领域。本发明通过改进磁芯结构，设计分立的薄膜磁芯作为磁性单元在绝缘基板上整齐排列形成阵列型磁芯层，在通电状态下，电流流经该电感结构的导电线路时，将更多的磁场能量束缚在微电感系统中，增...