本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶舟及炉管装置。所述晶舟，包括顶板、底板以及位于所述顶板与所述底板之间的若干支柱，所述支柱中设置有用于支撑晶圆的晶圆槽；所述晶圆槽的槽壁设置有沿自所述底板指向所述顶板方向突出的凸起部，所述凸...

本实用新型提供的晶圆清洗装置，包括卡盘；所述卡盘包括同轴设置的第一盘体以及位于所述第一盘体表面的第二盘体；所述第一盘体的直径大于所述第二盘体，以在所述第一盘体与所述第二盘体之间形成一阶梯；所述第二盘体用于承载晶圆，且所述第二盘体的直径小...

本实用新型涉及一种用于改善晶圆边缘区域的边缘环和等离子体刻蚀装置，所述边缘环为环状，用于固定于静电吸盘的边缘；所述边缘环安装于静电吸盘上时，朝向所述静电吸盘内侧的侧壁垂直于所述静电吸盘表面。所述边缘环能够减少对等离子体的反射作用，避免加...

本公开涉及一种堆叠式图像传感器，包括：逻辑器件层，在该逻辑器件层中具有信号处理电路；位于逻辑器件层上的金属连线层；位于金属连线层上的像素衬底，像素衬底中的像素通过金属连线层电连接到逻辑器件层中的信号处理电路，其中，像素衬底的半导体材料的...

本实用新型涉及一种晶圆清洗装置，包括：卡盘，用于放置晶圆；两个以上的卡销，安装于卡盘上的晶圆位置边缘，用于固定晶圆位置；引流套，套于所述卡销表面。所述晶圆清洗装置能够提升晶圆的良率，延长机台保养周期。

本发明提供了一种背照式图像传感器，包括有源层，所述有源层设置有：光电二极管；深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构设置于所述光电二极管之间，该深沟槽隔离结构被配置为从所述有源层的背面起始，向所述有源层的正面延伸；所述深沟槽隔离结构包括第一深...

本公开涉及一种形成图像传感器的方法，包括：在半导体衬底中于光电二极管周围形成沟槽；在所述沟槽中形成覆盖所述沟槽的侧壁和底壁中的至少一个的至少部分的覆盖层，所述覆盖层具有P型掺杂剂，并且所述覆盖层中的P型掺杂剂的浓度高于位于所述覆盖层周围...

本公开涉及背照式图像传感器及其制造方法。本公开提供了背照式CMOS图像传感器，包括：衬底，具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；第一导电区，填充在从第一表面向内凹陷形成的第一开口中；源极跟随晶体管，设置在第一表面的远离第二表面的一侧...

本公开涉及图像传感器、电子装置及其制造方法。在一个实施例中，本公开涉及一种图像传感器的衬底，所述衬底包括第一衬底；以及第二衬底；其中所述第一衬底具有凹槽，所述第二衬底形成在所述第一衬底的所述凹槽中，所述第二衬底的带隙较所述第一衬底更宽。

本实用新型提供了一种刻蚀设备，所述刻蚀设备包括主腔室，用于提供刻蚀工艺环境；等离子体输出端，用于向所述主腔室输出等离子体，所述等离子体包括带电离子和自由基；工作台，用于承载基底，所述工作台位于所述主腔室内；副腔室，所述副腔室位于所述主腔...

本实用新型涉及一种液位侦测装置，包括：侦测容器，侦测容器的底部设置有第一连接端，第一连接端用于与被侦测容器连通并使被侦测容器中的液面与侦测容器的液面齐平；漂浮件，漂浮件位于所述侦测容器内，包括浮子和导电杆，导电杆固定连接于所述浮子远离所...

一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，光学邻近修正方法包括：提供初始光刻掩膜图形，初始光刻掩膜图形包括若干主图形；基于静电易发生判断规则，从若干主图形中获取主图形组，主图形组包括相邻的至少两个主图形；在主图形组中相邻的主图形之间设置辅...

本发明提供一种超声波扫描装置及扫描方法，扫描方法包括：以待测晶圆半径为探头移动路径，并根据像素大小获取均次移动距离；根据待测晶圆半径和均次移动距离获取总扫描圈数；以待测晶圆圆心为原点、以均次移动距离为移动间距，超声波探头沿探头移动路径由...

一种晶圆的电镀装置及其电镀方法，所述电镀装置包括：电镀容器，所述电镀容器用于容纳电镀液；晶圆基座，所述晶圆基座设置于所述电镀容器内，所述晶圆基座用于固定晶圆，被固定的晶圆的表面浸入所述电镀液；阳极电极，所述阳极电极位于所述电镀容器且浸入...

本发明公开了一种CMOS图像传感器、像素单元及其驱动方法，所述像素单元包括光电二极管和存储节点，还包括第一开关单元、存储电容以及第二开关单元；所述第一开关单元的一端连接所述光电二极管的阴极，所述第一开关单元的另一端连接所述第二开关单元的...

一种图像传感器及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，所述基底包括第一面、以及与第一面相对的第二面；对基底第一面进行多次第一离子注入，在所述基底内形成若干分立的第一离子层，所述第一离子层包括第三面、以及与第三面相对的第四面，所述第三面...

一种图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：衬底，衬底包括第一像素区和第二像素区；位于第一像素区衬底表面用于通过单色光的第一滤光层；位于第二像素区衬底表面的用于透过自然光的第二滤光层；位于第一像素区的第一抗反射结构，第一抗反射结构包括第...

本公开涉及图像传感器及其制造方法。图像传感器包括：衬底，包括感光单元阵列；在衬底之上的滤色器层，包括滤色器阵列和将滤色器阵列中的滤色器分隔开的滤色器隔离CFI结构，其中滤色器阵列包括在感光单元阵列中的多个感光单元上方对应地设置的多个滤色...

一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有逻辑器件；金属互连层，位于所述半导体衬底的表面，所述金属互连层内具有金属互连结构；多个光电转换块，位于所述金属互连层的表面，每个光电转换块包括堆叠的至少三...

本公开涉及半导体装置及其制造方法。制造方法包括：提供包括多个辐射感测区的衬底；在衬底上形成包括多个中间介电部和将相邻的中间介电部隔开的第一金属栅格的第一中间层，每个中间介电部与多个辐射感测区中的至少一个对应；在第一中间层上形成第二中间层...