一种平面雪崩光电二极管，包括：第一半导体层、倍增层、电荷控制层、第二半导体层、梯度吸收层、阻挡层以及第二接触层。倍增层位于电荷控制层和第一半导体层之间。电荷控制层位于第二半导体层和倍增层之间。第二半导体层位于电荷控制层和梯度吸收层之间。...

一种用于发射和接收电磁辐射的系统，包括射束分离器和收发器。所述射束分离器被配置为将光学脉冲分成泵浦脉冲和探测脉冲。所述收发器可以包括发射器开关和接收器开关。所述泵浦脉冲被引向发射器开关，并且所述探测脉冲被引向接收器开关。当所述泵浦脉冲撞...

用于使用太赫兹辐射确定片状电介质样本的至少一种性质的系统包括被配置来输出太赫兹辐射脉冲的至少一个太赫兹发射机，被配置来接收太赫兹辐射脉冲的至少一部分的太赫兹接收机，其中太赫兹接收机被配置来基于由太赫兹接收机接收的太赫兹辐射输出测量的波形...

本发明涉及测量时域数据中脉冲的渡越时间位置的系统和方法。本发明公开了一种根据提高的精度测量时域数据中脉冲的渡越时间位置的系统和方法。示例性数据集是时域太赫(TD-THz)数据中脉冲的渡越时间。脉冲时间的精度直接影响确定的样本性质测量(例...

用于解译太赫兹辐射的系统包括配置为输出太赫兹辐射的脉冲的太赫兹发射器以及配置为从太赫兹发射器接收辐射脉冲的至少一部分的太赫兹接收器。太赫兹接收器配置为基于由太赫兹接收器接收的辐射输出信号。

用于检测隐藏在人身上的异常的系统和方法可以包括具有电磁发送器和电磁接收器的检测探针。电磁发送器被配置为发射电磁脉冲，而电磁接收器被配置为在波形窗口中以规定的次数采样来自电磁接收器的电磁脉冲。电磁脉冲可以跨越0.04至4THz的太赫兹光谱...

一种雪崩光电二极管，包括：第一半导体层、倍增层、电荷控制层、第二半导体层、梯度吸收层、阻挡层以及第二接触层。倍增层位于电荷控制层和第一半导体层之间。电荷控制层位于第二半导体层和倍增层之间。第二半导体层位于电荷控制层和梯度吸收层之间。梯度...

本发明涉及一种减少光纤耦合时域太赫系统中的光纤拉伸诱导定时误差的系统和方法。用于减少与光纤的拉伸相关的影响的系统包括：光学控制源，光学源输出光信号；光学地耦合到光学源的太赫发射器和接收器；以及用于将光信号提供给太赫发射器和太赫接收器两者...

一种用于确定第一层与第二层之间的界面处的材料性质的系统包括：将电磁辐射输出到样品的发送器、接收被样品反射或透射通过样品的电磁辐射的接收器、以及数据获取装置。数据获取装置被配置为：对被样品反射或透射通过样品的电磁辐射进行数字化，以产生波形...

用于减少与光纤的拉伸相关的影响的系统包括：光学控制源，光学源输出光信号；光学地耦合到光学源的太赫发射器和接收器；以及用于将光信号提供给太赫发射器和太赫接收器两者从而通过光信号使太赫接收器与太赫发射器同步的装置。该装置防止承载提供给太赫接...

一种用于在太赫兹系统中的色散补偿的系统包括：光纤，其被配置成发送光脉冲；补偿器，其光耦合到所述光纤，所述补偿器被配置成补偿当所述光脉冲传播通过所述光纤时产生的光脉冲的色散；和光耦合到所述补偿器的光感生太赫兹器件，由此所述光感生太赫兹器件...

本发明公开了一种根据提高的精度测量时域数据中脉冲的渡越时间位置的系统和方法。示例性数据集是时域太赫（ＴＤ－ＴＨｚ）数据中脉冲的渡越时间。脉冲时间的精度直接影响确定的样本性质测量（例如，厚度）的精度。另外，内部校准标准具结构和算法方法提供...

一种ＰＩＮ光电检测器包括：第一半导体接触层，面积大于第一半导体接触层的半导体吸收层，位于第一半导体接触层与半导体吸收层之间的半导体钝化层，和第二半导体接触层。半导体吸收层和半导体钝化层被定位于第一与第二半导体接触层之间。

一种平面型雪崩光电二极管，包括装置上部的小的局部接触层、和定义下部接触区的半导体层，该局部接触层或者由扩散工艺或者由蚀刻工艺制造。半导体倍增层位于该两接触区之间，而半导体吸收层位于倍增层和上部接触层之间。该光电二极管在半导体倍增层和吸收...

一种半导体结构，包括：ＧａＡｓ或ＩｎＰ衬底；生长于衬底上的Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ａｓ外延层，其中ｘ大于０．０１小于０．５３；在Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ａｓ外延层上生长的作为罩层的更宽能带隙的外延层。

一种光学延迟线装置包括可旋转的轮和绕所述轮的圆周安装的一个或多个棱镜。所述一个或多个棱镜定位成随着所述轮的旋转而回射近似相切地通向所述轮的光束，以使所述光束产生延迟或相移。

本发明涉及一种用于检测物品例如包裹、行李或衣服中的爆炸物或化学武器的系统，包括：一个或多个兆兆赫模块。每个模块或者产生或者接收或者产生和接收兆兆赫辐射。一些兆兆赫辐射从物品上被反射，其余的兆兆赫辐射通过物品被透射。处理器分析反射和透射的...