【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及太赫产生系统,更具体地说,涉及具有泵浦探测配置的太赫产生系统。
技术介绍
时域太赫产生系统利用太赫产生和接收器装置,这些装置由亚300飞秒持续时间的激光脉冲触发和供电。太赫装置用0. 020到大于10太赫范围内的傅里叶变换处理光谱内容产生和/或检测电磁脉冲或脉冲序列。最通常,这些太赫电磁脉冲是0. 050到4太赫范围内的近单循环亚皮秒瞬变。有几种在泵浦探测配置中使用的普通太赫发射器和接收器装置。这些装置包括非线性电光晶体(诸如ZnTe、GaP等)和光电导半导体装置(在GaAs、InGaAs和其它超高速半导体上制造的“AustonSwitches”)。这些装置中的主要区别是泵浦探测设备中的光学驱动器的中心波长(例如,GaAs在大约800nm, InGaAs在1000和1600nm之间)。出于示例性的目的,将描述光电导装置。在光电导太赫发射器中,由飞秒激光脉冲照射偏置光电导开关间隙。产生载流子并且电流流经偏置间隙,随着激发激光脉冲的时间分布快速地上升,并随着载流子的复合快速地下降。通过麦克斯韦尔方程,该随时间变化的电流产生太赫脉冲。产生的太赫脉冲电磁 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:D·奇姆达斯,
申请(专利权)人:派克米瑞斯有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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