半导体装置制造方法及图纸

一种包括具有相同极性晶体管的半导体装置功耗低且能够防止输出的电位的幅度变小。该半导体装置，包括：具有第一电位的第一布线；具有第二电位的第二布线；具有第三电位的第三布线；具有相同极性的第一晶体管及第二晶体管；以及用来选择是对第一晶体管及第二晶体管的栅极供应第一电位还是对第一晶体管及第二晶体管的栅极供应第三电位以及用来选择是否对第一晶体管及第二晶体管的漏极端子供应一个电位的多个第三晶体管。第一晶体管的源极端子与第二布线连接，并且第二晶体管的源极端子与第三布线连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小山润，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
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