一种集成于片上系统的CMOS 射频功率放大器技术方案

技术编号:9992713 阅读:88 留言:0更新日期:2014-05-02 10:02
本发明专利技术提供一种集成于片上系统的CMOS射频功率放大器,所述功率放大器集成于片上系统SOC中,实现输出信号功率放大的功能;所述功率放大器包括偏置电路、第一级放大电路、第二级放大电路及输出匹配电路。本发明专利技术的功率放大器采用CMOS工艺实现,很好地集成到SOC芯片中,因此能够单芯片实现功率控制和脉宽调制(PWM);与以往分立元件或者III-V族化合物半导体实现的功率放大器相比,本发明专利技术的功率放大器具有双重功率可调,不需要单独的外部控制芯片,大大节省了应用系统的成本,更方便了系统的调试;并且本发明专利技术的功率放大器具有多频段输出功率可调,可以广泛运用在从10MHz到1GHz范围内的多种应用中。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄志忠卫秦啸苏杰
申请(专利权)人:芯原微电子上海有限公司芯原微电子北京有限公司芯原微电子成都有限公司芯原股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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