本实用新型专利技术公开了一种应用于U盘端口的保护电路，它包括接口电路，所述的接口电路上连接有保护电路，所述的保护电路包括三极管，所述的三极管的集电极通过电阻R1连接在接口电路上，所述的三极管的基极和发射极之间连接有电阻R2，所述的三极管的集电极连接在二极管D2的阳极上，所述的二极管的阴极与三极管的发射极相连；所述的三极管的基极连接在二极管D1的阴极上，所述的二极管D1的阳极与接口电路相连，所述的三极管的发射极上连接有过压保护电路。其优点是：在U盘的接口电路上连接有保护电路，对U盘进行过流和过压保护，避免电压过大或电流过大对U盘内部的电子元件造成破坏，提高资料存储的安全性。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种应用于U盘端口的保护电路，它包括接口电路，所述的接口电路上连接有保护电路，所述的保护电路包括三极管，所述的三极管的集电极通过电阻R1连接在接口电路上，所述的三极管的基极和发射极之间连接有电阻R2，所述的三极管的集电极连接在二极管D2的阳极上，所述的二极管的阴极与三极管的发射极相连；所述的三极管的基极连接在二极管D1的阴极上，所述的二极管D1的阳极与接口电路相连，所述的三极管的发射极上连接有过压保护电路。其优点是：在U盘的接口电路上连接有保护电路，对U盘进行过流和过压保护，避免电压过大或电流过大对U盘内部的电子元件造成破坏，提高资料存储的安全性。【专利说明】应用于U盘端口的保护电路
本技术涉及U盘端口的保护领域，更具体的说是涉及一种应用于U盘端口的保护电路。
技术介绍
U盘是一种使用USB接口的无需物理驱动器的微型高容量移动存储产品，通过USB接口直接与电脑相连，即插即用。由于它有高容量，便携，即插即用等优点，其使用十分普遍。人们使用U盘存储文件，在使用过程中，U盘的安全性十分重要。U盘内部包括主控芯片、电阻FLASH芯片等电子元件，在插拔的过程中很容易遭受破坏。
技术实现思路
本技术提供一种应用于U盘端口的保护电路，其在U盘的接口电路上连接有保护电路，对U盘进行过流和过压保护，避免电压过大或电流过大对U盘内部的电子元件造成破坏，提高资料存储的安全性。为解决上述的技术问题，本技术采用以下技术方案:应用于U盘端口的保护电路，它包括接口电路，所述的接口电路上连接有保护电路，所述的保护电路包括三极管，所述的三极管的集电极通过电阻Rl连接在接口电路上，所述的三极管的基极和发射极之间连接有电阻R2，所述的三极管的集电极连接在二极管D2的阳极上，所述的二极管的阴极与三极管的发射极相连；所述的三极管的基极连接在二极管Dl的阴极上，所述的二极管Dl的阳极与接口电路相连，所述的三极管的发射极上连接有过压保护电路。更进一步的技术方案是:作为优选，所述的过压保护电路包括二极管D3和可控硅VS，所述的三极管的发射极上通过电阻R3与内部电路相连，所述的三极管的发射极连接在二极管D3的阴极上，所述的二极管D3的阳极与可控硅VS的阴极之间连接有电阻R5，所述的可控硅VS的控制级通过电阻R4连接在二极管D3的阳极上，所述的可控硅VS的阳极连接在内部电路上。进一步的，所述的电阻R2、电阻R3、电阻R5均为多晶硅电阻。与现有技术相比，本技术的有益效果是:本技术的三极管及其外围电路其限流作用，避免电流过大对U盘内部电路造成破坏，二极管和可控硅及外围电路起限压作用，避免电压过大对U盘内部电路造成破坏，该电路连接在U盘的接口电路上，使得其具有过流和过压保护功能，对U盘内部的资料安全进行保护。【专利附图】【附图说明】下面结合附图和【具体实施方式】对本技术作进一步详细说明。图1为本技术的保护电路的电路原理图。【具体实施方式】下面结合附图对本技术作进一步的说明。本技术的实施方式包括但不限于下列实施例。如图1所示的应用于U盘端口的保护电路，它包括接口电路，所述的接口电路上连接有保护电路，所述的保护电路包括三极管，所述的三极管的集电极通过电阻Rl连接在接口电路上，所述的三极管的基极和发射极之间连接有电阻R2，所述的三极管的集电极连接在二极管D2的阳极上，所述的二极管的阴极与三极管的发射极相连；所述的三极管的基极连接在二极管Dl的阴极上，所述的二极管Dl的阳极与接口电路相连，所述的三极管的发射极上连接有过压保护电路。在本技术中，三极管及其外围电路构成过压保护电路，电阻R2起过流检测作用，使得电阻R2两端的电压，即允许流过电阻R2的最大电流和电阻R2的乘积为三极管基极和发射极之间的电压，二极管Dl始终处于导通状态，当电流大于最大电流时，三极管基极和发射极之间的电压大于导通值，三极管饱和导通，三极管发射极和集电极之间的电压下降，使二极管Dl截止，从而起到过流保护作用。在三极管的发射极上连接过压保护电路，使得该电路即起到过流保护作用又具有过压保护作用，对U盘内部的电子元件进行保护，以增强U盘的安全性。所述的过压保护电路包括二极管D3和可控硅VS，所述的三极管的发射极上通过电阻R3与内部电路相连，所述的三极管的发射极连接在二极管D3的阴极上，所述的二极管D3的阳极与可控硅VS的阴极之间连接有电阻R5，所述的可控硅VS的控制级通过电阻R4连接在二极管D3的阳极上，所述的可控硅VS的阳极连接在内部电路上。过压保护电路包括二极管D3、可控硅VS，二极管D3起稳压作用，当电压超过稳压值时，二极管D3击穿导通，输出电压被切断，起到过压保护作用。为了提高对电路的精度，所述的电阻R2、电阻R3、电阻R5均为多晶硅电阻。电阻R2、电阻R3、电阻R5均为多晶硅电阻，可增强其匹配性，使得对电压电流检测的精度高。如上所述即为本技术的实施例。本技术不局限于上述实施方式，任何人应该得知在本技术的启示下做出的结构变化，凡是与本技术具有相同或相近的技术方案，均落入本技术的保护范围之内。【权利要求】1.应用于U盘端口的保护电路，它包括接口电路，其特征在于:所述的接口电路上连接有保护电路，所述的保护电路包括三极管，所述的三极管的集电极通过电阻Rl连接在接口电路上，所述的三极管的基极和发射极之间连接有电阻R2，所述的三极管的集电极连接在二极管D2的阳极上，所述的二极管的阴极与三极管的发射极相连；所述的三极管的基极连接在二极管Dl的阴极上，所述的二极管Dl的阳极与接口电路相连，所述的三极管的发射极上连接有过压保护电路。2.根据权利要求1所述的应用于U盘端口的保护电路，其特征在于:所述的过压保护电路包括二极管D3和可控硅VS，所述的三极管的发射极上通过电阻R3与内部电路相连，所述的三极管的发射极连接在二极管D3的阴极上，所述的二极管D3的阳极与可控硅VS的阴极之间连接有电阻R5，所述的可控硅VS的控制级通过电阻R4连接在二极管D3的阳极上，所述的可控硅VS的阳极连接在内部电路上。3.根据权利要求2所述的应用于U盘端口的保护电路，其特征在于:所述的电阻R2、电阻R3、电阻R5均为多晶硅电阻。【文档编号】H02H9/00GK203562769SQ201320736509【公开日】2014年4月23日 申请日期:2013年11月21日 优先权日:2013年11月21日 【专利技术者】黄友华 申请人:成都市宏山科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄友华，
申请(专利权)人：成都市宏山科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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