一种高纯铜中碳硫元素分析方法技术

本发明专利技术公开了一种高纯铜中碳硫元素分析方法，该方法包含：步骤1，对高纯铜样品进行前处理；步骤2，上机测试：记录所称取的高纯铜样品质量m和所用助溶剂的质量m1，包含样品与助溶剂的总质量为m0，m0=m1+m，使用碳硫分析仪分别测定包含样品与助溶剂的总碳含量C碳0、总硫含量C硫0及助溶剂的碳含量C碳1、硫含量C硫1；步骤3，样品中的碳含量C碳按公式（1）计算：其中，样品中的硫含量C硫按公式（2）计算：从而完成碳硫元素分析。本发明专利技术提供的分析方法所用的仪器常规普通，检测成本低，周期短，能够准确检测出低含量（如小于1μg/g）的高纯铜中的碳硫含量，能够很好地控制高纯铜的质量，可以满足日益发展的半导体产业需求。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，该方法包含：步骤1，对高纯铜样品进行前处理；步骤2，上机测试：记录所称取的高纯铜样品质量m和所用助溶剂的质量m1，包含样品与助溶剂的总质量为m0，m0=m1+m，使用碳硫分析仪分别测定包含样品与助溶剂的总碳含量C碳0、总硫含量C硫0及助溶剂的碳含量C碳1、硫含量C硫1；步骤3，样品中的碳含量C碳按公式（1）计算：<img file="2014100375695100004dest_path_image002.TIF" wi="361" he="64" />其中，样品中的硫含量C硫按公式（2）计算：<img file="2014100375695100004dest_path_image004.TIF" wi="336" he="72" />从而完成碳硫元素分析。本专利技术提供的分析方法所用的仪器常规普通，检测成本低，周期短，能够准确检测出低含量（如小于1μg/g）的高纯铜中的碳硫含量，能够很好地控制高纯铜的质量，可以满足日益发展的半导体产业需求。【专利说明】
本专利技术属于杂质分析测试领域，涉及高纯铜非金属杂质痕量分析方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高纯铜中碳硫元素分析方法，其特征在于，该方法包含：????步骤1，对高纯铜样品进行前处理；步骤2，上机测试：记录所称取的高纯铜样品质量m和所用助溶剂的质量m1，包含样品与助溶剂的总质量为m0，m0=?m1+m，使用碳硫分析仪分别测定包含样品与助溶剂的总碳含量C碳0、总硫含量C硫0及助溶剂的碳含量C碳1、硫含量C硫1；步骤3，样品中的碳含量C碳按公式（1）计算：其中，样品中的硫含量C硫按公式（2）计算：从而完成碳硫元素分析。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄桂华，任发强，
申请(专利权)人：上海新阳半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：