电容式触摸屏上的触摸分析制造技术

本发明专利技术涉及电容式触摸屏上的触摸分析。本发明专利技术的一个实施例提供一种用于确定与电容式触摸屏进行何种类型的交互的方法和装置。确定在电容传感器组中具有最大感测电容的电容传感器。然后，根据电容传感器组中的最大感测电容值和感测电容值确定参数表面。根据所述参数表面确定内插峰值电容、内插峰值处的曲率K以及内插峰值处的方向θ。基于内插峰值电容、曲率K以及方向θ识别与电容式触摸屏进行的交互的类型。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及电容式触摸屏上的触摸分析。本专利技术的一个实施例提供一种用于确定与电容式触摸屏进行何种类型的交互的方法和装置。确定在电容传感器组中具有最大感测电容的电容传感器。然后，根据电容传感器组中的最大感测电容值和感测电容值确定参数表面。根据所述参数表面确定内插峰值电容、内插峰值处的曲率K以及内插峰值处的方向θ。基于内插峰值电容、曲率K以及方向θ识别与电容式触摸屏进行的交互的类型。【专利说明】电容式触摸屏上的触摸分析
技术介绍
自从引入智能手机和平板PC(个人计算机)以来，电容式触摸屏越来越受欢迎。电容式触摸屏的尺寸变得越来越大，并且存在对这些屏幕的响应性、分辨率和智能性的不断增长的需求。电容式触摸屏通常由电容传感器(也称为节点)的阵列组成，其中每个电容传感器100 (见图1)包含电寄生电容Cp (下文称为基线电容)。与电容传感器100进行直接物理接触(例如，手指触摸)或近似物理接触(例如，手掌靠近屏幕)将添加与Cp并联的第二电容Cf(下文称为前景电容)，从而为所触摸的传感器产生的整体感测电容Cs是(^+4。理想地，在测量和校准后，前景电容Cf可以从感测电容Cs中提取(即Cf=Cs-Cp)。当具体节点上经校准的前景电容Cf大于预定阈值时，能够检测到与电容传感器100的接触。通过测量每个节点上的感测电容Cs，可以构造电容变化的二维图像。所构造的二维图像能够用于确定与屏幕接触的位置。由于在感测电容Cs测量期间产生的噪声，确定与屏幕进行接触的位置的精度会降低。此外，比起每次与电容式触摸屏进行的接触的位置来，存在更多的与其相关的信息。例如，所述二维图像可以用于识别手指接触、触控笔(stylus)接触或者接近电容式触摸屏的人的手掌或脸颊。二维表面建模电路可以用于模拟通过与电容式触摸屏接触而引入的峰值。嵌入在峰值中的解析特性如曲率(即光滑性)、峰值的方向和坐标可以用于提高确定电容式触摸屏上的接触位置及触摸的类型(例如手指、触控笔、手掌)的精确度。 【专利附图】【附图说明】图1是示出电容式触摸屏上的传感器的横截面以及电容式触摸屏上的电容的示意图。(现有技术)图2是指示电容传感器的位置的电容式触摸屏的布局图。(现有技术)图3是两根手指与电容式触摸屏进行接触所导致的传感器中的电容变化的图表，其示出触摸的稀疏特性的示例。(现有技术)图4a是对电容器进行充电的电压源的示意图。(现有技术)图4b是已充电电容器和未充电电容器的不意图。(现有技术)图4c是电荷从一个电容器转移到另一电容器的示意图。(现有技术)图5是电荷转移电路的示意图，其示出替换的电荷转移电路。(现有技术)图6是根据本专利技术的一个实施例用于识别与电容式触摸屏进行的接触的类型的电子器件的框图。图7是根据本专利技术的一个实施例说明一组九个电容传感器的示例，其中峰值电容Cs位于八个相邻电容传感器的中心坐标(0，O)处，八个相邻电容传感器位于坐标(-1，-D、(O, -1)、(I, -1)、(-1，O)、(I, O)、(-1，I)、(O, I)及(I, I)上。图8是根据本专利技术的一个实施例示出内插峰值感测电容、内插峰值的曲率K以及内插峰值的方向Θ的参数表面的示例。图9是根据本专利技术的一个实施例示出表明与人的手指接触的内插峰值感测电容、内插峰值的曲率K以及内插峰值的方向Θ的参数表面的示例。图10是根据本专利技术的一个实施例示出表明与人的手掌交互的内插峰值感测电容、内插峰值的曲率K以及内插峰值的方向Θ的参数表面的示例。图11是根据本专利技术的一个实施例示出表明与触控笔接触的内插峰值感测电容、内插峰值的曲率K以及内插峰值的方向Θ的参数表面的示例。图12是根据本专利技术的一个实施例说明确定与电容式触摸屏进行何种类型的接触/交互的方法的流程图。【具体实施方式】附图和说明书总体上公开了一种确定与电容式触摸屏进行交互的类型(例如手指、手掌、触控笔)的方法和装置。首先确定在一组相邻的电容传感器中具有最大感测电容的电容传感器。然后，根据电容传感器组中最大感测电容值和感测电容值确定参数表面。根据参数表面确定内插峰值电容(interpolated peak capacitance)、内插峰值处的曲率K以及内插峰值处的方向Θ。基于内插峰值电容、曲率K和方向Θ，可以识别与电容式触摸屏进行接触的类型。图1是示出电容式触摸屏100上的传感器112的横截面的示意图。两层铟锡氧化物(ITO)电极102和104覆盖在液晶显示屏108上。一层介电材料(例如塑料或派热克斯玻璃)106位于两层电极102和104之间。这里也示出了基线电容Cp和前景电容CF。考虑图2中所示的电容式触摸屏，其具有M行电极RE-RE和N列电极CE-CE。图2中所示的电容式触摸屏具有MXN个电容传感器(节点)，其中每个传感器在每列和每行电极的交叉点处具有基线电容CP。在图2中用虚线正方形表示每列和每行电极的交叉点。在列电极和行电极的交叉点处，电极不是直接连接的(即它们彼此不短路)。靠近传感器的手指110 (也可以使用不同于手指的其他物体，如触控笔)分流部分电场到地面，这相当于添加与Cp并联的前景电容CF。因此，节点上的感测电容变成:方程式I) Cs=Cp + Cf电容式触摸屏200上的每个传感器可以被看作是图像中的像素。在从(；中校准基线电容Cp后，每个节点上剩余的前景电容Cf有效地构成与电容式触摸屏200的触摸或接触的二维图像。触摸可以被检测为图像中的峰顶，该图像具有如在峰顶形状中反映的手指尺寸、形状、方向和压力的各种属性。图3是两根手指与电容式触摸屏进行接触所导致的传感器上的电容变化的图表。图3示出了传感器的电容在与两根手指接触的地方(即有效节点)发生改变。在该示例中，未触摸传感器(即无效节点)的数量明显大于被触摸传感器(即有效节点)的数量。图4a至图4c是电荷转移技术的示意图。如图4a至图4c所示，电荷转移的实现分为两个阶段:预充电阶段和转移阶段。在图4a所示的预充电阶段中，用已知电压源Vttove对电容器C进行充电，以便在稳定状态下，电荷Q等于Q=(UC)，如图4b所示。在图4c所示的转移阶段中，基准电容器CMf与C并联连接，以便C上的电荷被转移到CMf上。Cref上的电压是Vsmse。根据总电荷守恒定律，我们得到:方程式2) Vdrive*C=Vsense (C+Cref)其可以重新整理为:方程式3) Vsense=C/ (C+Cref) *Vdrive在这种情况下，因为Cief > > C，我们得到:方程式4) Vsense= (C/Cref) *Vdrive方程式4使得能够将传感器的电容C估算为驱动电压Vtive、感测电压Vsmse和基准电容Cref之间的比例关系。在本专利技术的一个实施例中，此关系连同其他关系一起用于确定在电容式触摸屏上何处进行接触。 图5中示出了使用电荷转移来确定传感器的电容的替代方法。利用了运算放大器502并且反转了 Vsense的极性。这种使用电荷转移来确定传感器的电容的方法也提供了驱动电压Vtoive、感测电压Vsense和电容C之间的比例关系:方程式5) Vsense=gOVive，其中g是常数。图6是用于识别与电容式触摸屏进行的接触的类型的电子器件的框图。峰值查找电路602测量电容传本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种确定与电容式触摸屏进行的交互的类型的机器实施方法，其包括：利用电子器件确定在电容传感器组中具有最大感测电容的电容传感器，其中所述电容传感器组位于所述电容式触摸屏上，其中所述电容式触摸屏位于电子器件上；根据所述电容传感器组中最大感测电容值以及感测电容值确定参数表面；根据所述参数表面确定内插峰值电容的坐标(x0,y0,z0)；根据所述参数表面确定所述内插峰值处的曲率K；以及根据所述参数表面确定所述内插峰值处的方向θ；其中，与所述电容式触摸屏进行的交互的类型由所述内插峰值电容、所述曲率K以及所述方向θ确定。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：C·E·罗，M·博卡，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US