AD转换电路、半导体装置以及AD转换方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开AD转换电路、半导体装置以及AD转换方法，其中该AD转换电路包括参考电压发生器和采样时间控制器。参考电压发生器在对接收到的输入信号采样时生成参考电压。采样时间控制器检测所述参考电压的改变。当所述参考电压上升至确定的阈值时，所述采样时间控制器判定采样完成，并且基于外部时钟生成控制采样时间的采样时钟。

【技术实现步骤摘要】
AD转换电路、半导体装置以及AD转换方法
此处讨论的实施例涉及AD转换电路、半导体装置以及AD转换方法。
技术介绍
包括少量模拟电路并且能够通过使用相对简单的电路来实现的逐次比较型AD（模拟到数字）转换电路是已知的。逐次比较型AD转换电路与CMOS（互补式金属氧化物半导体）工艺密切相关并且能够被做得很微小。因此，逐次比较型AD转换电路被用于各种目的。逐次比较型AD转换电路中所采用的转换方法有两种类型：时钟同步型和时钟非同步型。在时钟同步型转换中，对于外部时钟的每个时钟进行一位AD转换。另一方面，在时钟非同步型转换中，由外部时钟的一个时钟进行所有位的AD转换。在时钟同步型转换中，例如，外部时钟处于H（高）电位的时间是对输入信号采样的采样时间，并且外部时钟处于L（低）电位的时间是对经采样的输入信号AD转换的AD转换时间。为了确保AD转换时间，以前已提出了使用其占空比被控制为使得L电位时间长于H电位时间的外部时钟信号的技术，或者已提出了控制外部时钟在L电位的时间以用于进行所需分辨率的AD转换的技术。日本特开专利公开号2011-61579。然而，取决于AD转换电路的特性或者AD转换电路的操作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AD转换电路，包括：参考电压发生器，其在对接收到的输入信号采样时生成参考电压；以及采样时间控制器，其检测所述参考电压的变化，所述采样时间控制器在所述参考电压上升至确定的阈值时判定采样完成，并且所述采样时间控制器基于外部时钟生成控制采样时间的采样时钟。

【技术特征摘要】
2012.10.04 JP 2012-2218511.一种AD转换电路，包括：参考电压发生器，其在对接收到的输入信号采样时生成参考电压；以及采样时间控制器，其在外部时钟的基础上生成采样时钟，所述采样时间控制器检测所述参考电压的变化，并且所述采样时间控制器在所述参考电压上升至确定的阈值时通过将所述采样时钟从第一电位改变到第二电位来结束采样时间并且开始AD转换时间；以及比较器，其输出在所述采样时钟为所述第二电位时的所述参考电压与在所述采样时钟为所述第一电位时通过采样接收到的输入信号生成的模拟电压的比较结果。2.根据权利要求1所述的AD转换电路，其中所述确定的阈值小于所述参考电压的饱和值。3.根据权利要求1或2所述的AD转换电路，其中在所述外部时钟的第一时钟周期中的每个判定时刻，所述采样时间控制器比较所述参考电压与所述确定的阈值，保持所述比较的次数直到所述参考电压上升至所述确定的阈值，并且基于进行所述比较的保持次数判定在所述外部时钟的第二或以后时钟周期中的采样时间。4.一种半导体装置，包括AD转换电路，所述AD转换电路包括：参考电压发生器，其在对接收到的输入信号采样时生成参考电压；以及采样时间控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊仓芳明，
申请(专利权)人：富士通半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP