多腔室CVD处理系统技术方案

一种多腔室CVD处理系统，包括多个基片载体，其中，每个基片载体用于支承至少一个基片。多个外壳每个构造成用以形成沉积腔室，该沉积腔室包围多个基片载体中的一个基片载体，以保持用来执行处理步骤的独立化学沉积过程化学性质。运输机构按离散步骤将多个基片载体中的每一个基片载体运输到多个外壳中的每一个外壳，这允许在多个外壳中在预设定时间内执行处理步骤。在一些实施例中，基片载体可以是可转动的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】一种多腔室CVD处理系统，包括多个基片载体，其中，每个基片载体用于支承至少一个基片。多个外壳每个构造成用以形成沉积腔室，该沉积腔室包围多个基片载体中的一个基片载体，以保持用来执行处理步骤的独立化学沉积过程化学性质。运输机构按离散步骤将多个基片载体中的每一个基片载体运输到多个外壳中的每一个外壳，这允许在多个外壳中在预设定时间内执行处理步骤。在一些实施例中，基片载体可以是可转动的。【专利说明】多腔室CVD处理系统这里使用的章节标题仅用于行文组织方面的目的，不应该解释成按任何方式限制在本申请中描述的主题。相关申请章节本申请是在2009年6月7日提交的、标题为“Continuous Feed Chemical VaporDeposition System”的美国专利申请12/479，834的部分继续申请。美国专利申请12/479，834的全部说明书通过参考包括在里。
技术介绍
化学气相沉积(CVD)涉及将包含化学物质的一种或更多种气体引导到基片的表面上，从而使活性物质反应，并且在基片的表面上形成薄膜。例如，CVD可以用来在结晶半导体基片上生长化合物半导体材料。化合物半导体，如II1-V半导体，通常通过使用III族金属的源和V族元素的源在基片上生长各个半导体材料层而形成。在一种CVD过程中，这种CVD过程有时称作氯化过程，将III族金属提供成金属的易挥发卤化物，该易挥发卤化物最普通地是氯化物，如GaCl2,并且将V族元素提供成V族元素的氢化物。另一种类型的CVD是金属有机化学气相沉积(M0CVD)。MOCVD使用化学物质，这些化学物质包括一种或更多种金属有机化合物，如诸如镓、铟、以及铝之类的III族金属的烷基。MOCVD也使用化学物质，这些化学物质包括V族元素的一种或更多种的氢化物，如NH3、AsH3、PH3&锑的氢化物。在这些过程中，气体在基片(如蓝宝石、S1、SiC、SiGe、AlSiC、GaAs、InP、InAs或GaP的基片)的表面处相互反应，以形成通式的II1-V化合物，其中，X+Y+Z近似等于一，并且A+B+C+D近似等于一，而X、Y、Z、A、B、以及C中的每一个都可以在零与一之间。在一些情况下，铋可以用来代替其它III族金属的一些或全部。多种化合物半导体，如 GaAs、GaN> GaAlAs> InGaAsSb> InP、AsP、ZnSe> ZnTe> HgCdTe> InAsSbP、InGaN, AlGaN, SiGe, SiC、ZnO 及 InGaAlP，一直由 MOCVD 生长。另一种类型的CVD称作卤化物汽相晶体取向附生(HVPE)。在一种HVPE过程中，III族氮化物(例如GaN、AlN)通过使热气态金属氯化物(例如GaCl、A1C1)与氨气(NH3)反应而形成。金属氯化物通过使热HCl气体在热的III族金属上通过而产生。全部反应在调温石英炉中进行。HVPE的一个特征是，它可以具有非常高的生长速率，对于一些现有技术过程高达每小时ΙΟΟμπι。HVPE的另一个特征是，它可以用来沉积比较高质量的薄膜，因为薄膜在无碳环境中生长，并且因为热HCl气体提供自清洁作用。
技术实现思路
本讲授涉及一种多腔室CVD处理系统，这种多腔室CVD处理系统包括:多个基片载体，每个基片载体用于支承至少一个基片；多个外壳，多个外壳中的每一个外壳构造成用以形成一个沉积腔室，该沉积腔室包围多个基片载体中的一个基片载体，以保持用来执行处理步骤的独立环境；以及运输机构，所述运输机构按离散步骤将多个基片载体中的每一个基片载体运输到多个外壳中的每一个外壳，这允许在多个外壳中在预设定时间内执行处理步骤。多腔室CVD系统另外可以包括多个加热器，多个加热器中的每一个加热器与多个外壳中的每一个外壳相对应。多腔室CVD系统另外可以包括现场测量装置，该现场测量装置放置在多个外壳中的至少一个外壳中。运输机构另外可以包括多个加热器，多个加热器中的每一个加热器接近多个基片载体中的每一个基片载体。运输机构可以使用例如导轨、轨道或传送系统在直线或非直线路径中运输多个基片载体中的每一个基片载体，该传送系统也可以包括带、推杆、以及磁性耦合驱动器，如磁性直线马达。在一些实施例中，在多腔室CVD系统中的多个基片载体中的至少一个基片载体是可转动的。本讲授也涉及一种多腔室CVD处理系统，这种多腔室CVD处理系统包括:多个基片载体，其中，每个基片载体用于支承至少一个基片；多个外壳，多个外壳中的每一个外壳构造成用以形成一个沉积腔室，该沉积腔室包围多个基片载体中的一个基片载体，以保持用来执行处理步骤的独立环境；多个加热器，所述多个加热器中的每一个加热器将多个基片中的相应一个基片加热到用来执行处理步骤的所需处理温度；以及运输机构，所述运输机构按离散步骤将多个基片载体中的每一个基片载体运输到多个外壳中的每一个外壳，这允许在多个外壳中在预设定时间内执行处理步骤。运输机构另外可以包括多个加热器，这些多个加热器接近每个接受器。加热器可以定位在沉积腔室的内部，或者对应地随基片载体转移。在一些实施例中，在多腔室CVD系统中的多个基片载体中的至少一个基片载体是可转动的。本讲授也涉及一种使用多腔室化学气相沉积系统在基片上形成多个晶体取向附生层的方法，其中，方法包括:在第一位置处包围第一基片载体以形成第一沉积腔室，该第一基片载体包括至少一个基片，该第一沉积腔室保持第一独立环境；在具有第一独立环境的在第一位置处的第一沉积腔室中，在至少一个基片上生长第一晶体取向附生层；将第一基片载体在第一晶体取向附生层生长之后运输到第二位置，并且包围第一基片载体以形成第二沉积腔室，该第二沉积腔室保持第二独立环境；以及在具有第二独立环境的在第二位置处的第二沉积腔室中，在第一晶体取向附生层的顶部上生长第二晶体取向附生层。方法还可以包括:在第一位置处包围第二基片载体以形成第一沉积腔室，该第二基片载体包括至少一个基片，该第一沉积腔室保持第一独立环境；以及在具有第一独立环境的在第一位置处的第一沉积腔室中，在第二基片载体上的至少一个基片上生长第一晶体取向附生层。本讲授也涉及一种多腔室化学气相沉积系统，这种多腔室化学气相沉积系统包括:用来包围多个基片载体以形成多个沉积腔室的装置，这些基片载体将至少一个基片支承在多个固定位置处，这些沉积腔室中的每一个沉积腔室保持一独立环境；用来在多个沉积腔室中在至少一个基片上生长晶体取向附生层的装置，该至少一个基片由多个基片载体支承，这些沉积腔室中的每一个沉积腔室保持一独立环境；以及用来按离散步骤在多个沉积腔室之间运输多个基片载体的装置。在一些实施例中，在多腔室化学气相沉积系统中的多个基片载体中的至少一个基片载体是可转动的。在这里描述的CVD处理系统内，基片载体可以包括例如接受体和基片载体组件、无接受体载体、或行星载体。【专利附图】【附图说明】按照优选和例示性实施例的本讲授与其另外的优点一起，在与附图一道所作的如下详细描述中更具体地描述。本领域的技术人员将理解，下面描述的附图仅用于说明目的。附图不一定按比例，代之以将重点总体放在说明本讲授的原理上。附图不打算按任何方式限制本 申请人:的讲授的范围。图1示出的是根据本讲授本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多腔室CVD处理系统，包括：a.多个基片载体，每个基片载体用于支承至少一个基片；b.多个外壳，所述多个外壳中的每一个外壳构造成用以形成一个沉积腔室，该沉积腔室包围所述多个基片载体中的一个基片载体，以保持用来执行处理步骤的独立环境；以及c.运输机构，所述运输机构按离散步骤将所述多个基片载体中的每一个基片载体运输到所述多个外壳中的每一个外壳，这允许在所述多个外壳中在预设定时间内执行处理步骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·帕兰杰佩，E·A·阿莫尔，W·E·奎恩，
申请(专利权)人：维易科精密仪器国际贸易上海有限公司，
类型：
国别省市：