用于提高衬底载体的性能的方法技术

一种修改衬底载体以提高处理性能的方法，包括在由衬底载体支撑的衬底上沉积材料或制造器件。然后根据它们在衬底载体上的对应位置测量在衬底上沉积的层的参数。使在衬底上制造的至少一些器件的测量的参数或沉积的层的特性与衬底载体的物理性质关联，以获得与衬底载体上的多个位置对应的衬底载体的多个物理性质。然后在衬底载体上的多个对应位置中的一个或更多个处修改衬底载体的物理性质，以根据衬底载体上的位置获得沉积的层或制造的器件的期望的参数。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】本申请是申请号为201080048148.2，PCT国际申请日为2010年11月12日，专利技术名称为“”的专利技术专利申请的分案申请。这里使用的部分标题仅是出于组织目的，并且不应被解释为以任何方式限制在本申请中描述的主题。
技术介绍
许多材料处理系统包括用于在处理中支撑并有时传输衬底的衬底载体。衬底常常是一般称为晶片的晶体材料的圆盘。一种这种类型的材料处理系统是气相外延(VPE)系统。气相外延是涉及将包含化学物品的一种或更多种气体引到衬底的表面上使得反应物品在衬底的表面上反应并形成膜的一种化学气相沉积(CVD)类型。例如，可以使用VPE以在衬底上生长化合物半导体材料。一般通过将至少一种前体气体、并且在许多处理中将至少第一和第二前体气体注入包含晶体衬底的处理室中，生长材料。可由通过使用氢化物前体气体和有机金属前体气体在衬底上生长各种半导体材料层而形成诸如II1-V半导体的化合物半导体。金属有机气相外延(MOVPE)是通常用于通过使用包含需要的化学元素的金属有机物和氢化物的表面反应生长化合物半导体的气相沉积方法。例如，可通过引入三甲基铟和磷化氢在衬底上的反应体中生长磷化铟。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底载体，包括支撑一个或多个衬底的底面的凹口，通过下述方式修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质：首先把沉积在所述一个或多个衬底的上表面的层的测量参数与所述凹口的所述至少一个物理性质相关联，所述一个或多个衬底的上表面与所述一个或多个衬底的底面相对；然后，响应于所述测量参数而修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：J·曼古姆，W·E·奎因，
申请(专利权)人：维易科精密仪器国际贸易上海有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US