太阳能电池背面钝化局部扩散结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种太阳能电池背面钝化局部扩散结构及其制造方法，其构成包括：硅片层，其底面是设有多个凸出的电极加工部，该电极加工部的端边是具有一端接面；一钝化膜，该电极加工部是为凸出的形状并凸出于该钝化膜；一第一电极，设于一电极接面层，该第一电极接面层是为一金属硅合金层，该第一电极是为凸出的形状并凸出于该钝化膜；由此，能使烧结工艺所形成的硅片层空洞得以填补，使具有较佳组件使用寿命及提升其能量转换效率，并得以避免工艺成本耗费而能符合制造经济效益及积极提升其产业竞争力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种太阳能电池构成及其制造方法，尤指一种利用背面钝化局部扩散以填补硅片层空洞，使具有较佳组件使用寿命及提升其能量转换效率的。
技术介绍
太阳能电池又称为太阳能芯片或光电池，是一种利用太阳光发电的光电半导体组件。其以光照射在不同导体或半导体上，光子与导体或半导体中的自由电子产生作用，进而瞬间就可输出电压及电流，故其在物理上则称为太阳能光伏(简称光伏Photovoltaic/PV)。而因太阳能电池发电是一种可再生的环保发电方式，其发电过程中不会产生二氧化碳等温室气体，不会对环境造成污染，是目前相当成熟的绿能应用。已知太阳能电池的制造方法如图1所示，其步骤包括:(I)于一硅片层80 (晶圆)顶面的微结构81上设有一第二减反射膜92及底面设有形成一背表面场(BSF/BackSurface Field)的钝化膜90，该钝化膜90是包括有一氧化铝层93 (Al2O3)及第一减反射膜91，其中该第一减反射膜91、第二减反射膜92是可为氮化硅层(SiNx);继(2)于该硅片层80的钝化膜90 (背表面场)以激光82进行蚀刻，并形成多个开孔83，且该开孔83并深入至该硅片层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池背面钝化局部扩散制造方法，其包括有：(1)在一硅片层底面设有多个分离的屏蔽；(2)于该硅片层底面进行蚀刻操作，使该硅片层相对该屏蔽处的部位露出而形成一电极加工部，该电极加工部为凸出的形状，而各该电极加工部间则形成该硅片层底面的一蚀凹面，且该电极加工部以一电极加工接面与该屏蔽相接；(3)于该硅片层的底面进行背表面场的处理，使该硅片层底面形成一钝化膜；(4)将该屏蔽去除，使该电极加工接面露出；(5)于该钝化膜下方形成一金属层，并加热进行该金属层的金属与硅结合的操作，该电极加工部伸入该金属层中，使该金属层热熔的金属与该硅片层的电极加工部相接触及相互反应，继使该电极加工部与该金属层间形成...

【技术特征摘要】
2012.09.07 TW 1011326511.一种太阳能电池背面钝化局部扩散制造方法，其包括有: (1)在一娃片层底面设有多个分离的屏蔽； (2)于该硅片层底面进行蚀刻操作，使该硅片层相对该屏蔽处的部位露出而形成一电极加工部，该电极加工部为凸出的形状，而各该电极加工部间则形成该硅片层底面的一蚀凹面，且该电极加工部以一电极加工接面与该屏蔽相接； (3)于该硅片层的底面进行背表面场的处理，使该硅片层底面形成一钝化膜； (4)将该屏蔽去除，使该电极加工接面露出； (5)于该钝化膜下方形成一金属层，并加热进行该金属层的金属与娃结合的操作，该电极加工部伸入该金属层中，使该金属层热熔的金属与该硅片层的电极加工部相接触及相互反应，继使该电极加工部与该金属层间形成至少一第一电极接面层，该第一电极接面层包括一金属娃合金层，并于该第一电极接面层处设一第一电极，该第一电极为凸出的形状并凸出于该钝化膜且伸入该金属层中。2.如权利要求1所述的太阳能电池背面钝化局部扩散制造方法，其中该金属层的金属为以下之一或其组合:铝、银、铜、锡、钛或镍。3.如权利要求1所述的太阳能电池背面钝化局部扩散制造方法，其中该第一电极，其是为以下之一:招娃合金层、银娃合金层、铜娃合金层、锡娃合金层、钛娃合金层、镍娃合金层。4.如权利要求1所述的太阳能电池背面钝化局部扩散制造方法，其中该硅片层顶面设有一微结构，并于该微结构上设有一第二减反射膜，该第二减反射膜上设有至少一第二电极，该第二减反射膜包括一氮化硅层，该屏蔽以抗腐蚀、抗酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：江豪祥，廖品冠，江起帆，
申请(专利权)人：耀华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71