非连续复合阻挡层、其形成方法及包含其的封装结构技术

本发明专利技术提出一种非连续复合阻挡层及其形成方法。非连续复合阻挡层包括：一第一阻挡层，位于一基板上；以及一第二阻挡层，位于第一阻挡层上，其中第一、第二阻挡层皆包括间隔设置的多个无机材料区及多个有机硅化合物(organo-silicon?material)区，且第一、第二阻挡层的无机材料区与有机硅化合物区上下交替堆叠。本发明专利技术还提供包含上述非连续复合阻挡层的封装结构。

【技术实现步骤摘要】
非连续复合阻挡层、其形成方法及包含其的封装结构
本专利技术涉及阻挡层，尤其涉及一种非连续复合阻挡层、其形成方法及其应用。
技术介绍
随着科技的进步，软性电子装置的相关技术也已逐渐成熟。其中，有机发光二极管(OLED)具有自发光、轻、薄、省电等优势，预期在未来可作为荧光灯管的替代产品。此外，有机发光二极管的发光材料为可挠曲的有机材料，其具有高对比度、反应速度快及广视角等优点，可制作为可挠式有机发光二极管软性面板显示器，以取代目前硬式显示器。一般而言，有机发光二极管软性面板显示器的高分子有机发光层及电极材料(如钙、镁等)对水氧敏感度高，因此当大气中的水气、氧气由基板渗透时，会损害元件，因此，阻水、阻气技术是相当重要的。综上所述，目前仍需发展阻水、阻气技术。
技术实现思路
在本专利技术一实施例中，提供一种非连续复合阻挡层，包括:一第一阻挡层，位于一基板上；以及一第二阻挡层，位于该第一阻挡层上，其中该第一、第二阻挡层皆包括间隔设置的多个无机材料区及多个有机娃化合物(organo-silicon material)区,且该第一、第二阻挡层的所述无机材料区与所述有机硅化合物区上下交替堆叠本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非连续复合阻挡层，包括：一第一阻挡层，位于一基板上；以及一第二阻挡层，位于该第一阻挡层上，其中该第一、第二阻挡层皆包括间隔设置的多个无机材料区及多个有机硅化合物(organo?silicon?material)区，且该第一、第二阻挡层的所述无机材料区与所述有机硅化合物区上下交替堆叠。

【技术特征摘要】
2012.08.24 TW 1011307511.一种非连续复合阻挡层，包括: 一第一阻挡层，位于一基板上；以及 一第二阻挡层，位于该第一阻挡层上，其中该第一、第二阻挡层皆包括间隔设置的多个无机材料区及多个有机娃化合物(organo-silicon material)区，且该第一、第二阻挡层的所述无机材料区与所述有机硅化合物区上下交替堆叠。2.如权利要求1所述的非连续复合阻挡层，其中该第一、第二阻挡层的所述有机硅化合物区相互连接呈一连续结构，且该第一、第二阻挡层的所述无机材料区彼此断开呈一非连续结构。3.如权利要求1所述的非连续复合阻挡层，其中所述有机硅化合物区包括含硅碳(S1-C)键合、或硅氧碳(S1-O-C)键合的有机化合物。4.如权利要求1所述的非连续复合阻挡层，其中所述无机材料区包括三氧化二铝(Al2O3)、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氮碳氧化硅、或前述的组合。5.一种具有非连续复合阻挡层的封装结构，包括: 一基板； 一电子元件，位于该基板上；以及 一非连续复合阻挡层，位于该电子元件上，其中该非连续复合阻挡层包括: 一第一阻挡层，位于该电子元件上；以及 一第二阻挡层，位于该第一阻挡层上`，其中该第一、第二阻挡层皆包括间隔设置的多个无机材料区及多个有机硅化合物区，且该第一、第二阻挡层的所述无机材料区与所述有机硅化合物区上下交替堆叠。6.如权利要求5所述的具有非连续复合阻挡层的封装结构，其中该基板为可挠式基板，且该电子元件为可挠式电子元件。7.如权利要求6所述的具有非连续复合阻挡层的封装结构，其中该电子元件包括有机发光元件(OLED)、电泳显示器(Electro-phoretic display ;ΕΡ?)、或薄膜太阳能电池。8.如权利要求5所述的具有非连续复合阻挡层的封装结构，其中所述有机硅化合物区包括含硅碳(S1-C)键合、或硅氧碳(S1-O-C)键合的有机化合物。9.如权利要求5所述的具有非连续复合阻挡层的封装结构，其中所述无机材料区包括三氧化二铝(Al2O3)、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氮碳氧化硅、或前述的组合。10.如权利要求6所述的具有非连续复合阻挡层的封装结构，其中，该非连续复合阻挡层更设于该基板及该电子元件之间，使得该非连续复合阻挡层完全包附该电子元件。11.一种非连续复合阻挡层的形成方法，包括: 提供一基板； 在该基板上形成一第一阻挡层；以及 在该第一阻挡层上形成一第二阻挡层，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊廷，赖丰文，林昆蔚，王登彦，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：