非连续复合阻挡层、其形成方法及包含其的封装结构技术

本发明专利技术提出一种非连续复合阻挡层及其形成方法。非连续复合阻挡层包括：一第一阻挡层，位于一基板上；以及一第二阻挡层，位于第一阻挡层上，其中第一、第二阻挡层皆包括间隔设置的多个无机材料区及多个有机硅化合物(organo-silicon?material)区，且第一、第二阻挡层的无机材料区与有机硅化合物区上下交替堆叠。本发明专利技术还提供包含上述非连续复合阻挡层的封装结构。

【技术实现步骤摘要】
非连续复合阻挡层、其形成方法及包含其的封装结构
本专利技术涉及阻挡层，尤其涉及一种非连续复合阻挡层、其形成方法及其应用。
技术介绍
随着科技的进步，软性电子装置的相关技术也已逐渐成熟。其中，有机发光二极管(OLED)具有自发光、轻、薄、省电等优势，预期在未来可作为荧光灯管的替代产品。此外，有机发光二极管的发光材料为可挠曲的有机材料，其具有高对比度、反应速度快及广视角等优点，可制作为可挠式有机发光二极管软性面板显示器，以取代目前硬式显示器。一般而言，有机发光二极管软性面板显示器的高分子有机发光层及电极材料(如钙、镁等)对水氧敏感度高，因此当大气中的水气、氧气由基板渗透时，会损害元件，因此，阻水、阻气技术是相当重要的。综上所述，目前仍需发展阻水、阻气技术。
技术实现思路
在本专利技术一实施例中，提供一种非连续复合阻挡层，包括:一第一阻挡层，位于一基板上；以及一第二阻挡层，位于该第一阻挡层上，其中该第一、第二阻挡层皆包括间隔设置的多个无机材料区及多个有机娃化合物(organo-silicon material)区,且该第一、第二阻挡层的所述无机材料区与所述有机硅化合物区上下交替堆叠。在本专利技术一实施例中，提供一种具有非连续复合阻挡层的封装结构，包括:一基板；一电子元件，位于该基板上；以及一非连续复合阻挡层，位于该电子元件上，其中该非连续复合阻挡层包括:一第一阻挡层，位于该电子元件上；以及一第二阻挡层，位于该第一阻挡层上，其中该第一、第二阻挡层皆包括间隔设置的多个无机材料区及多个有机硅化合物区，且该第一、第二阻挡层的所述无机材料区与所述有机硅化合物区上下交替堆叠。在本专利技术一实施例中，提供一种非连续复合阻挡层的形成方法，包括:提供一基板；在该基板上形成一第一阻挡层；以及在该第一阻挡层上形成一第二阻挡层，其与该第一阻挡层形成一非连续复合阻挡层，其中该第一、第二阻挡层皆包括间隔设置的多个无机材料区及多个有机硅化合物区，且该第一、第二阻挡层的所述无机材料区与所述有机硅化合物区上下交替堆叠。为了使本专利技术的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，并配合附图，作详细说明如下:【附图说明】图1是在本专利技术一实施例中形成的非连续复合阻挡层的剖面图；图2是在本专利技术一实施例中形成非连续复合阻挡层的方法流程图；图3是在图2的步骤204中形成第一阻挡层102的方法的流程图；图4、5是以图3的步骤形成的第一阻挡层102的各阶段剖面图；图6、7是图案化掩模的例子；图8更详细地显示出在图2的步骤206中形成第二阻挡层204的方法的流程图；图9、10是以图的步骤形成的第二阻挡层104的各阶段剖面图；图11是在本专利技术一实施例中的具非连续复合阻挡层的封装结构的剖面图；图12是在另一实施例中的具非连续复合阻挡层的封装结构的剖面图；图13是在一比较例中的封装结构的剖面图；图14是在一实施例中的非连续复合阻挡层在挠曲时的示意图；图15是在一实施例中水气渗透率变化百分比关系图。【主要元件符号说明】100、1100、1200、1300 基板；102、1202a、1202b第一阻挡层；104、1204a、1204b 第二阻挡层；106、1206、1406 无机材料区； 108、1208、1408 有机硅化合物区；202,204,206,302,204,802,804 步骤；Pl第一位置；410图案化掩模；W1、W2、W宽度；H1、H2高度；d距离；406第一区域；408第二区域；1114,1214非连续复合阻挡层；1112、1212、1301 电子元件；1303有机材料层；1305无机材料层；R曲率半径。【具体实施方式】为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本专利技术作进一步的详细说明。以下根据本专利技术的不同特征举出数个不同的实施例。本专利技术中特定的元件及安排是为了简化，但本专利技术并不以这些实施例为限。举例而言，在第二元件上形成第一元件的描述可包括第一元件与第二元件直接接触的实施例，也包括具有额外的元件形成在第一元件与第二元件之间、使得第一元件与第二元件并未直接接触的实施例。此外，为简明起见，本专利技术在不同例子中以重复的元件符号及/或字母表示，但不代表所述各实施例及/或结构间具有特定的关系。在本专利技术一实施例中，提出一种非连续复合阻挡层结构，通过非连续的无机材料区交错排列于复合阻挡层中，并以有机硅化合物区来分隔非连续的无机材料区，据此形成具有阻水、阻气效果的非连续复合阻挡层。图1是在本专利技术一实施例中形成的非连续复合阻挡层的剖面图。参照图1，非连续复合阻挡层包括基板100、第一阻挡层102及第二阻挡层104。其中，第一阻挡层102位于基板100上，且第二阻挡层104位于第一阻挡层102上。如图1所示，第一阻挡层102及第二阻挡层104皆包括间隔设置的多个无机材料区106及多个有机娃化合物(organo-siliconmaterial)区108,且无机材料区106与有机娃化合物区108上下交替堆叠。在一实施例中，基板100可为可挠式基板，例如聚对苯二甲二乙酯(PET)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚酰亚胺(PI)基板、或聚碳酸酯(PC)基板。在另一实施例中，基板100也可为刚性基板，例如玻璃基板，或其它适合的基板。无机材料区106例如包括三氧化二铝(Al2O3)、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氮碳氧化硅(SiCxOyNz ；x = 1-3、y = 1-3, z = 1-3)、或前述的组合。无机材料区106的宽度W1例如约介于0.5mm至20mm,高度H1例如约介于50nm至500nm。有机娃化合物108可以是含娃碳(S1-C)键合、或硅氧碳(S1-O-C)键合的有机化合物，含硅碳(S1-C)键合的有机化合物例如包括含S1-(CH3)键合、S1-(CH2)键合、S1-(CH)键合的有机硅化合物。有机硅化合物区108的宽度W2例如约介于0.5mm至20mm,高度H2例如约介于50nm至500nm。亦即，无机材料区106的宽度W1可小于有机硅化合物区108的宽度W2。应注意的是，无机材料区106及有机硅化合物区108的尺寸可依据应用的需求调整。例如，当非连续复合阻挡层用于可挠性元件时，可依据挠曲程度的需求决定无机材料区106及有机硅化合物区108的尺寸。一般而言，挠曲程度越高时，可形成宽度较小的无机材料区106，以避免无机材料区因挠曲而破碎。例如，无机材料区106的宽度可小于挠曲的曲率半径。此外，如图1所示，在一实施例中，上述非连续复合阻挡层的第一阻挡层102及第二阻挡层104的有机硅化合物区108相互连接呈一连续结构，而无机材料区106则彼此断开呈一非连续结构。一般而言，连续的无机材料结构具有较好的阻水气效果，但其硬度较大，故在用于可挠式元件时容易破裂而形成裂缝，使得水气由裂缝进入元件中。然而，在图1所示的非连续复合阻挡层中，无机材料区106交错排列于非连续复合阻挡层内，因此不仅可阻挡水气由主要表面渗入，也可防止由侧边入侵的水气。此外，由于无机材料区106彼此断开呈非连续结构，可避免连续的无机材料由于性质硬脆而破裂的问题。另外，相较于一般的有机材料，有机硅化合物区108具有较佳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非连续复合阻挡层，包括：一第一阻挡层，位于一基板上；以及一第二阻挡层，位于该第一阻挡层上，其中该第一、第二阻挡层皆包括间隔设置的多个无机材料区及多个有机硅化合物(organo?silicon?material)区，且该第一、第二阻挡层的所述无机材料区与所述有机硅化合物区上下交替堆叠。

【技术特征摘要】
2012.08.24 TW 1011307511.一种非连续复合阻挡层，包括: 一第一阻挡层，位于一基板上；以及 一第二阻挡层，位于该第一阻挡层上，其中该第一、第二阻挡层皆包括间隔设置的多个无机材料区及多个有机娃化合物(organo-silicon material)区，且该第一、第二阻挡层的所述无机材料区与所述有机硅化合物区上下交替堆叠。2.如权利要求1所述的非连续复合阻挡层，其中该第一、第二阻挡层的所述有机硅化合物区相互连接呈一连续结构，且该第一、第二阻挡层的所述无机材料区彼此断开呈一非连续结构。3.如权利要求1所述的非连续复合阻挡层，其中所述有机硅化合物区包括含硅碳(S1-C)键合、或硅氧碳(S1-O-C)键合的有机化合物。4.如权利要求1所述的非连续复合阻挡层，其中所述无机材料区包括三氧化二铝(Al2O3)、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氮碳氧化硅、或前述的组合。5.一种具有非连续复合阻挡层的封装结构，包括: 一基板； 一电子元件，位于该基板上；以及 一非连续复合阻挡层，位于该电子元件上，其中该非连续复合阻挡层包括: 一第一阻挡层，位于该电子元件上；以及 一第二阻挡层，位于该第一阻挡层上`，其中该第一、第二阻挡层皆包括间隔设置的多个无机材料区及多个有机硅化合物区，且该第一、第二阻挡层的所述无机材料区与所述有机硅化合物区上下交替堆叠。6.如权利要求5所述的具有非连续复合阻挡层的封装结构，其中该基板为可挠式基板，且该电子元件为可挠式电子元件。7.如权利要求6所述的具有非连续复合阻挡层的封装结构，其中该电子元件包括有机发光元件(OLED)、电泳显示器(Electro-phoretic display ;ΕΡ?)、或薄膜太阳能电池。8.如权利要求5所述的具有非连续复合阻挡层的封装结构，其中所述有机硅化合物区包括含硅碳(S1-C)键合、或硅氧碳(S1-O-C)键合的有机化合物。9.如权利要求5所述的具有非连续复合阻挡层的封装结构，其中所述无机材料区包括三氧化二铝(Al2O3)、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氮碳氧化硅、或前述的组合。10.如权利要求6所述的具有非连续复合阻挡层的封装结构，其中，该非连续复合阻挡层更设于该基板及该电子元件之间，使得该非连续复合阻挡层完全包附该电子元件。11.一种非连续复合阻挡层的形成方法，包括: 提供一基板； 在该基板上形成一第一阻挡层；以及 在该第一阻挡层上形成一第二阻挡层，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊廷，赖丰文，林昆蔚，王登彦，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：