温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出一种非连续复合阻挡层及其形成方法。非连续复合阻挡层包括：一第一阻挡层，位于一基板上；以及一第二阻挡层，位于第一阻挡层上，其中第一、第二阻挡层皆包括间隔设置的多个无机材料区及多个有机硅化合物(organo-silicon?mater...
该专利属于财团法人工业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人工业技术研究院授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。