【技术实现步骤摘要】
基于多巴胺改性的3C-SiC纳米晶杂化薄膜的制备
本专利技术涉及一种半导体薄膜材料,特别涉及一种导电玻璃表面(ITO)制备多巴胺(Dopamine)改性的3C_SiC纳米晶薄膜的制备。
技术介绍
碳化硅(SiC) —种IV-1V族共价键结构的二元化合物半导体,它是一种同质多型体,它的同质异型体多达200多种,常见的是3C-SiC,4H-SiC,6H-SiC等。3C_SiC禁带宽度比较窄,约为2.3eV,在比较宽的可见光区(尤其是短波长)具有较高的发光效率。同时,作为一种典型的P型半导体,比一般的N型半导体(例如TiO2、GaN等)具有更强的化学稳定性。当3C-SiC为超细纳米晶时具有较好的光分解水性能。He等人采用全氟磺酸溶液作为粘结剂,将3C-SiC纳米晶滴涂在玻碳电极上制成了具有光电极,获得较好的光催化分解水性能,但膜层分布不均匀,且容易发生剥落,影响长期使用效果,因此,制备性能优异的3C-SiC纳米晶薄膜是使其获得实际应用的关键。多巴胺(Dopamine)是一种生物神经递质,本身带有负电的邻苯二酹羟基官能团和正电的氨基官能团,几乎可与表面具有正负电荷 ...
【技术保护点】
一种基于多巴胺改性的3C?SiC纳米晶杂化薄膜的制备方法,包括下列步骤:1)清洗导电玻璃;2)配制pH=8?10的醋酸?醋酸钠缓冲溶液;3)导电玻璃的改性:按照0.5?1.5mg:1mL的固液质量体积比,将多巴胺溶解于溶入醋酸?醋酸钠缓冲溶液中,将清洗后的导电玻璃浸泡于上述溶液中,室温下静置24h以上。4)3C?SiC纳米晶表面的改性:将适量平均粒径为3nm的3C?SiC纳米晶均匀分散于浓度为0.3?0.5mg/mL的多巴胺水溶液中制成悬浮液;5)3C?SiC纳米晶薄膜的制备:将2)中改性后的导电玻璃置于4)中悬浮液中,在60?80℃的温度下真空干燥,将溶剂蒸发,最后得到厚 ...
【技术特征摘要】
1.一种基于多巴胺改性的3C-SiC纳米晶杂化薄膜的制备方法,包括下列步骤: 1)清洗导电玻璃; 2)配制pH=8-10的醋酸-醋酸钠缓冲溶液; 3)导电玻璃的改性:按照0.5-1.5mg =ImL的固液质量体积比,将多巴胺溶解于溶入醋酸-醋酸钠缓冲溶液中,将清洗后的导电玻璃浸泡于上述溶液中,室温下静置24h以上。 4)3C-SiC纳米晶表面的改性:将适量平均粒径为3nm的3C_SiC纳米晶均匀分散于浓度为0.3-0.5mg/mL的多...
【专利技术属性】
技术研发人员:何芳,李凤娇,黄远,陈利霞,李俊姣,丘晓文,
申请(专利权)人:天津大学,
类型:发明
国别省市:
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