一种针对开膜腐蚀性浆料的清洗工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种针对开膜腐蚀性浆料的清洗工艺，包括以下步骤：硅片清水粗洗；清水超声波清洗；酒精超声波清洗；去离子水浸泡。本发明专利技术提供的针对开膜腐蚀性浆料的清洗工艺相对于现有的清洗工艺，清洗效果明显改善，同时明显提高了电池片转换效率，并且操作简单，可控，适合大批量生产。

【技术实现步骤摘要】
一种针对开膜腐蚀性浆料的清洗工艺
本专利技术涉及一种浆料的清洗工艺，特别是一种针对开膜腐蚀性浆料的清洗工艺。
技术介绍
目前晶硅电池的背钝化技术是提高晶硅电池转换效率的有效手段之一，现已得到各公司的大力推广应用。该技术主要采用SiNx、Si0x或A1203作为背场钝化膜，后通过化学腐蚀或者激光开孔的方法形成开口区域。这种技术的主要优点有:大大提高背场钝化能力；提高了背场反射能力，提高了对长波光的吸收利用。同时由于激光开孔存在激光损伤大、设备投资大等原因，行业普遍使用化学腐蚀开孔法，化学腐蚀法主要通过丝网印刷的方式将腐蚀浆料印刷至硅片表面，然后在高温条件下与SiNx , SiOx, Al2O3反应，形成开孔区域。腐蚀浆料的主要成分是磷酸(H3P04)，可以与SiNx , SiOx, Al2O3进行反应。传统腐蚀浆料的清洗方案仅采用超声波水洗的方式，存在清洗时间长、清洗效果差的缺点。
技术实现思路
专利技术目的:本专利技术的目的在于解决现有技术针对开膜腐蚀性浆料的清洗工艺清洗效果差、时间长的问题。
技术实现思路
:本专利技术提供以下技术方案:一种针对开膜腐蚀性浆料的清洗工艺，包括以下步骤: 1)硅片经过高温处理后，在30秒内快速投入装有清水的水槽中，静置5~10分钟； 2)将经过步骤I处理的硅片投入装有清水的超声波水槽，清洗15~30分钟，超声波功率100(T3000W ； 3)将经过步骤2处理的硅片投入装有体积比浓度为5~30%的有机溶剂的水槽中，超声波清洗10~40分钟； 4)将经过步骤3处理的硅片投入去离子水中浸泡清洗5~10分钟。作为优化，所述步骤3中有机溶剂包括乙醇，异丙醇。有益效果:本专利技术与现有技术相比:本专利技术提供的清洗工艺步骤I采用热胀冷缩的原理，将未冷却的硅片快速投入水槽中，利用不同物质热胀冷缩比的差异，快速受冷可导致硅片表面的烘干结块、大颗粒物迅速剥落，提高粗洗效果；步骤3利用相似相溶的原理，有机溶液可有效除去腐蚀浆料中的有机物质及硅片表面的有机污垢；步骤4采用去离子水浸泡去除娃片表面的有机溶剂，使娃片表 面保持清洁。本清洗工艺同时可以明显提高了电池片转换效率，并且操作简单，可控，适合大批量生产。【附图说明】图1为采用现有技术清洗工艺清洗的硅片表面EL图； 图2为采用本专利技术提供的针对开膜腐蚀性浆料的清洗工艺的硅片表面EL图。【具体实施方式】现在结合附图1-2对本专利技术做进一步详细的说明。对比例 第一步:将经过高温处理的硅片投入超声波水槽中清洗，清洗15分钟，超声波功率1000W，主要清洗去除小颗粒固体物。第二步:采用去离子水浸泡清洗5分钟，去除步骤一中硅片表面的有机溶剂。实例一 第一步:印有腐蚀浆料的硅片经过高温处理后，在10秒时快速投入清水槽中，快速受冷可致使硅片表面的烘干结块、大颗粒物迅速剥落，达到“粗洗”的效果，清洗时间为5分钟； 第二步:进入超声波水槽中清洗，清洗15分钟，超声波功率为1000W，主要清洗去除小颗粒固体物。第三步:进入 体积比浓度为5%的装有异丙醇的水槽中，超声波清洗10分钟，本次清洗主要去除浆料油性成份，同时进一步去除小颗粒附着物及硅片表面有机沾污。第四步:采用去离子水浸泡清洗5分钟，去除步骤三中硅片表面的有机溶剂。实例二 第一步:印有腐蚀浆料的硅片经过高温处理后，在30秒时内快速投入清水槽中，快速受冷可致使硅片表面的烘干结块、大颗粒物迅速剥落，达到“粗洗”的效果，清洗时间为10分钟； 第二步:进入超声波水槽中清洗，清洗30分钟，超声波功率3000W，主要清洗去除小颗粒固体物。第三步:进入体积比浓度为30%的装有乙醇的水槽中，超声波清洗40分钟，本次清洗主要去除浆料油性成份，同时进一步去除小颗粒附着物及硅片表面有机沾污。第四步:采用去离子水浸泡清洗10分钟，去除步骤三中硅片表面的有机溶剂。根据对比例，实施例1和实施例2做出如下的表格。表1:采用上述硅片的太阳能电池各项性能对比数值表__ Eta[%] Isc[A]Uoc[V]FF[%]Rs[mohn] Rsh[ohm] ￥親清洗方案(对比例) 18.98f 8.984~0.638179.131.97323.29 苯专利技术清洗方案(实施例1) 19.53~9.220~0.639279.21342.8437.47 苯专利技术清洗方案(实施例2) 119.23% \9.130|θ.6387卜9.20丨320.22丨54.17本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种针对开膜腐蚀性浆料的清洗工艺，其特征在于：包括以下步骤：1）硅片经过高温处理后，在30秒内快速投入装有清水的水槽中，静置5~10分钟；2）将经过步骤1处理的硅片投入装有清水的超声波水槽，清洗15~30分钟，超声波功率1000~3000W；3）将经过步骤2处理的硅片投入装有体积比浓度为5~30%的有机溶剂的水槽中，超声波清洗10~40分钟；4）将经过步骤3处理的硅片投入去离子水中浸泡清洗5~10分钟。

【技术特征摘要】
1.一种针对开膜腐蚀性浆料的清洗工艺，其特征在于:包括以下步骤: 1)硅片经过高温处理后，在30秒内快速投入装有清水的水槽中，静置5?10分钟； 2)将经过步骤I处理的硅片投入装有清水的超声波水槽，清洗15?30分钟，超声波功率100(T3000W ； 3)将...

【专利技术属性】
技术研发人员：王明明，奚彬，陈同银，刘仁中，张斌，邢国强，
申请(专利权)人：奥特斯维能源太仓有限公司，
类型：发明
国别省市：