【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体聚合物交叉引用相关专利申请并且以引用的方式并入本专利申请要求提交于2011年4月15日的美国临时专利申请N0.61/517，205的优先权，特此将该临时专利申请的全文以引用的方式并入。政府许可权利本专利技术根据美国国家科学基金会(National Science Foundation)和美国空军科学研究处(Air Force Office of Scientific Research)授予的第 DMR-1004195 和FA9550-09-1-0220号资助在政府支持下完成。政府可享有本专利技术的某些权利。
本专利技术涉及基于半导体共轭聚合物的半导体聚合物。本专利技术还涉及它们在电光学器件和电子器件中的用途。
技术介绍
本体异 质结(bulk heterojunction, BHJ)聚合物太阳能电池与其无机对应物相比具有许多优点，例如低制造成本、易加工性、柔性和制备大面积器件的可能性(Braga等人，Sol.Energy Mater.Sol.Cells (《《太阳能材料与太阳能电池》》)，2008，92，418)。然而，主要缺点是它们的功率转换效率(...
【技术保护点】
一种具有选自式(I)?(VI)的化学式的半导体聚合物：其中X1、X2、X3和X4独立地选自O、S、Se、NH和CH2；R1、R2、R3和R4独立地选自H、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、杂芳基、杂芳氧基、可交联部分和低聚(乙二醇)；Y1、Y2、Y3、Y4、Y5和Y6独立地选自O、S、Se和氨基；Z选自酯、酮、酰胺、氰基、烷基、多氟烷基、多氯烷基、芳基和杂芳基；Z1和Z2独立地选自CH和N；W选自H、卤素、氰基、二氰基乙烯基和三氰基乙烯基；并且n为大于0的整数。FDA0000435906220000011.jpg
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.04.15 US 61/517,2051.一种具有选自式(I)-(VI)的化学式的半导体聚合物: 2.一种具有选自式(I)-(V)的化学式的半导体聚合物: 3.根据权利要求1-2中任一项所述的半导体聚合物，其具有式(I): 4.根据权利要求1-2中任一项所述的半导体聚合物，其具有式(II): 5.根据权利要求1-2中任一项所述的半导体聚合物，其具有式(III): 6.根据权利要求1-2中任一项所述的半导体聚合物，其具有式(IV): 7.根据权利要求1-2中任一项所述的半导体聚合物，其具有式(V): 8.根据权利要求7所述的半导体聚合物，其中X1和X2独立地选自O、S、NH和CH2。9.根据权利要求7-8中任一项所述的半导体聚合物，其中X1和X2独立地为O。10.根据权利要求7-9中任一项所述的半导体聚合物，其中R1和R2独立地为烷基。11.根据权利要求7-10中任一项所述的半导体聚合物，其中R1和R2独立地为C1,烷基。12.根据权利要求7-11中任一项所述的半导体聚合物，其中R1和R2相同。13.根据权利要求7-11中任一项所述的半导体聚合物，其中R1和R2中的任一者为2-乙基己基。14.根据权利要求7-13中任一项所述的半导体聚合物，其中Y1和Y2为S。15.根据权利要求7-13中任一项所述的半导体聚合物，其中Y1和Y2为Se。16.根据权利要求7-15中任一项所述的半导体聚合物，其中Y3和Y4为Se。17.根据权利要求7-16中任一项所述的半导体聚合物，其中Z为酯。18.根据权利要求7-17中任一项所述的半导体聚合物，其中Z为-C(O)OCH2CH(C2H5)C4H9。19.根据权利要求7-18中任一项所述的半导体聚合物，其中W为H或卤素。20.根据权利要求7-19中任一项所述的半导体聚合物，其中W为F。21.根据权利要求7所述的半导体聚合物，其具有选自 22.根据权利要求21所述的半导体聚合物，其中R1...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。