【技术实现步骤摘要】
射频识别标签芯片自动失谐稳压电路
本专利技术涉及集成电路。特别是一种射频识别标签芯片自动失谐稳压电路。
技术介绍
随着微电子技术的飞速发展，CMOS工艺已能制造应用于微波波段的芯片,射频电路能集成到大规模数字电路的芯片上。以CMOS工艺制造的低成本无线系统将会开拓出更为宽广的应用领域。射频标签就是一个前景非常好的应用领域。当1973年条形码被推出时，其【专利技术者】曾经预言:25年以后，将有一种新的技术来替代条形码。现在，射频标签已经走到人们面前。它不仅仅是条形码的简单替换品，更能综合无线通讯、微电子、互联网等最新信息技术，对所有社会产品进行从生产、销售、使用甚至回收处理进行全过程监控管理，极大地提高整个社会的运转效率。射频标签的工作频段包括，1:低频标签工作频率在30kHz - 300kHz,典型的工作频率有:125kHz，133kHz。2:高频标签工作频率在3MHz — 30MHz，典型的工作频率为13.56MHz ο 3:超高频标签工作频率大于400MHz，典型工作频率为915MHz、2.45GHz、5.8GHz。一个完整的射频标签通常包括:天线1，片外匹配网络2，整流及电源产生模块3，接收及发送4，数字基带模块及存储单元5。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种射频识别标签芯片自动失谐稳压电路，该电路能主动地调节片内匹配网络参数，稳定所需工作电压范围。本专利技术的技术解决方案如下:一种射频识别标签芯片自动失谐稳压电路，包括天线、片外匹配网络、整流及电源产生模块、接收和发送模块、数字基带控制模块及存储单元，其特点在于在所述的片外匹配网络...
【技术保护点】
一种射频识别标签芯片自动失谐稳压电路，包括天线（1）、片外匹配网络（2）、整流及电源产生模块（3）、接收和发送模块（4）、数字基带控制模块及存储单元（5），其特征在于在所述的片外匹配网络（2）和所述的整流及电源产生模块（3）之间增加了自动失谐片内匹配网络（6），该自动失谐片内匹配网络（6）由电压反馈电路（7）、压控阻抗变换单元（8）及电压控制开关第一MOS管（M1）构成：所述的电压反馈电路（7），由电阻（R1）、第二MOS管（M2）、第三MOS管（M3）、第四MOS管（M4）构成，所述的电阻（R1）的一端接所述的整流及电源产生模块（3）的电压输出端，所述的电阻（R1）的另一端接所述的第二MOS管（M2）的漏极，第二MOS管（M2）的栅极与漏极相连，第三MOS管（M3）的栅极与漏极相连，所述的第四MOS管（M4）的栅极与漏极相连，所述的第二MOS管（M2）的源极接第三MOS管（M3）的漏极、第三MOS管（M3）的源极接第四MOS管（M4）的漏极，第四MOS管（M4）的源极接地，所述的第二MOS管（M2）的栅极与所述的第一MOS管（M1）的栅极相连；所述的压控阻抗变换单元（8）由可变电阻（...
【技术特征摘要】
1.一种射频识别标签芯片自动失谐稳压电路，包括天线(I)、片外匹配网络(2)、整流及电源产生模块(3)、接收和发送模块(4)、数字基带控制模块及存储单元(5)，其特征在于在所述的片外匹配网络(2)和所述的整流及电源产生模块(3)之间增加了自动失谐片内匹配网络(6)，该自动失谐片内匹配网络(6)由电压反馈电路(7)、压控阻抗变换单元(8)及电压控制开关第一 MOS管(Ml)构成: 所述的电压反馈电路(7)，由电阻(R1)、第二 MOS管(M2)、第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)构成，所述的电阻(Rl)的一端接所述的整流及电源产生模块(3)的电压输出端，所述的电阻(Rl)的另一端接所述的第二 MOS管(M...
【专利技术属性】
技术研发人员：李强，杨晓飞，
申请(专利权)人：上海坤锐电子科技有限公司，沈阳市海洋智能产业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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