用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管及其制备方法技术

技术编号:9711992 阅读:186 留言:0更新日期:2014-02-26 19:42
本发明专利技术公开了一种用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管及其制备方法;所述神经导管为圆管型,所述神经导管的管壁上设置有多列通孔,每列通孔沿圆管轴向等间距排布,相邻列的通孔错位排列。本发明专利技术还涉及前述的神经导管的制备方法,包括如下步骤:步骤1,将镁合金管坯一端加工出45°的锥面,进行挤压,得镁合金中间管材;步骤2,将镁合金中间管材经多道次轧制、拉拔后,得毛细管;步骤3,将毛细管进行去应力退火,保温,激光切割,打孔,得多孔导管;步骤4,将多孔导管在超声清洗机中酸洗,电化学抛光处理,即可。本发明专利技术制备方法工艺简单,制备出的用于神经缺损修复的多孔可降解镁合金神经导管壁厚均匀、表面光滑。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是生物材料加工领域,具体为一种。
技术介绍
周围神经缺损的修复材料有自体组织(如神经,血管,脱细胞基质等),然而自体组织来源有限,且会造成供区的永久性损伤。通过导管构建的组织工程化人工神经来桥接修复神经缺损是最具前景的方法。目前应用于神经修复的导管主要集中在高分子聚合物,天然生物材料,这些材料虽然生物相容性优良,但是降解产物容易导致周围组织的炎症反应及管壁塌陷,管壁通透性不佳,降解时间难以精确调控,不利于神经轴突的再生。因此临床上还没有一种理想的神经导管材料被广泛采用。 随着材料科学的进步,可降解金属镁合金材料作为血管支架已应用于人体,该类金属材料不仅具有良好的生物相容性,而且具有适宜的力学特性,管壁支撑作用强,降解速率可控,降解产物为人体必需元素。采用激光加工三维技术,能够精确制备多孔的组织工程金属管状支架,为细胞生长提供三维支架。此外金属镁基材料来源丰富,价格低廉,易于产业化。可见,金属镁基导管是极具临床应用潜力的神经导管材料。基于这些优点,本专利技术首次提出应用可降解金属镁基导管作为神经导管用于周围神经缺损的修复,探索组织工程化人工神经国产化、产业化的新途径,为临床应用奠定基础。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷,本专利技术的目的是提供一种。本专利技术是通过以下技术方案实现的:第一方面,本专利技术提供一种用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管,所述神经导管为圆管型,所述神经导管的管壁上设置有多列通孔,每列通孔沿圆管轴向等间距排布,相邻列的通孔错位排列。优选地,所述神经导管的长度为5~50mm,所述神经导管的厚度为0.1~0.2mm。优选地,所述神经导管的孔隙率为2%~20%,所述通孔的孔径为0.1~0.3mm。第二方面,本专利技术还涉及前述的用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管的制备方法,所述方法包括如下步骤:步骤1,将镁合金管坯一端加工出45°的锥面,进行挤压,得镁合金中间管材;步骤2,将镁合金中间管材经多道次轧制、拉拔后,得毛细管;步骤3,将毛细管进行去应力退火,保温,激光切割,打孔,得多孔导管;步骤4,将多孔导管在超声清洗机中酸洗,电化学抛光处理,即得用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管。优选地,步骤I中,所述镁合金管坯外径为020mm,所述挤压温度为300~400°C,所述镁合金中间管材的外径力0b~08min,壁厚为0.5~1mm,挤压前在模具和镁合金管还内、 外壁上喷涂氮化硼喷雾剂作为润滑剂。优选地,步骤2中,所述毛细管的外径为1~3mm,壁厚为0.1~0.2mm。优选地,步骤3中,所述去应力退火的温度为300~350°C,所述保温的时间为 20 ~30mino优选地,步骤4中,所述酸洗具体为:在酸洗液中超声酸洗5~30min。优选地,所述酸洗液包括如下含量的各组分:磷酸80~100ml/L,氟化氢铵40~ 60g/L,溶剂为去离子水。优选地,步骤4中,所述电化学抛光处理所用的抛光液为磷酸:无水乙醇为1:1或乙二醇乙醚:盐酸为9:1,所述抛光处理的电压为2~8V,抛光处理的时间为20~240s,抛光处理的温度为室温。与现有技术相比,本专利技术具有如下的有益效果:(1)本专利技术制备方法工艺简单,制备出的用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管壁厚均匀、表面光滑。(2)本专利技术用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管的材质生物相容性优良, 管腔支撑效果好,带孔管壁通透性良好,有利于神经轴突的再生,本专利技术采用多孔可降解镁合金神经导管构建的组织工程化人工神经修复系统来桥接修复神经缺损。(3)本专利技术用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管的管壁均匀分布一定数量的孔,有利于缺损的周围神经与管壁外周围组织的营养交换,同时导管壁分布一定数量的孔还起到调控降解速率的作用,有利于实现神经再生所需时间和导管降解时间的匹配。(4)本专利技术用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管采用具有适宜的强韧性可降解镁合金材质,可满足足够的管壁支撑强度防止塌陷。【附图说明】通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本专利技术的其它特征、 目的和优点将会变得更明显:图1为本专利技术中用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管3D效果图;图2为本专利技术中用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管植入成年SD大鼠坐骨神经6mm缺损处手术示意图;图3为本专利技术中用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管植入成年SD大鼠坐骨神经缺损处2个月后的示意图;图4为大鼠足趾照片;其中,a为实验侧;b为健侧;图5为再生神经横断面及纵断面组织学HE染色图,其中左图为再生神经横断面HE 染色图,右图为纵断面组织学HE染色图。【具体实施方式】下面结合具体实施例对本专利技术进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本专利技术,但不以任何形式限制本专利技术。应当指出的是,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本专利技术构思的前提下,还可以做出若干变形和改进。这些都属于本专利技术的保护范围。实施例1本实施例涉及一种用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管,其结构如图1所示,长度为6mm,外径为2mm,壁厚为0.2mm的圆管型,所述神经导管的管壁上设置有4列通?L,每列通孔沿圆管轴向等间距排布,相邻列的通孔错位排列,每列通孔的数量为6个,孔径均为0.3mm。本实施例涉及前述的用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管的制备方法,所示方法包括如下步骤:步骤1,将外径为20mm的Mg-Nd-Zn-Zr镁合金管坯一端加工出45°的锥面,在温度为400°C条件下进行挤压,得镁合金中间管材08x0.5mm (外径X壁厚); 步骤2,将镁合金中间管材经多道次轧制、拉拔后,得外径为2mm,壁厚为0.2mm的毛细管;步骤3,将毛细管在温度为300°C条件下进行去应力退火,保温30min,激光切割,打孔,得多孔导管;步骤4,将多孔导管在超声清洗机中酸洗5~30min (酸洗液包括如下含量的各组分:磷酸80~100ml/L,氟化氢铵40~60g/L,溶剂为去离子水。),电化学抛光处理(采用抛光液为磷酸:无水乙醇体积比为1:1)所述抛光处理的电压为2~8V,抛光处理的时间为20~240s,室温进行,即可得用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管。实施例2本实施例涉及一种用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管,其结构如图1所示,长度为50mm,壁厚为0.15mm,外径为3mm的圆管型,所述神经导管的管壁上设置有8列通孔,每列通孔沿圆管轴向等间距排布,相邻列的通孔错位排列,每列通孔的数量为50个,孔径均为0.03mm。本实施例涉及前述的用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管的制备方法,所示方法包括如下步骤:步骤1,将外径为20mm的Mg-Zn-Zr镁合金管坯一端加工出45°的锥面,在温度为300°C条件下进行挤压,得镁合金中间管材07x0.8mm (外径X壁厚);步骤2,将镁合金中间管材经多道次轧制、拉拔后,得外径为3mm,壁厚为0.15mm的毛细管;步骤3,将毛细管在温度为350°C条件下进行去应力退火,保温20min,激光切割,打孔,得多孔导管;步骤4,将多孔导管在超声清洗机中酸洗5~30min (酸洗液包括如下含量的各组分:磷酸80~100ml/L,氟化氢铵40~60g/L,溶剂为去离子水。),电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管,其特征在于,所述神经导管为圆管型,所述神经导管的管壁上设置有多列通孔,每列通孔沿圆管轴向等间距排布,相邻列的通孔错位排列。

【技术特征摘要】
1.一种用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管,其特征在于,所述神经导管为圆管型,所述神经导管的管壁上设置有多列通孔,每列通孔沿圆管轴向等间距排布,相邻列的通孔错位排列。2.如权利要求1所述的用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管,其特征在于,所述神经导管的长度为5~50mm,所述神经导管的厚度为0.1~0.2mm。3.如权利要求1所述的用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管,其特征在于,所述通孔的孔径为0.03~0.3mm,所述神经导管的孔隙率为2~20%。4.一种如权利要求1所述的用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管的制备方法, 其特征在于,所述方法包括如下步骤:步骤1,将镁合金管坯一端加工出45°的锥面,进行挤压,得镁合金中间管材;步骤2,将镁合金中间管材经多道次轧制、拉拔后,得毛细管;步骤3,将毛细管进行去应力退火,保温,激光切割,打孔,得多孔导管;步骤4,将多孔导管在超声清洗机中酸洗,电化学抛光处理,即可得用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管。5.如权利要求4所述的用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管的制备方法,其特征在于,步骤I中,所述镁合金管坯外径为02(kin,所述挤压温度...

【专利技术属性】
技术研发人员:袁广银张兆锋史永娟
申请(专利权)人:上海交通大学
类型:发明
国别省市:

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