信息处理系统技术方案

一种信息处理系统包括：主存储器，操作为存储数据；以及控制电路，操作为存取所述主存储器的数据。所述主存储器包括非易失性半导体存储器设备和DRAM，所述非易失性半导体存储器设备包含均使用可变电阻器的电可擦除可编程非易失性存储器基元，所述DRAM被设置为在所述控制电路与所述非易失性半导体存储器设备之间的高速缓存存储器。所述非易失性半导体存储器设备具有重写存储的数据的刷新模式。所述控制电路基于对所述非易失性半导体存储器设备的存取数目以所述刷新模式激活所述非易失性半导体存储器设备。

【技术实现步骤摘要】
信息处理系统本申请是申请日为2008年10月17日，专利技术名称为“信息处理系统”的中国专利申请CN200880111698.7 (PCT/JP2008/069287进入中国国家阶段的申请)的分案申请，在此请求原案的相关优先权权益。
本专利技术涉及诸如计算机系统和大容量存储卡系统的信息处理系统，以及更具体而言，涉及这样的信息处理系统，其包括使用可变电阻器作为存储介质的非易失性半导体存储器设备。
技术介绍
近年来，随着各种应用的发展，计算机系统需要具有大存储容量、高速主存储器以改善其性能。在现有技术的计算机系统中使用的主存储器通常包括DRAM。DRAM具有一个晶体管/ 一个基元(ITlC)结构，并因此具有精细构图的限制，这使得难以提供大容量主存储器。另一方面，更精细地构图存储器基元的技术包括电阻可变存储器，如(专利文件I)所提出的在存储器基元中使用可变电阻器。该类型的电阻可变存储器利用了以下事实:硫族化物玻璃的晶体与非晶体之间的电阻比率为100:1或更高，因此存储不同的电阻状态作为信息。电阻可变存储器包括肖特基(SchOttky)二极管与可变电阻器的串联电路，代替晶体管来配置存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种信息处理系统，包括：主存储器，操作为存储数据；以及控制电路，操作为存取所述主存储器的数据，所述信息处理系统的特征在于，所述主存储器包括：非易失性半导体存储器设备，包括存储器基元阵列，其中布置有多个存储器基元，每个存储器基元为使用可变电阻器的电可擦除可编程非易失性存储器基元，并且所述存储器基元阵列被划分为可独立存取的多个划分单元；以及DRAM，被设置为在所述控制电路与所述非易失性半导体存储器设备之间的高速缓存存储器，其中，当存取单元包括多个所述存储器基元，且该多个所述存储器基元在所述多个划分单元的每一个中包括一个存储器基元的情况下，所述控制电路执行刷新模式，从而将存储的数据重写到所述存取单元...

【技术特征摘要】
2007.10.17 JP 269772/20071.一种信息处理系统,包括: 主存储器，操作为存储数据；以及 控制电路，操作为存取所述主存储器的数据， 所述信息处理系统的特征在于， 所述主存储器包括: 非易失性半导体存储器设备，包括存储器基元阵列，其中布置有多个存储器基元，每个存储器基元为使用可变电阻器的电可擦除可编程非易失性存储器基元，并且所述存储器基元阵列被划分为可独立存取的多个划分单元；以及 DRAM，被设置为在所述控制电路与所述非易失性半导体存储器设备之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：永嵨宏行，中井弘人，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：