电缆补偿电路制造技术
【技术实现步骤摘要】
电缆补偿电路相关申请的交叉引用本申请要求享有2012年8月3日向美国专利商标局(The United States Patentand Trademark Office，USPTO)递交的美国专利申请 N0.61/679173、2012 年 9 月 4 日向USPTO递交的美国专利申请N0.61/696367的优先权和权益，以及2013年7月向韩国知识产权局递交的韩国专利申请N0.10-2013-0079957的优先权以及权益，以上专利申请的全部内容均以参考的形式包含在本申请中。
实施例涉及用于对电缆的电压降进行补偿的电缆补偿电路。例如，所述电缆补偿电路对连接到电源装置与电池之间的电缆中产生的电压降进行补偿。
技术介绍
电缆连接在充电器的输出电容器与电池之间。当充电器的输出电流很小时，电缆中产生的电压降没有问题。然而，当输出电流很高(当负载很大时)的时候，电缆中产生的电压降增大以至于向电池提供的电压降低。充电器的输出电压被控制在适合于电池充电的额定电压，然而因为电缆的电压降，所以提供给电池的电压小于额定电压。
技术介绍
部分中所公开的以上信息仅仅用于增加对...
【技术保护点】
一种电缆补偿电路，所述电缆补偿电路连接到并联稳压器上以产生与电源装置的输出电压对应的反馈电压，包括：第一节点，在该第一节点处产生一根据所述电源装置的输出电流来变化的电压；以及二极管，连接在所述第一节点与连接到所述并联稳压器的参考端上的第二节点之间，其中，所述并联稳压器的负极阻抗根据所述第二节点的电压来控制，并且反馈电压根据所述并联稳压器的所述负极阻抗来变化。
【技术特征摘要】
2013.07.08 KR 10-2013-0079957;2012.08.03 US 61/671.一种电缆补偿电路，所述电缆补偿电路连接到并联稳压器上以产生与电源装置的输出电压对应的反馈电压，包括: 第一节点，在该第一节点处产生一根据所述电源装置的输出电流来变化的电压；以及二极管，连接在所述第一节点与连接到所述并联稳压器的参考端上的第二节点之间，其中，所述并联稳压器的负极阻抗根据所述第二节点的电压来控制，并且反馈电压根据所述并联稳压器的所述负极阻抗来变化。2.根据权利要求1所述的电缆补偿电路，其中，所述第一节点连接到一整流二极管的正极上，所述输出电流流向所述整流二极管的所述正极。3.根据权利要求2所述的电缆补偿电路，进一步包括: 第一电阻器，连接在所述二极管的负极与所述第二节点之间； 第二电阻器，包括连接到所述第二节点上的一端以及连接到接地上的另一端；以及晶体管，包括连接到所述第二节点上的控制端以及连接到所述并联稳压器的所述参考端上的第一端。4.根据权利要求3所述的电缆补偿电路，进一步包括:连接在所述第二节点与所述接地之间的第一电容器。5.根据权利要求3所述的电缆补偿电路，进一步包括:连接在所述二极管的负极与所述接地之间的第二电容器。6.根据权利要求5所述的电缆补偿电路，进一步包括:连接在所述晶体管的所述第一端与所述并联稳压器的所述参考端之间的第三电阻器。7.根据权利要求3所述的电缆补偿电路，进一步包括: 第四电阻器，连接在所述第二节点与所述晶体管的所述控制端之间；以及 第五电阻器，连接在所述晶体管的所述第一端与所述并联稳压器的所述参考端之间。8.根据权利要求3所述的电缆补偿电路，进一步包括: 第六电阻器，连接在所述第二节点与所述晶体管的所述控制端之间； 第七电阻器，连接在所述第二节点与所述接地之间；以及 第八电阻器，连接在所述晶体管的所述第一端与所述并联稳压器的所述参考端之间。9.根据权利要求8所述的电缆补偿电路，其中，所述第七电阻器的温度变化特性与所述晶体管的温度变化特性相反。10.根据权利要求3所述的电缆补偿电路，进一步包括: 第八电阻器，连接在所述第二节点与所述晶体管的所述控制端之间； 第一晶体管，连接在所述第三电阻器的所述另一端和所述接地之间并且以二极管方式连接；以及 第九电阻器，连接在所述晶体管的所述第一端与所述并联稳压器的所述参考端之间。11.根据权利要求10所述的电缆补偿电路，其中，所述第一晶体管的正向电压根据温度改变来减小以补偿所述晶体管对应于温度改变的电流增加，或者所述第一晶体管的正向电压根据温度改变来增加以补偿所述晶体管对应于温度改变的电流减小。12.根据权利要求2所述的电缆补偿电路，进一步包括: 第十电阻器，连接在所述二极管的负极与所述第二节点之间； 第十一电阻器，包括连接到所述第二节点上的第一端以及连接到所述接地上的另一端；以及 第一并联稳压器，连接到所述并联稳压器的所述参考端上；并且 流向所述第一并联稳压器的电流根据所述第二节点的电压来变化以使所述并联稳压器的参考端电压发生变化。13.根据权利要求12所述的电缆补偿电路，其中，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴英培，张银成，尹在汉，安炳学，金镇兑，金泰星，具官本，洪根义，
申请(专利权)人：快捷韩国半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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