一种BIPV薄膜光伏组件的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种BIPV薄膜光伏组件的制作方法，包括：提供一常规薄膜光伏组件，所述常规薄膜光伏组件包括多个薄膜光伏电池，所述薄膜光伏电池呈条状；利用激光刻线工艺对所述常规薄膜光伏组件进行处理，形成透光带，所述透光带的宽度在0.3mm以上。由于增大了透光带的宽度，则相较于现有的具有相同面积、相同透过率的BIPV薄膜光伏组件而言，本发明专利技术所提供的BIPV薄膜光伏组件具有更少的透光带，则在制作透光带时，对透光带边界处的薄膜半导体层的影响也会相应减少，进而提高了整体BIPV薄膜光伏组件的输出功率。并且，由于非透光部分（即子组件）宽度增加，则大大降低了缺陷点对输出功率的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种BIPV薄膜光伏组件的制作方法
本专利技术涉及太阳电池制造
，尤其涉及一种BIPV薄膜光伏组件的制作方法。
技术介绍
光伏建筑一体化(BuildingIntegratedPhotovoltaics，BIPV)技术将光伏组件集成在建筑上，使之不仅具备发电功能，还同时作为建筑材料使用。尤其是作为采光型光伏组件的薄膜光伏组件，其既要满足集成到建筑上的要求，又要具备一定的透光性。如图1所示，常规的薄膜光伏组件包括设置于一衬底10上的若干薄膜光伏电池11，所述若干薄膜光伏电池11通过内集成的方法实现串联，在位于最两端的薄膜光伏电池11处各设置有一个电极(第一电极10a和第二电极10b)分别作为组件的正负极，通过激光刻蚀的方法将组件四周的薄膜膜层去掉，使组件四周区域成为清边区。如图2所示，现有的BIPV薄膜光伏组件是在常规薄膜光伏组件的基础上得来的，包括第一电极20a和第二电极20b，透光带22垂直于薄膜光伏电池的延伸方向，在透光带22处，组件的膜半导体层及背电极层被激光刻蚀掉以实现透光；保留下来的部分被透光带22分割成一系列相互独立的子组件21，所述多个子组件21呈阵列方式排布，同一行的子组件21串联，多行子组件21通过设置在两端的第一电极20a和第二电极20b并联。其中，所述透光带22的宽度由激光器的光斑直径的大小决定，为了保留完整的前电极层，降低缺陷点对BIPV薄膜光伏组件功率的影响，现有的生产工艺中一般采用光斑直径0.15mm～0.2mm的绿激光对上述常规薄膜光伏组件进行刻线，形成一系列与薄膜光伏电池延伸方向垂直且具有一定宽度和固定间隔的透光带22。如果绿激光的光斑直径具体为0.2mm，则所述透光带22的宽度也为0.2mm。但是，现有的BIPV薄膜光伏组件的输出功率会低于具有相同工作面积的常规光伏组件的输出功率。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术申请的目的在于提供一种BIPV薄膜光伏组件的制作方法及BIPV薄膜光伏组件，以提高输出功率。为实现上述目的，本专利技术提供了如下技术方案：一种BIPV薄膜光伏组件的制作方法，包括：提供一常规薄膜光伏组件，所述常规薄膜光伏组件包括多个薄膜光伏电池，所述薄膜光伏电池呈条状；利用激光刻线工艺对所述常规薄膜光伏组件进行处理，形成透光带，所述透光带的宽度在0.3mm以上；利用激光刻线工艺对所述常规薄膜光伏组件进行处理的过程，具体包括：利用光斑直径为0.6mm～1mm的红外激光刻掉所述常规薄膜光伏组件的半导体层、前电极及背电极层，经一次或多次刻线，形成宽度在0.3mm以上的透光带。优选的，所述透光带均匀分布。优选的，所述透光带不均匀分布。优选的，所述透光带的宽度为0.5mm～5mm。优选的，所述透光带的宽度为1mm。优选的，所述透光带垂直于所述薄膜光伏电池。本专利技术所提供的技术方案中，利用激光刻线工艺对常规薄膜光伏组件进行处理，形成透光带，所述透光带的宽度在0.3mm以上。由于增大了透光带的宽度，则相较于现有的具有相同面积、相同透过率的BIPV薄膜光伏组件而言，本专利技术所提供的BIPV薄膜光伏组件具有更少的透光带，则在制作透光带时，对透光带边界处的薄膜半导体层的影响也会相应减少，进而提高了整体BIPV薄膜光伏组件的输出功率。此外，由于增大了透光带的宽度，则在BIPV薄膜光伏组件透过率一定的情况下，两透光带之间的非透光区的宽度也会增加，从而会大大降低缺陷点对输出功率的影响。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为常规的薄膜光伏组件示意图；图2为现有的BIPV薄膜光伏组件示意图；图3为常规的薄膜光伏组件剖面图；图4为本专利技术提供的一种BIPV薄膜光伏组件示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。正如
技术介绍
部分所述，现有的BIPV薄膜光伏组件的输出功率低于具有相同工作面积的常规光伏组件的输出功率。专利技术人研究发现，现有的BIPV薄膜光伏组件在激光刻线的时候，不可避免的，激光会对透光带的边界造成影响，降低BIPV薄膜光伏组件的输出功率，而为了保留完整的前电极层，降低缺陷点对BIPV薄膜光伏组件功率的影响，现有的生产工艺中一般采用光斑直径0.15mm～0.2mm的绿激光对上述常规薄膜光伏组件进行刻线，所述透光带的宽度也便在0.15mm～0.2mm之间，透光带的宽度较小，则对于具有一定面积、一定透过率的BIPV薄膜光伏组件而言，透光带越多，光伏组件的输出功率便越低。本专利技术公开了一种BIPV薄膜光伏组件的制作方法，包括：提供一常规薄膜光伏组件，所述常规薄膜光伏组件包括多个薄膜光伏电池，所述薄膜光伏电池呈条状；利用激光刻线工艺对所述薄膜光伏组件进行处理，形成透光带，所述透光带的宽度在0.3mm以上。由上述方案可以看出，由于增大了透光带的宽度，则相较于现有的具有相同面积、相同透过率的BIPV薄膜光伏组件而言，本专利技术所提供的BIPV薄膜光伏组件具有更少的透光带，则在制作透光带时，对透光带边界处的薄膜半导体层的影响也会相应减少，进而提高了整体BIPV薄膜光伏组件的输出功率。以上是本申请的核心思想，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。本专利技术实施例公开了一种BIPV薄膜光伏组件的制作方法，包括：提供一常规薄膜光伏组件，所述常规薄膜光伏组件包括多个薄膜光伏电池，所述薄膜光伏电池呈条状。具体的，如图1所示，常规的薄膜光伏组件是通过激光刻线的方法将设置于一衬底10上的整片光伏组件划分为多个薄膜光伏电池11，所述多个薄膜光伏电池11通过内集成的方法实现串联，在位于最两端的薄膜光伏电池11处各设置有一个电极(第一电极10a和第二电极10b)分别作为组件的正负极，通过激光刻蚀的方法将组件四周的薄膜膜层去掉，使组件四周区域成为清边区。如图3所示(图3为沿A-A’线的剖面图)，衬底10为透明衬底，优选为玻璃衬底；在所述衬底10表面上设置有前电极2，所述前电极2为透明的导电氧化物薄膜电极，且所述前电极2为条状电极，是通过激光刻线工艺对淀积在衬底1表面上的透明导电氧化物薄膜层进行刻线处理后得到的；在所述前电极2表面上设置有半导体薄膜3，所述半导体薄膜3为条状，是通过激光刻线工艺对淀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种BIPV薄膜光伏组件的制作方法，其特征在于，包括：提供一常规薄膜光伏组件，所述常规薄膜光伏组件包括多个薄膜光伏电池，所述薄膜光伏电池呈条状；利用激光刻线工艺对所述常规薄膜光伏组件进行处理，形成透光带，所述透光带的宽度在0.3mm以上。

【技术特征摘要】
1.一种BIPV薄膜光伏组件的制作方法，其特征在于，包括：提供一常规薄膜光伏组件，所述常规薄膜光伏组件包括多个薄膜光伏电池，所述薄膜光伏电池呈条状；利用激光刻线工艺对所述常规薄膜光伏组件进行处理，形成透光带，所述透光带的宽度在0.6mm以上；利用激光刻线工艺对所述常规薄膜光伏组件进行处理的过程，具体包括：利用光斑直径为0.6mm～1mm的红外激光刻掉所述常规薄膜光伏组件的半导体层、前电极及背电极层，经一...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩亮，周洁，熊丰，姜骥，
申请(专利权)人：龙焱能源科技杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：