一种BIPV薄膜光伏组件的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种BIPV薄膜光伏组件的制作方法，包括：提供一常规薄膜光伏组件，所述常规薄膜光伏组件包括多个薄膜光伏电池，所述薄膜光伏电池呈条状；利用激光刻线工艺对所述常规薄膜光伏组件进行处理，形成透光带，所述透光带的宽度在0.3mm以上。由于增大了透光带的宽度，则相较于现有的具有相同面积、相同透过率的BIPV薄膜光伏组件而言，本发明专利技术所提供的BIPV薄膜光伏组件具有更少的透光带，则在制作透光带时，对透光带边界处的薄膜半导体层的影响也会相应减少，进而提高了整体BIPV薄膜光伏组件的输出功率。并且，由于非透光部分（即子组件）宽度增加，则大大降低了缺陷点对输出功率的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种BIPV薄膜光伏组件的制作方法
本专利技术涉及太阳电池制造
，尤其涉及一种BIPV薄膜光伏组件的制作方法。
技术介绍
光伏建筑一体化(BuildingIntegratedPhotovoltaics，BIPV)技术将光伏组件集成在建筑上，使之不仅具备发电功能，还同时作为建筑材料使用。尤其是作为采光型光伏组件的薄膜光伏组件，其既要满足集成到建筑上的要求，又要具备一定的透光性。如图1所示，常规的薄膜光伏组件包括设置于一衬底10上的若干薄膜光伏电池11，所述若干薄膜光伏电池11通过内集成的方法实现串联，在位于最两端的薄膜光伏电池11处各设置有一个电极(第一电极10a和第二电极10b)分别作为组件的正负极，通过激光刻蚀的方法将组件四周的薄膜膜层去掉，使组件四周区域成为清边区。如图2所示，现有的BIPV薄膜光伏组件是在常规薄膜光伏组件的基础上得来的，包括第一电极20a和第二电极20b，透光带22垂直于薄膜光伏电池的延伸方向，在透光带22处，组件的膜半导体层及背电极层被激光刻蚀掉以实现透光；保留下来的部分被透光带22分割成一系列相互独立的子组件21，所述多个子组件21呈阵列方式排布，同一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种BIPV薄膜光伏组件的制作方法，其特征在于，包括：提供一常规薄膜光伏组件，所述常规薄膜光伏组件包括多个薄膜光伏电池，所述薄膜光伏电池呈条状；利用激光刻线工艺对所述常规薄膜光伏组件进行处理，形成透光带，所述透光带的宽度在0.3mm以上。

【技术特征摘要】
1.一种BIPV薄膜光伏组件的制作方法，其特征在于，包括：提供一常规薄膜光伏组件，所述常规薄膜光伏组件包括多个薄膜光伏电池，所述薄膜光伏电池呈条状；利用激光刻线工艺对所述常规薄膜光伏组件进行处理，形成透光带，所述透光带的宽度在0.6mm以上；利用激光刻线工艺对所述常规薄膜光伏组件进行处理的过程，具体包括：利用光斑直径为0.6mm～1mm的红外激光刻掉所述常规薄膜光伏组件的半导体层、前电极及背电极层，经一...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩亮，周洁，熊丰，姜骥，
申请(专利权)人：龙焱能源科技杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：