采用导电封装材料的半导体器件电磁屏蔽结构及制作方法技术

技术编号:9669670 阅读:133 留言:0更新日期:2014-02-14 11:53
本发明专利技术提供一种采用导电封装材料的半导体器件电磁屏蔽结构,包括一有机基板,有机基板具有两个相对的导体面,两个导体面之间的有机基板内设有金属屏蔽层;在有机基板的一个导体面上贴装有芯片;芯片被一帽状有机绝缘层包盖在内,帽状有机绝缘层的帽沿部与该导体面结合;在有机基板中开有电连接两个导体面且电连接金属屏蔽层的电通孔;贴装有芯片的有机基板的那一导体面上覆盖有导电封装材料,导电封装材料将帽状有机绝缘层完全包覆在内,导电封装材料与电通孔的一端连接,通过电通孔与金属屏蔽层以及有机基板的另一导体面电连接。芯片的连接凸点通过信号与电源通道与有机基板的另一个导体面电连接。本发明专利技术能提供更好的屏蔽效果且制作方便。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件电磁屏蔽结构,尤其是一种采用导电封装材料的半导体器件电磁屏蔽结构。
技术介绍
目前随着电子产品多功能化和小型化的潮流,高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流,尤其在手持式便携式产品上得到推广应用。微组装密度和集成度的骤然提高,对于有限空间内对较强电磁辐射的器件进行电磁屏蔽提出了更高的要求,工艺难度增加。图1是现有的一种电磁屏蔽解决方案,主要是在半导体封装结构上设置一个电磁屏蔽罩,用于屏蔽芯片间的电磁干扰。但没有考虑电磁辐射从器件底部泄露的问题和封装结构尺寸较大的问题。屏蔽罩101考虑了屏蔽芯片108和112之间的互相干扰,但没有考虑芯片112从底部泄露辐射的处理。并且当匹配不同大小的屏蔽芯片时,需要各种不同尺寸的屏蔽罩,屏蔽罩通常需要开模制作,而开多种模具的成本比较高昂。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种,一方面在承载芯片的有机基板内设有屏蔽层以提供具有两面电磁屏蔽结构的封装结构,获得更好的电磁屏蔽效果;另一方面采用导电封装材料来进行塑封,可以在塑封的同时形成电磁屏蔽结构,制作更加方便。本专利技术采用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用导电封装材料的半导体器件电磁屏蔽结构,其特征在于:包括一有机基板(1),所述有机基板(1)具有两个相对的导体面,两个导体面之间的有机基板内设有至少一层金属屏蔽层(2);在有机基板(1)的一个导体面上贴装有芯片(3),芯片(3)的连接凸点(31)与该导体面连接;所述芯片(3)被一帽状有机绝缘层(5)包盖在内,帽状有机绝缘层(5)的帽沿部与该导体面结合;在有机基板(1)中开有电连接两个导体面且电连接金属屏蔽层(2)的电通孔(6);贴装有芯片(3)的有机基板(1)的那一导体面上覆盖有导电封装材料(8),导电封装材料(8)将帽状有机绝缘层(5)完全包覆在内,导电封装材料(8)与电通孔(6)的一...

【技术特征摘要】
1.一种采用导电封装材料的半导体器件电磁屏蔽结构,其特征在于:包括一有机基板(I),所述有机基板(I)具有两个相对的导体面,两个导体面之间的有机基板内设有至少一层金属屏蔽层(2); 在有机基板(I)的一个导体面上贴装有芯片(3),芯片(3)的连接凸点(31)与该导体面连接;所述芯片(3)被一帽状有机绝缘层(5)包盖在内,帽状有机绝缘层(5)的帽沿部与该导体面结合; 在有机基板(I)中开有电连接两个导体面且电连接金属屏蔽层(2)的电通孔(6);贴装有芯片⑶的有机基板⑴的那一导体面上覆盖有导电封装材料(8),导电封装材料(8)将帽状有机绝缘层(5)完全包覆在内,导电封装材料(8)与电通孔(6)的一端连接,通过电通孔(6)与金属屏蔽层(2)以及有机基板⑴的另一导体面电连接; 芯片(3)的连接凸点(31)通过贯通有机基板(I)且与金属屏蔽层(2)绝缘的信号与电源通道(7)与有机基板(I)的另一个导体面电连接。2.如权利要求1所述的采用导电封装材料的半导体器件电磁屏蔽结构,其特征在于:相对于贴装有芯片(3)的有机基板(I)导体面的另一导体面上植有焊球(9),焊球(9)中的接地焊球(91)电连接电通孔(6),信号与电源焊球(92)电连接信号与电源通道(7)。3.如权利要求2所述的采用导电封装材料的半导体器件电磁屏蔽结构,其特征在于:所述芯片(3)底部填充有芯片底填(4),且芯片底填(4)被帽状有机绝缘层(5)包盖在内。4.如权利要求 3所述的采用导电封装材料的半导体器件电磁屏蔽结构,其特征在于:所述帽状有机绝缘层(5)通过喷涂有机绝缘材料在芯片(3)和芯片底填(4)的外表面而形成。5.如权利要求1~4中任一项所述的采用导电封装材料的半导体器件电磁屏蔽结构,其特征在于:所述电通孔(6)分布在帽状有机绝缘层(5)的四周,并且与帽状有机绝缘层(5)的帽沿部间隔一个距离。6.如权利要求1~4中任一项所述的采用导电封装材料的半导体器件电磁屏蔽结构,其特征在于:所述金属屏蔽层(2)为覆铜层。7.如权利要求1~...

【专利技术属性】
技术研发人员:王宏杰孙鹏徐健
申请(专利权)人:华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1