【技术实现步骤摘要】
光刻胶曝光装置
本专利技术属于OLED显示
，具体涉及一种光刻胶曝光装置。
技术介绍
光刻技术是现代微电子和平板产业最常用的工程技术，采用该技术可以将掩模板上的电路图案转移到基板上。在光刻方法中，光刻胶是最关键的光刻原材料，光刻胶按照吸收紫外光所产生的溶解度的不同变化，可以分为正性光刻胶和负性光刻胶两种，正性光刻胶受光照溶解度变大，负性光刻胶受光照溶解度变小。现有的光刻方法中，掩膜板^位于涂敷有光刻胶2 ^的基板的正上方，光束发生装置产生的曝光光束4 '透过掩模板I ^上的电路图案的透光部分11 ^照射到基板3 ;上的光刻胶2'上，实现光刻胶2'的曝光，如图1所示，掩模板I ^上透光部分11 ^的边缘会产生光线散射，因此与透光部分边缘处对应的光刻胶2'吸收紫外光的能量是渐变的，如图2所示，又由于光刻胶2 '在一定的温度下烘烤会产生流动性，因此经过曝光显影烘烤后的光刻胶图案会在其边缘会产生角度，按照光刻胶2 '性质的不同，正性光刻胶产生边缘与基板3'表面成钝角的光刻胶图案，负性光刻胶产生边缘与基板3 '表面成锐角的光刻胶图案，分别如图3、4所示。在...
【技术保护点】
一种光刻胶曝光装置，其特征在于：包括掩模板、反射金属薄膜和光束发生装置，掩模板的透光部分为光栅，曝光时，掩模板位于涂敷有光刻胶的基板的正上方，反射金属薄膜置于基板上与光栅对应的位置处，光束发生装置产生的曝光光束透过掩模板上的光栅均匀的直射到基板上的光刻胶上，实现光刻胶的曝光，同时，反射金属薄膜的边缘对照射到其上的曝光光束产生散射。
【技术特征摘要】
1.一种光刻胶曝光装置，其特征在于:包括掩模板、反射金属薄膜和光束发生装置，掩模板的透光部分为光栅，曝光时，掩模板位于涂敷有光刻胶的基板的正上方，反射金属薄膜置于基板上与光栅对应的位置处，光束发生装置产生的曝光光束透...
【专利技术属性】
技术研发人员：闫晓剑，田朝勇，
申请(专利权)人：四川虹视显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。