光刻胶组合物和形成光刻图案的方法技术

光刻胶组合物和形成光刻图案的方法。一种光刻胶组合物，所述光刻胶组合物包含：包含酸不稳定基团的第一聚合物；第二聚合物，所述第二聚合物包含：由下列通式(I)的第一单体形成的第一单元，其中：P是可聚合的官能团；R1选自取代和未取代的C1-C20线性、支化和环状烃；Z是选自取代和未取代的线性或支化脂肪族和芳族烃及其组合的间隔单元，任选具有一个或多个选自-O-、-S-和-COO-的连接结构部分；和n是0-5的整数；以及由具有碱性结构部分的第二单体形成的第二单元，其中第一单体和第二单体不相同；其中第二聚合物不含酸不稳定基团且其中第二聚合物具有比第一聚合物低的表面能；光酸产生剂；和溶剂。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子设备的制备。更具体地说，本专利技术涉及光刻胶组合物和光刻方法，该方法允许使用负色调显影工艺(negative tone development process)形成精细图案(fine patterns)。
技术介绍
人们已经从材料和工艺两个角度做了相当大的努力来扩展浸溃光刻方法中正色调显影(positive tone development)的实际分辩率性能。其中的--个实施例包括负色调显影(NTD)，即一种图像翻转技术，其允许使用用于印刷临界暗区层的明区掩模获得优异的图像质量。NTD光刻胶通常使用具有酸不稳定基团的树脂和光酸产生剂。暴露于光化辐射下导致光酸产生剂形成酸，该酸在后曝光(post-exposure)烘焙期间引发树脂中的酸不稳定基团解离。由此，在曝光和未曝光的光刻胶区域之间产生在有机显影剂中的溶解特性的差别，这样使得可通过显影剂除去光刻胶的未曝光区域，留下由不溶的曝光区域产生的图案。此类方法描述在例如Goodall等的美国专利N0.6，790, 579中。对于所述光刻胶化学现象，所述光刻胶层的曝光区域可以用碱性显影剂有选择地除去，或者替代地，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻胶组合物，所述光刻胶组合物包含：包含酸不稳定基团的第一聚合物；第二聚合物，所述第二聚合物包含：由下列通式(I)的第一单体形成的第一单元：其中：P是可聚合的官能团；R1选自取代和未取代的C1?C20线性、支化和环状烃；Z是选自取代和未取代的线性或支化脂肪族和芳族烃及其组合的间隔单元，任选具有一个或多个选自?O?、?S?和?COO?的连接结构部分；和n是0?5的整数；以及由具有碱性结构部分的第二单体形成的第二单元，其中第一单体和第二单体不相同；其中第二聚合物不含酸不稳定基团且其中第二聚合物具有比第一聚合物低的表面能；光酸产生剂；和溶剂。FSA0000096382720000011.tif

【技术特征摘要】
2012.07.31 US 61/678,0941.一种光刻胶组合物，所述光刻胶组合物包含: 包含酸不稳定基团的第一聚合物； 第二聚合物，所述第二聚合物包含: 由下列通式(I)的第一单体形成的第一单元: 2.权利要求1的光刻胶组合物，其中第一单元由下列通式(1-1)的单体形成: 3.权利要求2的光刻胶组合物，其中R4选自氟化和非氟化C3-C8烷基。4.权利要求1-3中任一项的光刻胶组合物，其中第二单元由包含可聚合基团和碱性结构部分的单体形成，所述可聚合基团选自(烷基)丙烯酸酯、乙烯基、烯丙基和马来酰亚胺，以及所述碱性结构部分选自胺。5.权利要求1-3中任一项的光刻胶组合物，其中第二单元由包含可聚合基团和碱性结构部分的单体形成，所述可聚合基团选自(烷基)丙烯酸酯、乙烯基、烯丙基和马来酰亚酰胺，以及所述碱性结构部分选自酰胺。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴钟根，C·N·李，C·安德斯，D·王，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：