Al或Al合金制造技术

本发明专利技术涉及一种具有阳极氧化膜的Al或Al合金，所述阳极氧化膜在其厚度方向具有硬度不同的部位，其中的硬度最大部位的硬度与硬度最小部位的硬度的差以维氏硬度计为5以上。优选所述Al或Al合金的硬度最小部位的硬度以维氏硬度计为300以上。另外，优选所述Al或Al合金的阳极氧化膜的Fe含量500ppm以下。本发明专利技术的Al或Al合金即使为高硬度，仍具有耐裂纹性优异的阳极氧化膜。

Al or Al alloy

The present invention relates to a Al or Al alloy with anodized film, the anodic oxide film with different parts of hardness in the thickness direction, the hardness of the largest part of the hardness and hardness of the smallest position of the hardness difference in Vivtorinox hardness is above 5. The hardness of the minimum hardness of the Al or Al alloy is preferably more than 300 of the Vivtorinox hardness tester. In addition, it is preferred that the Fe content of the anodic oxide film of the Al or Al alloy is below 500ppm. The Al or Al alloy of the present invention has an excellent anodic oxide film with excellent crack resistance, even for high hardness.

【技术实现步骤摘要】
Al或Al合金本申请是申请号:200880014768.7，申请日:2008.04.18，专利技术名称-.uAl或Al合金”的申请的分案申请。
本专利技术属于涉及Al或Al合金的
，特别是属于涉及到CVD装置、PVD装置、离子注入装置、溅射装置、干法刻蚀装置等的半导体和液晶的制造装置的真空室的构件和设于其内部的构件所使用的Al或Al合金的
。
技术介绍
在CVD装置、PVD装置、离子注入装置、溅射装置、干法刻蚀装置等的半导体和液晶的制造装置的真空室的内部，由于含有卤族元素的腐蚀性气体作为反应气体、刻蚀气体、清洗气体被导入，因此要求其具有对于腐蚀性气体的耐腐蚀性(以下也称为耐气体腐蚀性)。另外，在上述真空室之中，因为多使卤族的等离子体发生，所以对于等离子体的耐性(以下也称为耐等离子体性)也受到重视(参照特开2003-34894号公报，特开2004-225113号公报等)。近年来，作为这样的真空室的构件，采用的是轻量且热传导性优异的Al和Al合金。然而，Al和Al合金不具有充分的耐气体腐蚀性及耐等离子体性，因此提出有各种用于使这些特性提高的表面改质技术，但是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Al或Al合金，具有阳极氧化膜，其特征在于，所述阳极氧化膜在其厚度方向上具有硬度不同的部位，其中硬度最大部位的硬度与硬度最小部位的硬度的差以维氏硬度计为5以上30以下，并且，所述阳极氧化膜中的Fe含量为500ppm以下，所述Al或Al合金被用于半导体和液晶的制造装置的真空室的构件和设于其内部的构件。

【技术特征摘要】
2007.05.21 JP 2007-1345031.一种Al或Al合金，具有阳极氧化膜，其特征在于，所述阳极氧化膜在其厚度方向上具有硬度不同的部位，其中硬...

【专利技术属性】
技术研发人员：久本淳，和田浩司，
申请(专利权)人：株式会社神户制钢所，
类型：发明
国别省市：