含有纳米颗粒的介电组合物制造技术

技术编号:9597737 阅读:114 留言:0更新日期:2014-01-23 02:59
本发明专利技术涉及一种介电组合物,其包含至少一种介电有机流体、优选为至少一种氟化酮和/或至少一种氟化烯烃以及纳米颗粒。

【技术实现步骤摘要】
含有纳米颗粒的介电组合物
本专利技术涉及一种介电组合物,所述组合物包含介电流体、其用途以及一种含有这种介电组合物作为绝缘介质的电子装置。
技术介绍
介电组合物在大量应用以及例如在尤其是在中压、高压或者最高电压范围内运行的电子装置中被用作为绝缘介质,使得引导电压的组件与其他组件绝缘。一种已知的以及几十年以来被应用于该目的的介电的绝缘介质是六氟化硫,其特点在于优秀的介电性能以及出色的消弧光特性。然而,六氟化硫及其分解产物具有较高的温室潜势以及较高的二氧化碳当量,因此,对于其替代材料的需求日益高涨。为了这一目的,在WO2010/142346A1中例如提出了使用氟化酮作为介电绝缘介质。尽管氟化酮(Fluorketone)明显是比六氟化硫更加有益于环境并且尤其是也有益于气候。然而,氟化酮在应用技术上的特性要比六氟化硫差。尤其是已经表明,氟化酮在用作为电子装置中的绝缘介质时具有比较低的使用寿命,因为其在运行条件下倾向于分解。出于这个原因,这些物质的绝缘作用就随着运行时间的增加而发生改变,因此,以此驱动的电子装置的运行安全性就随着运行时间的递增而变得更差。为了应对这一不足,所述绝缘介质可在电子装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
介电组合物,其包含至少一种介电的有机流体和纳米颗粒。

【技术特征摘要】
2012.06.29 DE 102012211255.31.介电组合物,其包含至少一种介电的有机流体和纳米颗粒,其中所述组合物包含至少一种氟化酮和/或至少一种氟化烯烃作为介电的流体,其中所得到的流体在5巴的压力条件下具有小于25℃的沸点,和/或所述流体的成分需要在高达大于75℃的温度都是化学稳定的。2.根据权利要求1所述的介电组合物,其特征在于,至少50%的纳米颗粒由相对介电常数εr在1至1000之间的材料所构成。3.根据权利要求2所述的介电组合物,其特征在于,至少75%的纳米颗粒由相对介电常数εr在1至1000之间的材料所构成。4.根据权利要求2所述的介电组合物,其特征在于,至少90%的纳米颗粒由相对介电常数εr在1至1000之间的材料所构成。5.根据权利要求2所述的介电组合物,其特征在于,至少95%的纳米颗粒由相对介电常数εr在1至1000之间的材料所构成。6.根据权利要求2所述的介电组合物,其特征在于,至少99%的纳米颗粒由相对介电常数εr在1至1000之间的材料所构成。7.根据权利要求2所述的介电组合物,其特征在于,所有的纳米颗粒由相对介电常数εr在1至1000之间的材料所构成。8.根据权利要求2所述的介电组合物,其特征在于,所述相对介电常数εr在1至200之间。9.根据权利要求1-7中任一项所述的介电组合物,其特征在于,至少一部分所述纳米颗粒由从金属氧化物、非金属氧化物、金属硼化物、非金属硼化物、金属氮化物、非金属氮化物、金属碳化物、非金属碳化物、卤素化合物、碳有机化合物、氟有机化合物、硅有机化合物、碳、以及两种或更多种前述组分的任意组合中选出的材料所构成。10.根据权利要求9所述的介电组合物,其特征在于,至少一部分所述纳米颗粒由从二氧化钛、氧化锌、氧化铁、氧化锆、二氧化铈、以及两种或更多种上述化合物的任意组合中选出的材料所构成。11.根据权利要求10所述的介电组合物,其特征在于,至少一部分所述纳米颗粒由锐钛矿结晶型二氧化钛构成。12.根据权利要求10所述的介电组合物,其特征在于,至少一部分所述纳米颗粒涂有硅有机化合物和/或碳有机化合物。13.根据权利要求12所述的介电组合物,其特征在于,至少一部分所述纳米颗粒涂有硅烷和/或氟硅烷。14.根据权利要求1至7中任一项所述的介电组合物,其特征在于,所述纳米颗粒具有1至1000nm的平均颗粒直径d50。15.根据权利要求14所述的介电组合物,其中所述纳米颗粒具有5至100nm的平均颗粒直径d50。16.根据权利要求14所述的介电组合物,其中所述纳米颗粒具有10至50nm的平均颗粒直径d50。17.根据权利要求14所述的介电组合物,其中所述纳米颗粒具有15至50nm的平均颗粒直径d50。18.根据权利要求14所述的介电组合物,其中所述纳米颗粒具有17至50nm的平均颗粒直径d50。19.根据权利要求14所述的介电组合物,其中所述纳米颗粒具有17至30nm的平均颗粒直径d50。20.根据权利要求14所述的介电组合物,其中所述纳米颗粒具有17至25nm的平均颗粒直径d50。21.根据权利要求1至7中任一项所述的介电组合物,其特征在于,所述纳米颗粒具有1至1000nm的平均颗粒直径d25/75。22.根据权利要求21所述的介电组合物,其中所述纳米颗粒具有5至100nm的平均颗粒直径d25/75。23.根据权利要求21所述的介电组合物,其中所述纳米颗粒具有10至50nm的平均颗粒直径d25/75。24.根据权利要求21所述的介电组合物,其中所述纳米颗粒具有15至50nm的平均颗粒直径d25/75。25.根据权利要求21所述的介电组合物,其中所述纳米颗粒具有5至50nm的平均颗粒直径d25/75。26.根据权利要求21所述的介电组合物,其中所述纳米颗粒具有17至50nm的平均颗粒直径d25/75。27.根据权利要求21所述的介电组合物,其中所述纳米颗粒具有17至25nm的平均颗粒直径d25/75。28.根据权利要求1至...

【专利技术属性】
技术研发人员:U·卡藤博恩
申请(专利权)人:施耐德电器工业公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1