电子标签中调制负载电压的系统技术方案

本发明专利技术公开了电子标签中调制负载电压的系统，包括四个NMOS晶体管、两个PMOS晶体管及两个非门，四个NMOS晶体管的源极均接地。第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管及第二PMOS晶体管三者的栅极均连接在第一PMOS晶体管源极和第三NMOS晶体管漏极之间的线路上，第一PMOS晶体管栅极连接在第二PMOS晶体管源极和第四NMOS晶体管漏极之间的线路上。第二非门与第四NMOS晶体管栅极连接，第三NMOS晶体管栅极与第一非门和第二非门之间的线路连接。本发明专利技术采用上述结构，整体结构简单，节省成本，且在提高阅读器天线的感应电压时不需增加阅读器的成本和体积。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了电子标签中调制负载电压的系统，包括四个NMOS晶体管、两个PMOS晶体管及两个非门，四个NMOS晶体管的源极均接地。第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管及第二PMOS晶体管三者的栅极均连接在第一PMOS晶体管源极和第三NMOS晶体管漏极之间的线路上，第一PMOS晶体管栅极连接在第二PMOS晶体管源极和第四NMOS晶体管漏极之间的线路上。第二非门与第四NMOS晶体管栅极连接，第三NMOS晶体管栅极与第一非门和第二非门之间的线路连接。本专利技术采用上述结构，整体结构简单，节省成本，且在提高阅读器天线的感应电压时不需增加阅读器的成本和体积。【专利说明】电子标签中调制负载电压的系统
本专利技术涉及射频
，具体是电子标签中调制负载电压的系统。
技术介绍
射频识别是当前应用最广泛的非接触式自动目标识别技术之一，其具有非接触、读写灵活、速度快、安全性高等优点，因此被广泛应用于各个领域。现有射频识别系统中阅读器和电子标签天线之间的耦合很弱，阅读器天线上接收的信号的电压波动比阅读器的输出电压小，如13.56MHz的系统，当阅读器天线电压大约为100V时，只能得到大约IOmv的有效信号。为了使阅读器检测出这些很小电压的变化，现有阅读器上电路设计复杂，这就增加了阅读器的体积和成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种结构简单，成本低，且能提高阅读器天线感应电压的电子标签中调制负载电压的系统。本专利技术的目的主要通过以下技术方案实现:电子标签中调制负载电压的系统，包括四个NMOS晶体管、两个PMOS晶体管及两个非门，所述四个NMOS晶体管的源极均接地；所述四个NMOS晶体管包括第一 NMOS晶体管、第二 NMOS晶体管、第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体管，所述PMOS晶体管包括第一 PMOS晶体管和第二 PMOS晶体管，第一 PMOS晶体管源极与第三NMOS晶体管漏极连接，第一 NMOS晶体管、第二 NMOS晶体管及第二 PMOS晶体管三者的栅极均连接在第一 PMOS晶体管源极和第三NMOS晶体管漏极之间的线路上，所述第二PMOS晶体管源极与第四NMOS晶体管漏极连接，第一 PMOS晶体管栅极连接在第二 PMOS晶体管源极和第四NMOS晶体管漏极之间的线路上；所述非门包括第一非门和第二非门，所述第二非门的输入端与第一非门的输出端连接，第二非门的输出端与第四NMOS晶体管栅极连接，所述第三NMOS晶体管栅极与第一非门和第二非门之间的线路连接。所述第一 NMOS晶体管的漏极连接有第一电阻,所述第二 NMOS晶体管的漏极连接有第二电阻。本专利技术在应用时第一电阻相对连接第一 NMOS晶体管的漏极端的另一端为一个射频接入点，第二电阻相对连接第二 NMOS晶体管的漏极端的另一端为一个射频接入点，本专利技术在应用时两个射频接入点均连接在电子标签的天线上。所述第一非门的输入端连接有数据接收端口。本专利技术的数据接收端口在应用时来接收电子标签发送的数据。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果:本专利技术包括四个NMOS晶体管、两个PMOS晶体管、两个非门及两个电阻，整体结构简单，便于实现，成本低，其中，四个NMOS晶体管中的第一 NMOS晶体管和第二 NMOS晶体管形成负载调制开关管，第一电阻和第二电阻为调制电阻，第一电阻和第二电阻并联到电子标签天线两端，第一非门的输入端接收到低电平时，第一 NMOS晶体管和第二 NMOS晶体管判断，天线工作电流不变，第一非门的输入端接收到高电平时，第一 NMOS晶体管和第二 NMOS晶体管导通，天线等效负载电阻降低，天线电流增大、感应电压降低，如此，阅读器天线的感应电压升高，通过本专利技术能避免在阅读器上增设识别小电压信号的电路，节省阅读器成本。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术实施例的结构示意图。附图中附图标记所对应的名称为:N1—第一 NMOS晶体管，N2—第二 NMOS晶体管，N3—第三NMOS晶体管，N4—第四NMOS晶体管，Pl—第一 PMOS晶体管，P2—第二 PMOS晶体管，Data—数据接收端口，I一第一非门，2—第二非门，Rl—第一电阻，R2—第二电阻。【具体实施方式】下面结合实施例及附图对本专利技术作进一步的详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例: 如图1所示，电子标签中调制负载电压的系统，包括外壳及设置在外壳内的内部电路，内部电路包括四个NMOS晶体管和两个PMOS晶体管，其中，四个NMOS晶体管的源极均接地。四个NMOS晶体管分别为第一 NMOS晶体管N1、第二 NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3及第四NMOS晶体管N4，两个PMOS晶体管分别为第一 PMOS晶体管Pl和第二 PMOS晶体管P2。第一 PMOS晶体管Pl源极与第三NMOS晶体管N3漏极连接，第一 NMOS晶体管N1、第二 NMOS晶体管N2及第二 PMOS晶体管P2三者的栅极均连接在第一 PMOS晶体管Pl源极和第三NMOS晶体管N3漏极之间的线路上。第二 PMOS晶体管P2源极与第四NMOS晶体管N4漏极连接，第一 PMOS晶体管Pl栅极连接在第二 PMOS晶体管P2源极和第四NMOS晶体管N4漏极之间的线路上，第一 PMOS晶体管Pl漏极和第二 PMOS晶体管P2漏极均连接在一个电源上。在应用时，第一 NMOS晶体管NI的漏极连接有第一电阻Rl，第二 NMOS晶体管N2的漏极连接有第二电阻R2，第一电阻Rl相对连接第一 NMOS晶体管NI漏极端的另一端连接和第二电阻R2相对连接第二 NMOS晶体管N2漏极端的另一端均连接在电子标签的天线上。电子标签中调制负载电压的系统，还包括第一非门I和第二非门2，其中，第二非门2的输入端与第一非门的输出端连接，第二非门2的输出端与第四NMOS晶体管N4栅极连接，第三NMOS晶体管N3栅极与第一非门I和第二非门2之间的线路连接，第一非门I的输入端连接有接收电子标签发送数据的数据接收端口 Data。如上所述，则能很好的实现本专利技术。【权利要求】1.电子标签中调制负载电压的系统，其特征在于:包括四个NMOS晶体管、两个PMOS晶体管及两个非门，所述四个NMOS晶体管的源极均接地；所述四个NMOS晶体管包括第一NMOS晶体管(NI)、第二 NMOS晶体管(N2)、第三NMOS晶体管(N3)及第四NMOS晶体管(N4)，所述PMOS晶体管包括第一 PMOS晶体管(Pl)和第二 PMOS晶体管(P2)，第一 PMOS晶体管(Pl)源极与第三NMOS晶体管(N3)漏极连接，第一 NMOS晶体管(NI )、第二 NMOS晶体管(N2)及第二 PMOS晶体管(P2)三者的栅极均连接在第一 PMOS晶体管(Pl)源极和第三NMOS晶体管(N3)漏极之间的线路上，所述第二 PMOS晶体管(P2)源极与第四匪OS晶体管(N4)漏极连接，第一 PMOS晶体管(Pl)栅极连接在第二 PMOS晶体管(P2)源极和第四NMOS晶体管(N4)漏极之间的线路上；所述非门包括第一非门(I)和第二非门(2)，所述第二非门(2)的输入端与第一非门(I)的输出端连接，第二非门(2 )的输出端与第四NMOS晶体管(N4)栅极连接，所述第三NMOS晶体管(本文档来自技高网...

【技术保护点】
电子标签中调制负载电压的系统，其特征在于：包括四个NMOS晶体管、两个PMOS晶体管及两个非门，所述四个NMOS晶体管的源极均接地；所述四个NMOS晶体管包括第一NMOS晶体管（N1）、第二NMOS晶体管（N2）、第三NMOS晶体管（N3）及第四NMOS晶体管（N4），所述PMOS晶体管包括第一PMOS晶体管（P1）和第二PMOS晶体管（P2），第一PMOS晶体管（P1）源极与第三NMOS晶体管（N3）漏极连接，第一NMOS晶体管（N1）、第二NMOS晶体管（N2）及第二PMOS晶体管（P2）三者的栅极均连接在第一PMOS晶体管（P1）源极和第三NMOS晶体管（N3）漏极之间的线路上，所述第二PMOS晶体管（P2）源极与第四NMOS晶体管（N4）漏极连接，第一PMOS晶体管（P1）栅极连接在第二PMOS晶体管（P2）源极和第四NMOS晶体管（N4）漏极之间的线路上；所述非门包括第一非门（1）和第二非门（2），所述第二非门（2）的输入端与第一非门（1）的输出端连接，第二非门（2）的输出端与第四NMOS晶体管（N4）栅极连接，所述第三NMOS晶体管（N3）栅极与第一非门（1）和第二非门（2）之间的线路连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾维亮，
申请(专利权)人：成都市宏山科技有限公司，
类型：发明
国别省市：