电子标签中天线的限幅电路制造技术

本发明专利技术公开了电子标签中天线的限幅电路，包括第一N沟道增强型场效应管、第二N沟道增强型场效应管、第三N沟道增强型场效应管、第四N沟道增强型场效应管、第三电阻、第四电阻、第一电容及第二电容，第二电容两端分别串联第三电阻和第四电阻后与第一电容并联构成串并联线路，该串并联线路设有第三电阻的一端与第三N沟道增强型场效应管漏极和第四N沟道增强型场效应管漏极之间的线路连接，其另一端接地，第一N沟道增强型场效应管和第二N沟道增强型场效应管两者的栅极均与第二电容和第四电阻之间的线路连接。采用上述结构，整体结构简单，便于实现，且在实现天线的电压限幅时不会对功率产生影响。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了电子标签中天线的限幅电路，包括第一N沟道增强型场效应管、第二N沟道增强型场效应管、第三N沟道增强型场效应管、第四N沟道增强型场效应管、第三电阻、第四电阻、第一电容及第二电容，第二电容两端分别串联第三电阻和第四电阻后与第一电容并联构成串并联线路，该串并联线路设有第三电阻的一端与第三N沟道增强型场效应管漏极和第四N沟道增强型场效应管漏极之间的线路连接，其另一端接地，第一N沟道增强型场效应管和第二N沟道增强型场效应管两者的栅极均与第二电容和第四电阻之间的线路连接。采用上述结构，整体结构简单，便于实现，且在实现天线的电压限幅时不会对功率产生影响。【专利说明】电子标签中天线的限幅电路
本专利技术涉及射频
，具体是电子标签中天线的限幅电路。
技术介绍
射频识别是当前应用最广泛的非接触式自动目标识别技术之一，其具有非接触、读写灵活、速度快、安全性高等优点，因此被广泛应用于各个领域。射频识别系统主要包括阅读器和电子标签，电子标签接收阅读器的能量会受作用距离、与阅读器天线之间的角度影响，电子标签感应到的电压可能会比较大，所以必须有单独的模块电路实现限幅，将电压限制在一定范围之内，以防止接收MOS管栅极被击穿。限幅的最简单直接的措施是降低耦合系数，现今人们常常通过调整阅读器和电子标签的作用距离或者调整电子标签的输入电容来降低耦合系数，其中，采用调整阅读器和电子标签的作用距离对于操作人员来说是很难把握的，该方法不切合实际；改电子标签的输入电容，即是改变谐振频率，降低耦合系数，电子标签中传送的功率也会降低，在大规模集成电路设计中电容的实现会占用较大的芯片面积，而且电容的参数浮动相对较大。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种便于操作控制，结构简单，且在进行电压限幅时不会影响传送功率的电子标签中天线的限幅电路。本专利技术的目的主要通过以下技术方案实现:电子标签中天线的限幅电路，包括第一 N沟道增强型场效应管、第二 N沟道增强型场效应管、第三N沟道增强型场效应管、第四N沟道增强型场效应管、第三电阻、第四电阻、第一电容及第二电容，第三N沟道增强型场效应管和第四N沟道增强型场效应管均为二极管连接的MOS管，所述第三N沟道增强型场效应管的漏极和源极分别与第四N沟道增强型场效应管漏极和第一 N沟道增强型场效应管漏极连接，第二 N沟道增强型场效应管的漏极与第四N沟道增强型场效应管源极连接，第一 N沟道增强型场效应管源极和第二 N沟道增强型场效应管源极均接地，所述第二电容两端分别串联第三电阻和第四电阻后与第一电容并联构成串并联线路，该串并联线路设有第三电阻的一端与第三N沟道增强型场效应管漏极和第四N沟道增强型场效应管极之间的线路连接，其另一端接地，所述第一 N沟道增强型场效应管和第二 N沟道增强型场效应管两者的栅极均与第二电容和第四电阻之间的线路连接；所述第一 N沟道增强型场效应管漏极和第三N沟道增强型场效应管源极之间的线路上连接有第一天线信号输入端，第二 N沟道增强型场效应管漏极与第四N沟道增强型场效应管漏极之间的线路上连接有第二天线信号输入端。其中，本专利技术在应用时，第一天线信号输入端和第二天线信号输入端用于外接天线。本专利技术中二极管连接的MOS管是将MOS管的栅极和源极连接在一起，由于MOS管在一定电压下存在漏电流，所以本专利技术中二极管连接的MOS管用来模拟一个阻值很大的电阻，并且可以通过调整MOS管的参数来实现对阻值的控制。所述第一 N沟道增强型场效应管漏极和第三N沟道增强型场效应管源极之间的线路上连接有第一电阻；所述第二 N沟道增强型场效应管漏极与第四N沟道增强型场效应管源极之间的线路上连接有第二电阻。所述第一天线信号输入端连接在第一电阻与第一 N沟道增强型场效应管漏极之间的线路上；所述第二天线信号输入端连接在第二电阻与第二 N沟道增强型场效应管漏极之间的线路上。本专利技术在应用时，第三N沟道增强型场效应管、第四N沟道增强型场效应管及第一电容用于采样射频信号，第一 N沟道增强型场效应管和第二 N沟道增强型场效应管为泄流管，第一 N沟道增强型场效应管和第二 N沟道增强型场效应管并联在天线两端进行限幅分流。当采样的信号高于参考电平时，流经第四电阻的电流增加，因此控制第一 N沟道增强型场效应管和第二 N沟道增强型场效应管两者栅极的电位提高，增加第一 N沟道增强型场效应管和第二 N沟道增强型场效应管的导通能力，流经第一 N沟道增强型场效应管和第二N沟道增强型场效应管的电流增加，降低标签天线的有效负载，从而限制天线信号的电压幅度。本专利技术中第三电阻、第四电阻、第一电容及第二电容构成的串并联线路为滤波回路，该滤波回路反馈调整第一 N沟道增强型场效应管和第二 N沟道增强型场效应管的导通程度，从而保证本专利技术应用时电压的稳定。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果:本专利技术包括第一 N沟道增强型场效应管、第二 N沟道增强型场效应管、第三N沟道增强型场效应管、第四N沟道增强型场效应管、第三电阻、第四电阻、第一电容及第二电容，本专利技术使用电子元件的数量少，整体结构简单，集成在模块上时体积小，便于实现、成本低，且本专利技术在应用时通过提高第一 N沟道增强型场效应管和第二增强型场效应管的栅极电压，不会对功率产生影响，在输入电压高于一定电压值时使并联分流电路导通，使电路的电流变大，从而使电压稳压在一定的范围内。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术实施例的结构示意图。附图中附图标记所对应的名称为:N1—第一 N沟道增强型场效应管，N2—第二 N沟道增强型场效应管，N3—第三N沟道增强型场效应管，N4—第四N沟道增强型场效应管，Cl一第一电容，C2—第二电容，Rl—第一电阻，R2—第二电阻，R3—第三电阻，R4—第四电阻，Antl—第一天线信号输入端，Ant2—第二天线信号输入端。【具体实施方式】下面结合实施例及附图对本专利技术作进一步的详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例: 如图1所示，电子标签中天线的限幅电路，包括第一 N沟道增强型场效应管N1、第二 N沟道增强型场效应管N2、第三N沟道增强型场效应管N3、第四N沟道增强型场效应管N4、第三电阻R3、第四电阻R4、第一电容Cl及第二电容C2，其中，第三N沟道增强型场效应管N3和第四N沟道增强型场效应管N4，在此二极管连接的MOS管为MOS管中的栅极与源极连接。第三N沟道增强型场效应管N3的漏极和源极分别与第四N沟道增强型场效应管N4漏极和第一 N沟道增强型场效应管NI漏极连接，第二 N沟道增强型场效应管N2的漏极与第四N沟道增强型场效应管N4源极连接，第一 N沟道增强型场效应管NI源极和第二 N沟道增强型场效应管N2源极均接地。第二电容C2两端分别串联第三电阻R3和第四电阻R4后与第一电容Cl并联构成串并联线路，该串并联线路设有第三电阻R3的一端与第三N沟道增强型场效应管N3漏极和第四N沟道增强型场效应管N4漏极之间的线路连接，其另一端接地。第一 N沟道增强型场效应管NI和第二 N沟道增强型场效应管N2两者的栅极均与第二电容C2和第四电阻R4之间的线路连接。第一 N沟道增强型场效应管NI漏极和第三N沟道增强型场效应管N3源极之间的线路上连接有第一电阻R本文档来自技高网...

【技术保护点】
电子标签中天线的限幅电路，其特征在于：包括第一N沟道增强型场效应管（N1）、第二N沟道增强型场效应管（N2）、第三N沟道增强型场效应管（N3）、第四N沟道增强型场效应管（N4）、第三电阻（R3）、第四电阻（R4）、第一电容（C1）及第二电容（C2），第三N沟道增强型场效应管（N3）和第四N沟道增强型场效应管（N4）均为二极管连接的MOS管，所述第三N沟道增强型场效应管（N3）的漏极和源极分别与第四N沟道增强型场效应管（N4）漏极和第一N沟道增强型场效应管（N1）漏极连接，第二N沟道增强型场效应管（N2）的漏极与第四N沟道增强型场效应管（N4）源极连接，第一N沟道增强型场效应管（N1）源极和第二N沟道增强型场效应管（N2）源极均接地，所述第二电容（C2）两端分别串联第三电阻（R3）和第四电阻（R4）后与第一电容（C1）并联构成串并联线路，该串并联线路设有第三电阻（R3）的一端与第三N沟道增强型场效应管（N3）漏极和第四N沟道增强型场效应管（N4）漏极之间的线路连接，其另一端接地，所述第一N沟道增强型场效应管（N1）和第二N沟道增强型场效应管（N2）?两者的栅极均与第二电容（C2）和第四电阻（R4）之间的线路连接；所述第一N沟道增强型场效应管（N1）漏极和第三N沟道增强型场效应管（N3）源极之间的线路上连接有第一天线信号输入端（Ant1），第二N沟道增强型场效应管（N2）漏极与第四N沟道增强型场效应管（N4）漏极之间的线路上连接有第二天线信号输入端（Ant2）。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾维亮，
申请(专利权)人：成都市宏山科技有限公司，
类型：发明
国别省市：