制造发光装置的方法制造方法及图纸

技术编号:9570336 阅读:71 留言:0更新日期:2014-01-16 03:32
本发明专利技术公开一种制造发光装置的方法。该制造发光装置的方法包含形成一第一光学元件于一第一载体之上,其中第一光学元件具有一开口;形成一发光元件于开口中;形成一第二载体于第一光学元件之上;在形成第二载体于第一光学元件之上后,移除第一载体;以及形成一导电结构于第一光学元件之下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
光电装置,例如发光二极管(Light-emitting Diode ;LED)封装,目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据存储装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。上述的LED可与其他元件组合连接以形成一发光装置。图1为现有的发光装置结构示意图,如图1所示,一发光装置I包含具有一电路14的一次载体(submount) 12 ;—焊料16 (solder)位于上述次载体12上,通过此焊料16将LEDll固定于次载体12上并使LEDll与次载体12上的电路14形成电连接;以及一电连接结构18,以电连接LEDll的电极15与次载体12上的电路14 ;其中,上述的次载体12可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mountingsubstrate)。与商业电子产品走向轻薄短小的趋势类似,光电装置的发展也进入微封装的时代,半导体与光电元件具有前景的封装设计是管芯级封装。
技术实现思路
为解决上述问题,本专利技术提供一种包含形成一第一光学元件于一第一载体之上,其中第一光学元件具有一开口 ;形成一发光元件于开口中;形成一第二载体于第一光学兀件之上;在形成第二载体于第一光学兀件之上后,移除第一载体;以及形成一导电结构于第一光学元件之下。【附图说明】图1为现有发光装置的剖面示意图;图2A?图2D为本申请案一实施例的发光装置的制造流程图;图3为本申请案另一实施例的发光装置的剖面示意图;图4为本申请案另一实施例的发光装置的剖面示意图;图5为本申请案另一实施例的发光装置的剖面示意图;图6为本申请案一实施例的光源产生装置的示意图;图7为本申请案一实施例的背光模块的示意图。符号说明1、2、3、4、5 发光装置11 LED12 次载体13 基板14 电路15 电极16 焊料18电连接结构20第一载体21粘结层22 第一光学元件222开口23第二载体24发光元件25导电结构26、52 波长转换层28,30,40 第二光学元件50电子元件6:光源产生装置61:光源62:电源供应系统63:控制元件7:背光模块71:光学元件【具体实施方式】本专利技术的实施例会被详细地描述,并且绘制于附图中,相同或类似的部分会以相同的号码在各附图以及说明出现。图2A~图2D绘示本申请案一实施例的发光装置的制造流程图。如图2A所示,一第一光学兀件22形成于一第一载体20之上,具有一开口 222曝露第一载体20。一发光兀件24形成第一载体20的曝露部分,一波长转换层26形成于发光元件24之上,如图2B所不。另一实施例中,一电子兀件(未显不)也可形成于第一载体20之上。如图2C所不,一第二光学兀件28形成于波长转换层26之上。一粘结层21形成于一第二载体23之下,且/或形成于第一光学元件22和第二光学元件28之上。第二载体23经由一粘结制作工艺粘结于第二光学兀件28,然后移除第一载体20。一导电结构25形成于第一光学兀件22与发光元件24之下以形成发光装置2,其中导电结构25电连接于发光元件24。第一载体20及/或第二载体23支撑第一光学元件22、第二光学元件28与发光元件24。第一载体20及/或第二载体23具有导电材料,例如类钻碳薄膜(Diamond LikeCarbon ;DLC)、金属基复合材料(Metal Matrix Composite ;MMC)、陶瓷基复合材料(CeramicMatrix Composite ;CMC)、铜(Cu)、招(Al)、娃(Si)、钥(Mo)、锡(Sn)、锌(Zn)、镉(Cd)、镍(Ni)、钴(Co)、金合金、碳化硅(SiC)、磷化镓(GaP)、磷砷化镓(GaAsP)、磷化铟(InP)、镓酸锂(LiGaO2)或招酸锂(LiAlO2);或绝缘材料,例如为高分子复合材料(Polymer MatrixComposite)、钻石(Diamond)、玻璃(Glass)、聚合物(Polymer)、环氧树酯(Epoxy)、石英(Quartz)、压克力(Acryl)、氧化招(Al2O3)、氧化锌(ZnO)、氮化招(AlN)或上述材料的组合。第一光学元件22/或第二光学元件28可引导或摘出发光元件24所发之光至外部环境以提升发光装置2的光摘出效率。第一光学元件22/或第二光学元件28的材料可为透明材料,例如环氧树脂(Epoxy)、聚亚酰胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)、Su8、丙烯酸树脂(Acrylic Resin)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET )、聚碳酸酯(PC )、聚醚酰亚胺(Po I y e ther imi de )、氟碳聚合物(FluorocarbonPolymer)、玻璃(Glass)、氧化铝(Al2O3)、SINR、旋涂玻璃(SOG)或上述材料的组合。另一实施例中,第一光学元件22可为反射镜,其材料包含金属材料,例如铜(Cu)、铝(Al)、锡(Sn)、金(Au)、银(Ag)、镍(Ni)、钛(Ti)、金合金(Au alloy)或上述材料的组合。另一实施例中,一反射层可形成于第一光学兀件22的表面以反射发光兀件24所产生之光,反射层的材料可与上述的金属材料相同。发光元件24所发之光可被第一光学元件22反射以提升发光装置2的光摘出效率。由剖面观之,第二光学元件28的形状包含但不限于三角形、半圆形、四分之一圆形、倒梯形、五角形或四边形。另一实施例中,一封装体可形成于第二光学元件28与发光元件24之中以提升发光装置2的光摘出效率。发光元件24可为发光二极管(LED)或有机发光二极管(Organic LED ;0LED),发出具有一第一波长的一第一光线。波长转换层26可吸收第一光线并产生具有一第二波长的一第二光线,其中第二波长与第一波长相异。波长转换层26的材料可为荧光粉,例如钇铝石榴石(YAG)、硅酸盐、钒酸盐、碱土金属硅酸盐、碱土金属硫化物、碱土金属硒化物、碱土金属镓硫化物、金属氮化物、金属氮氧化物、钨钥酸盐族混合物、氧化物混合物、玻璃荧光粉混合物或上述材料的组合;或半导体材料,其具有一种以上的元素选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、磷(P)、氮(N)、锌(Zn)、镉(Cd)与硒(Se)所构成的群组。波长转换层26可置于发光元件24之上,或沿发光元件24的轮廓而形成。粘结层21可粘着地连接第一光学元件22及/或第二光学元件28与第二载体23,粘结层21的材料可为透明材料,例如为聚亚酰胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烧(PFCB)、氧化镁(MgO)、Su8、环氧树脂(Epoxy)、丙烯酸树脂(Acrylic Resin)、环烯烃聚合物(C0C)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化招(Al2O3)、氧化硅(SiOx)、氧化钛(TiO2)、氮化硅(SiNx)或旋涂玻璃(SOG)等等。粘结层21也可为UV胶或发泡胶。导电结构25用以接受外部电压,可由透明导电材料及/或金属材料所构成。透明导电材料包含但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造发光装置的方法,包含︰形成一第一光学元件于一第一载体之上,其中该第一光学元件包含一开口;形成一发光元件于该开口中;形成一第二载体于该第一光学元件之上;在形成该第二载体于该第一光学元件之上后,移除该第一载体;以及形成一导电结构于该第一光学元件之下。

【技术特征摘要】
2012.06.19 US 13/527,1391.一种制造发光装置的方法,包含: 形成一第一光学元件于一第一载体之上,其中该第一光学元件包含一开口 ; 形成一发光元件于该开口中; 形成一第二载体于该第一光学兀件之上; 在形成该第二载体于该第一光学兀件之上后,移除该第一载体;以及 形成一导电结构于该第一光学元件之下。2.如权利要求1所述的方法,还包含形成一波长转换层于该发光元件之上。3.如权利要求2所述的方法,还包含形成该波长转换层于该发光元件之上后,形成一第二光学元件于该发光元件之上。4.如权利要求1所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈昭兴
申请(专利权)人:晶元光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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