【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种复合的半导体桥，其特征在于：它包括半导体层（3）和沉积在半导体层（3）上的金属底层（4），所述的金属底层（4）上沉积有第一电极（5）和第二电极（6），所述的金属底层（4）上沉积有发火物质，所述的发火物质包括金属层和金属氧化物层，所述的金属层和金属氧化物层分别至少有两层且金属层和金属氧化物层交叉沉积。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄友华，
申请(专利权)人：成都市宏山科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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