玻璃基板的制造方法和玻璃基板的制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供玻璃基板的制造方法和玻璃基板的制造装置，在该方法中，在将玻璃原料熔解时，可使熔融玻璃均质化、且可有效地对熔融玻璃进行通电加热。本发明专利技术的玻璃基板的制造方法中，将玻璃原料熔解来生成熔融玻璃的熔解工序中包括下述工序：将所述熔融玻璃配置在至少一对电极间，对上述电极间施加电压，使电流在所述熔融玻璃中流通产生焦耳热的工序；测定流过熔融玻璃的电流值，同时根据上述电压设定上述电流所流经的熔融玻璃区域的截面积，使用上述电流值与上述电压值以及所设定的熔融玻璃的上述截面积计算出上述熔融玻璃的比电阻的工序；以及基于上述计算出的比电阻对上述焦耳热进行控制的工序。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供玻璃基板的制造方法和玻璃基板的制造装置，在该方法中，在将玻璃原料熔解时，可使熔融玻璃均质化、且可有效地对熔融玻璃进行通电加热。本专利技术的玻璃基板的制造方法中，将玻璃原料熔解来生成熔融玻璃的熔解工序中包括下述工序：将所述熔融玻璃配置在至少一对电极间，对上述电极间施加电压，使电流在所述熔融玻璃中流通产生焦耳热的工序；测定流过熔融玻璃的电流值，同时根据上述电压设定上述电流所流经的熔融玻璃区域的截面积，使用上述电流值与上述电压值以及所设定的熔融玻璃的上述截面积计算出上述熔融玻璃的比电阻的工序；以及基于上述计算出的比电阻对上述焦耳热进行控制的工序。【专利说明】玻璃基板的制造方法和玻璃基板的制造装置【
】本专利技术涉及玻璃基板的制造方法和玻璃基板的制造装置。【
技术介绍
】作为在液晶显示屏或等离子体显示屏等平板显示屏(下文称为FPD)中应用的玻璃基板的制造方法，已知有溢流下拉法。在溢流下拉法中，通过在成形炉中使熔融玻璃从熔融玻璃成形体的上部溢出而由熔融玻璃成形为平板玻璃，将成形后的平板玻璃缓慢冷却，将其切断。之后，按照客户的规格将切断后的平板玻璃再切断成规定的尺寸，进行清洗、端面研磨等，作为Fro用玻璃基板进行装运。FPD用玻璃基板之中、特别是液晶显示装置用玻璃基板或有机EL显示装置用玻璃基板中，在其表面形成半导体元件，因而优选完全不含有容易对半导体元件的特性产生影响的碱金属成分、或者即使含有也是不会对半导体元件等产生影响的程度的微量。另外，若玻璃基板中存在气泡，则其成为显示缺陷的原因，因而有气泡存在的玻璃基板无法作为Fro用玻璃基板来使用。因此，要求在玻璃基板中无气泡残留。另外，若在玻璃基板中存在玻璃组成的不均(玻璃组成不均匀)，则会产生例如被称为波筋的条纹状缺陷。该波筋是由于玻璃组成的不均质而导致的熔融玻璃的粘度不同，而在成形时的熔融玻璃的表面产生微细的表面凹凸，该表面凹凸也残存在玻璃基板中。因此，将该玻璃基板作为液晶面板用的玻璃基板组装到液晶面板中时，盒的间隙(cell gap)会出现误差或者引起显示不均。因此，在玻璃基板的制造阶段需要使之不会引起波筋等玻璃组成的不均。在制造上述那样的玻璃基板时，一般使用投入玻璃原料并使之熔解来制造熔融玻璃的熔解槽。在该熔解槽中与熔融玻璃相接触地设有电极对。通过在电极对上施加电压使电流流过处于该电极对之间的熔融玻璃，对熔融玻璃进行通电加热，使其为所望的温度。作为这样的通电加热的一例，在使用2个以上电极对的熔解槽(玻璃熔融炉)中高频通电加热是众所周知的。例如，在下述专利文献I中，各电极对分别与各自的电源连接，且各电源被分别控制，由此，两对以上电极中，每一电极分别受到控制。在使用这样的通电加热的熔解槽中，为了使熔融玻璃的粘度、对流呈所期望的状态，例如如下述专利文献2中所记载，以往利用热电偶对熔融玻璃的温度进行测定。【现有技术文献】【专利文献】专利文献1:日本特开平04-367519号公报专利文献2:日本特开平03-103328号公报【
技术实现思路
】【专利技术所要解决的课题】但是，上述热电偶在例如熔解槽内被暴露于高温中，因而在较短时间内发生劣化，无法精确测定温度。并且，从使玻璃原料熔解的装置结构的方面考虑，可设置热电偶的位置是有限的，因而可通过热电偶进行温度测定的位置有限。另外，如上所述，由于在Fro用玻璃基板中使用的是完全不含有会降低高温粘性的碱金属成分、或者即使含有也为微量的玻璃，因而为了将熔融玻璃的粘性维持在与以往同等的程度，必然需要提高熔融玻璃的温度。如此，由于熔解槽中熔融玻璃的熔解温度高于以往，因而具有热电偶容易劣化、无法精确获取温度的问题。另外，由于熔解槽中熔融玻璃的熔解温度高于以往，因而希望对熔融玻璃进行通电加热使其高效率地达到高温。另外，在Fro用玻璃基板中，在玻璃板上形成有TFT(薄膜晶体管，Thin FilmTransistor)等半导体元件。近年来,为了实现显示屏表示进一步的高精细化,要求替代一直以来使用的a -S1-TFT而在玻璃基板上形成P-Si (低温多晶硅)*TFT或氧化物半导体。P-Si (低温多晶硅).TFT例如在液晶显示装置或有机EL显示装置中使用。在p-Si.TFT或氧化物半导体的形成工序中存在热处理工序，热处理工序的温度高于a-Si *TFT的形成工序。因此，形成ρ-Si (低温多晶硅)TFT或氧化物半导体的玻璃基板要求热收缩率小。为了减小热收缩率，优选使玻璃的应变点增高，但对于应变点(歪点)高的玻璃来说，通常其熔融性降低，因而需要使熔解槽中熔融玻璃的温度更进一步高于以往。如此，由于熔解槽中熔融玻璃的熔解温度高于以往，因而具有热电偶容易劣化、无法精确获取温度的问题。由于熔解槽中熔融玻璃的熔解温度高于以往，因而为了对熔融玻璃进行通电加热使其高效率地达到高温，希望供给至电极的电力也可效率良好地被使用。进一步地，在使用螺旋 给料机从设于覆盖熔解槽外壳的一侧边缘的原料投入口投入玻璃原料的情况下，玻璃原料悬浮在原料投入口侧的熔融玻璃的液面上并发生停留，液面难以向着与原料投入侧相反的一侧流动。为了使玻璃原料确实地熔解而不产生波筋，期望将悬浮在熔解槽液面处的玻璃原料完全熔解、使熔融玻璃的成分均质化。因此，优选根据原料投入口侧的位置、与原料投入侧相反一侧的位置等熔解槽位置的不同来改变供给至电极的电力。即，希望检查目前熔融玻璃的状态以高精度确定应向各电极对分别给予的电力量，以使得熔融玻璃的温度接近于用于生成均质熔融玻璃的目标温度。因此，本专利技术在于提供一种玻璃基板的制造方法，在该方法中，在对玻璃原料进行熔解时，可将熔融玻璃均质化，且可效率良好地对熔融玻璃进行通电加热。【解决课题的手段】本专利技术的一个方式涉及玻璃基板的制造方法。该制造方法包括将玻璃原料熔解来生成熔融玻璃的熔解工序。上述熔解工序包括下述工序:对位于两对以上电极彼此之间的熔融玻璃，在每一对电极间施加电压，从而使电流流通产生焦耳热的工序；对于上述两对以上电极中的每一对进行流过熔融玻璃的电流值的测定，同时根据上述电压值对于上述两对以上电极中的每一对进行所测定出的上述电流所流经的熔融玻璃区域的截面积的设定，使用上述电流值与上述电压值以及所设定的熔融玻璃的上述截面积，计算出在上述每一区域中上述熔融玻璃的比电阻的工序；以及基于上述计算出的比电阻，对于上述两对以上电极中的每一对进行上述焦耳热的控制的工序。该制造方法中，由于根据上述电压对于上述两对以上电极中的每一对进行上述电流所流经的熔融玻璃区域的截面积的设定、使用上述电流值与上述电压值以及所设定的熔融玻璃的上述截面积计算出在上述每一区域中上述熔融玻璃的比电阻，因而可精度良好地计算出上述每一区域的比电阻。其结果，可按照使熔解槽内的熔融玻璃均质化的方式进行通电加热，进而可有效地对熔融玻璃进行通电加热。此时，上述截面积优选根据如下比例进行设定:上述每一对电极间所施加的上述电压值相对于两对以上电极间所施加的总电压的合计值的比例。由此，可使用施加至各电极的电压，通过简单计算，计算出上述截面积、进而计算出上述比电阻。另外，上述熔解工序具有预备工序，该预备工序为得到上述熔融玻璃的温度与上述熔融玻璃的比电阻的相关关系的工序；上述控制焦耳热的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种玻璃基板的制造方法，其中，该方法包括将玻璃原料熔解来生成熔融玻璃的熔解工序，所述熔解工序包括下述工序：产生焦耳热的工序，在该工序中，对位于两对以上电极彼此之间的熔融玻璃，在每一对所述电极间施加电压，由此使电流流通产生焦耳热；计算比电阻的工序，在该工序中，针对所述两对以上电极中的每一对分别测定流过熔融玻璃的电流值，同时针对所述两对以上电极中的每一对根据所述电压值分别设定所测定出的所述电流流经的熔融玻璃区域的截面积，使用所述电流值、所述电压值以及所设定的熔融玻璃的所述截面积，针对所述每一区域计算出所述熔融玻璃的比电阻；以及控制所述焦耳热的工序，在该工序中，基于所述计算出的比电阻，针对所述两对以上电极中的每一对分别控制所述焦耳热。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：比田井忠和，
申请(专利权)人：安瀚视特控股株式会社，
类型：发明
国别省市：