太阳能电池及其制造方法技术

太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：基板；选择性发射极区，其被设置在所述基板处并包括轻掺杂区和重掺杂区；第一介电层，其被设置在所述选择性发射极区上并包括彼此分离的多个第一开口以及围绕所述多个第一开口设置的多个第二开口；第一电极，其通过所述多个第一开口和所述多个第二开口连接至所述选择性发射极区；以及第二电极，其被设置在所述基板上并连接至所述基板。所述多个第一开口和所述多个第二开口各自具有不同的平面形状。所述多个第一开口的所述平面形状具有线形状，所述多个第二开口的所述平面形状具有点形状。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】。一种太阳能电池包括：基板；选择性发射极区，其被设置在所述基板处并包括轻掺杂区和重掺杂区；第一介电层，其被设置在所述选择性发射极区上并包括彼此分离的多个第一开口以及围绕所述多个第一开口设置的多个第二开口；第一电极，其通过所述多个第一开口和所述多个第二开口连接至所述选择性发射极区；以及第二电极，其被设置在所述基板上并连接至所述基板。所述多个第一开口和所述多个第二开口各自具有不同的平面形状。所述多个第一开口的所述平面形状具有线形状，所述多个第二开口的所述平面形状具有点形状。【专利说明】
本专利技术的实施方式涉及。
技术介绍
近来，随着预计诸如石油和煤的现有能源将要耗尽，对代替现有能源的替代能源的关注正在增加。在替代能源中，用于从太阳能产生电能的太阳能电池尤其引人关注。太阳能电池通常包括:基板和发射极区，其由不同导电类型(例如P型和η型)的半导体形成，由此形成P-η结；以及电极，其分别连接至所述基板和所述发射极区。当光入射到具有上述结构的太阳能电池上时，半导体内部的电子通过光电效应变成自由电子(以下称为“电子”)。另外，基于P-η结的原理，电子和空穴分别向η型半导体(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，该太阳能电池包括：基板；设置在所述基板处的选择性发射极区，该选择性发射极区包括轻掺杂区和重掺杂区；设置在所述选择性发射极区上的第一介电层，该第一介电层包括彼此分离的多个第一开口以及围绕所述多个第一开口设置的多个第二开口；第一电极，其通过所述多个第一开口和所述多个第二开口连接至所述选择性发射极区；以及第二电极，其被设置在所述基板上并连接至所述基板，其中，所述多个第一开口和所述多个第二开口各自具有不同的平面形状。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李永贤，朴相昱，秦胤实，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，
类型：发明
国别省市：