N型晶体硅及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种N型晶体硅的制备方法，包括以下步骤：向坩埚内投入含有N型掺杂剂的硅料，其中所述坩埚侧壁内侧涂覆有P型掺杂补偿剂涂层，所述P型掺杂补偿剂涂层的位置在所投入的含有N型掺杂剂的硅料熔化后的硅液表面与硅液所生成的晶体硅的高度差范围内；硅料熔化，定向凝固，使含有N型掺杂剂的硅液生成N型晶体硅。上述N型晶体硅的制备方法可在晶体生长方向上进行掺杂补偿，从而解决了N型晶体硅锭在晶体生成方向上电阻率分布范围过大的问题，精准控制整个N型晶体硅锭的电阻率。另外，还提供了一种由上述方法制得的N型晶体硅。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种N型晶体硅的制备方法，包括以下步骤：向坩埚内投入含有N型掺杂剂的硅料，其中所述坩埚侧壁内侧涂覆有P型掺杂补偿剂涂层，所述P型掺杂补偿剂涂层的位置在所投入的含有N型掺杂剂的硅料熔化后的硅液表面与硅液所生成的晶体硅的高度差范围内；硅料熔化，定向凝固，使含有N型掺杂剂的硅液生成N型晶体硅。上述N型晶体硅的制备方法可在晶体生长方向上进行掺杂补偿，从而解决了N型晶体硅锭在晶体生成方向上电阻率分布范围过大的问题，精准控制整个N型晶体硅锭的电阻率。另外，还提供了一种由上述方法制得的N型晶体硅。【专利说明】
本专利技术涉及光伏硅片生产
，具体涉及一种。
技术介绍
目前，掺硼多晶硅被广泛地应用于太阳能电池制造行业中。但是由于掺硼多晶硅中的位于替代位的硼原子的直径要小于硅原子，在光照下，硼原子会与硅中的氧结合形成硼氧复合体。硼氧复合体在硅中是深能级复合中心，会降低少数载流子的寿命，从而导致太阳能电池光电转换效率降低2-3%,这种现象就是太阳能电池的效率衰减现象,这种衰减对太阳能电池光伏发电非常不利。研究发现，以N型掺杂剂取代P型掺杂补偿剂硼，可以避免硼氧复本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种N型晶体硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：向坩埚内投入含有N型掺杂剂的硅料，其中所述坩埚侧壁内侧涂覆有P型掺杂补偿剂涂层，所述P型掺杂补偿剂涂层的位置在所投入的含有N型掺杂剂的硅料熔化后的硅液表面与硅液所生成的晶体硅的高度差范围内；硅料熔化，定向凝固，使含有N型掺杂剂的硅液生成N型晶体硅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张帅，胡亚兰，游达，朱常任，
申请(专利权)人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：