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本发明涉及一种N型晶体硅的制备方法，包括以下步骤：向坩埚内投入含有N型掺杂剂的硅料，其中所述坩埚侧壁内侧涂覆有P型掺杂补偿剂涂层，所述P型掺杂补偿剂涂层的位置在所投入的含有N型掺杂剂的硅料熔化后的硅液表面与硅液所生成的晶体硅的高度差范围内；...
该专利属于江苏协鑫硅材料科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏协鑫硅材料科技发展有限公司授权不得商用。

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