全背电极太阳电池制造技术

本实用新型专利技术属于太阳电池领域，具体涉及一种全背电极太阳电池，该电池的细栅铝电极局部穿透介电层二，在细栅铝电极穿透介电层二的位置、n型硅片背光表面设有局域铝掺杂层；多个由细栅铝电极间接相连的局域铝掺杂层组成局域铝掺杂阵列；局域铝掺杂阵列的总面积不超过细栅铝电极面积的50％。与现有技术相比，本实用新型专利技术减小了铝发射极的面积，从而减小了光生载流子在铝发射极结区及其体内的复合。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种全背电极太阳电池，由n型硅片(21)、n型掺杂层一(22)、n型局域掺杂层二(221)、局域铝掺杂阵列(291)、介电层一(25)、介电层二(24)、细栅金属电极一(27)、细栅铝电极(28)、主栅电极一及主栅电极二组成；n型掺杂层一(22)位于n型硅片受光表面(211)，介电层一(25)覆盖于n型掺杂层一(22)之上，n型局域掺杂层二(221)和局域铝掺杂阵列(291)交替分布于n型硅片背光表面(212)，介电层二(24)覆盖于n型硅片背光表面(212)及n型局域掺杂层二(221)、局域铝掺杂阵列(291)之上；细栅金属电极一(27)位于介电层二(24)之上、与n型局域掺杂层二(221)对应的位置；细栅铝电极(28)位于介电层二(24)之上、与局域铝掺杂阵列(291)对应的位置；细栅金属电极一(27)全部或局部穿透介电层二(24)、与n型局域掺杂层二(221)接触；细栅铝电极(28)位于局域铝掺杂阵列(291)所在位置的介电层二(24)之上；主栅电极一和主栅电极二分别连接所有的细栅金属电极一(27)和细栅铝电极(28)，其特征在于：细栅铝电极(28)局部穿透介电层二(24)，在细栅铝电极(28)穿透介电层二(24)的位置、n型硅片背光表面(212)设有局域铝掺杂层(29)；多个由细栅铝电极(28)间接相连的局域铝掺杂层(29)组成局域铝掺杂阵列(291)。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陶龙忠，杨灼坚，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：苏州润阳光伏科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：