半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供半导体装置，其降低了由功率半导体元件的发热带来的影响。本实用新型专利技术的半导体装置具有：功率元件；第1下垫板，其在主面上通过第1导电性粘合剂载置了功率元件；散热板，其在主面上通过绝缘性粘合剂载置了第1下垫板；控制元件；第2下垫板，其在主面上通过第2导电性粘合剂载置了控制元件；引线框，其具有第1下垫板和第2下垫板；以及密封树脂体，其以使散热板的另一方的主面露出的方式进行密封，该半导体装置的特征在于，在第1下垫板的另一个主面上具有截面形状为凹状的多个槽部沿着第1下垫板的下表面的缘部延伸。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体装置，其具有：功率元件；第1下垫板，其在一个主面上通过第1导电性粘合剂载置了所述功率元件；散热板，其在一个主面上通过绝缘性粘合剂载置了所述第1下垫板；以及密封树脂体，其以所述散热板的另一个主面露出的方式对所述功率元件、所述第1下垫板以及所述散热板进行密封，该半导体装置的特征在于，所述第1下垫板在另一个主面上具有至少2个以上的槽部，所述槽部并行于所述第1下垫板相邻且相对的缘部而延伸，且末端被开口。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：下田一郎，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：实用新型
国别省市：