一种电磁铁的驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电磁铁的驱动电路，具体地说是一种应用于门禁控制的驱动电路。本实用新型专利技术只需1个开门控制引脚，1个关门控制引脚，4个MOS管就能实现电磁铁的开门和关门动作，该电路的关键在于：包括4个驱动管，其中2个为N沟道MOS管（Q1和Q4），另外2个为P沟道的MOS管（Q2和Q3），2个控制NPN三极管（Q5和Q6），4个续流二极管（D2、D3、D4和D5），1个降压二极管（D1），以及4个电阻（R1、R2、R3和R4）组成，结构简单，外围器件少，所需控制引脚少，实现开门的电压高于关门的电压，有效避免门关死的情况。本实用新型专利技术的显著效果是：提供一种可靠的电磁铁的驱动电路，控制简单，外围器件少的，安全可靠。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种电磁铁的驱动电路，其特征在于：包括4个驱动管，分别为N沟道MOS管1（Q1），?N沟道MOS管2（Q4），P沟道的MOS管3（Q2），P沟道的MOS管4（Q3）；2个控制NPN三极管，其中1个为NPN三极管1（Q5），另外1个为NPN三极管2（Q6）；4个续流二极管，分别为续流二极管1（D2），续流二极管2（D3），续流二极管3（D4），续流二极管4（D5）；1个降压二极管（D1）；以及4个电阻，分别为电阻1（R1），电阻2（R2），电阻3（R3），电阻4（R4），其中：所述的P沟道的MOS管3（Q2）的源极与12V直流电源正极相连，漏极和N沟道的MOS管1（Q1）的漏极相连，栅极和三极管1（Q5）的集电极相连；所述的P沟道的MOS管4（Q3）源极的通过降压二极管（D1）与12V直流电源正极相连，漏极和N沟道的MOS管2（Q4）的漏极相连，栅极和三极管2（Q6）的集电极相连；所述的续流二极管3（D4）并联在P沟道的MOS管3（Q2）的源极和漏极之间；所述的续流二极管4（D5）并联在P沟道的MOS管4（Q3）的源极和漏极之间；所述的续流二极管1（D2）并联在N沟道的MOS管1（Q1）的源极和漏极之间；所述的续流二极管2（D3）并联在N沟道的MOS管2（Q4）的源极和漏极之间。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周厚明，刘垒，
申请(专利权)人：武汉迈威光电技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：